公开(公告)号：CN116577871A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310572186.7

申请日：2023-05-22

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 纪幸辰 ,  刘芳瑜 ,  王硕 ,  苏翼凯

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/136 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

Abstract: 一种基于深硅刻蚀的光纤与硅光芯片高精度耦合实现方法，通过在在衬底上旋涂光刻胶后进行掩膜对准式曝光；然后采用包层刻蚀去除顶部和底部包层材料后利用C4F8和SF6进行深硅刻蚀实现高深宽比、侧壁陡直的硅刻蚀；最后将晶片解理成独立芯片，其台阶状的沟道用于与光纤进行耦合。本发明通过特定深度深硅刻蚀槽图形，运用光刻及深硅刻蚀手段制备特定深度的深硅刻蚀槽，利用光刻和刻蚀的高精度从而实现光纤到芯片上波导耦合条件，如高度、距离等的精确控制，有效提高耦合容差和耦合鲁棒性。

公开(公告)号：CN116609269A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310542860.7

申请日：2023-05-15

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 纪幸辰 ,  凌玉烨 ,  陈君琢 ,  苏翼凯

IPC: G01N21/01 ,  G02B6/122 ,  G02B6/124 ,  G02B6/125 ,  G02B6/12 ,  G01N21/3581 ,  G01N21/55

Abstract: 一种基于光子芯片的集成化谱域光学相干层析成像系统，包括：光源芯片、干涉仪芯片和光谱探测器，其中：光源芯片输出宽谱的光至干涉仪芯片，经干涉仪芯片分束后分别通过样本臂和参考臂输出至待测样品以及干涉仪芯片内置的反射器，样本臂的光对待测样品进行扫描的反射光与参考臂的光在干涉仪芯片上生成干涉信号后输出至光谱探测器，光谱探测器通过信号处理得到待测样品的图像。本发明采用集成光子芯片替代传统系统中的分立元件，对整个成像系统，包括光源、干涉仪、光谱仪等元件提出集成化方案，可以适用于工作中心波长在850nm，1060nm，1300nm、1700nm等OCT成像常用波段，在尺寸和成本上大幅度缩减。