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公开(公告)号：CN105336852B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510916099.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种带有自整流效应的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层设置在所述阻变层上，所述上电极，设置在所述整流层上，通过本发明，实现了直接利用具有较低功函数的过渡族金属铪(Hf)作为下电极的自整流RRAM存储单元新结构，同时本发明仅利用磁控溅射和氧等离子体氧化法便能方便、快速地制备出具有一定整流比的氧化物RRAM存储单元。
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公开(公告)号：CN100511749C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710109364.3
申请日：2005-08-11
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，Si元素部分取代TeaGebSb100-(a+b)合金中的Ge元素形成的TeaGeb-cSicSb100-(a+b)合金薄膜，其中：48≤a≤60，8≤b≤40，Si取代量c的范围从1到40原子百分比。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
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公开(公告)号：CN101101965A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710109363.9
申请日：2005-08-11
Abstract: 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，为硫族化物合金TeaSibSb100-(a+b)，其中48≤a≤60，8≤b≤40。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
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公开(公告)号：CN1250482C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN03116802.7
申请日：2003-05-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622 , C23C14/34
Abstract: 一种钛酸锶钡陶瓷靶的制备方法属于材料领域。方法如下：先将四氯化钛、氯化锶、氯化钡分别配制成水溶液；将上述水溶液加入草酸水溶液中进行合成反应，控制pH值得到白色草酸氧钛酸锶钡沉淀；将沉淀洗涤、过滤、烘干后进行热分解即得钛酸锶钡复合粉粉末；将得到的钛酸锶钡粉末经预处理后按化学计量比配料，经球磨机球磨粉碎后，放于硅碳棒炉中预烧；将预烧好的粉末经球磨机再粉碎后，由液压机压成块材，并进行等静压成型；放于硅碳棒炉中最终烧结，得到钛酸锶钡陶瓷靶。本发明制备合成的钛酸锶钡粉体，具有高纯、超细、高均匀性和高活性，较好完全满足射频磁控溅射的要求，因此，本发明的钛酸锶钡陶瓷靶是一种很有应用前景的新型靶材。
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公开(公告)号：CN106350469B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201610986741.0
申请日：2016-11-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种耐高温的纤维素降解的芽孢杆菌及其应用，具体为芽孢杆菌JWT‑1，属于枯草芽孢杆菌(Bacillus subtilis)，保藏于中国普通微生物菌种保藏管理中心(CGMCC)，保藏日期为2016年7月11日，保藏编号CGMCC No.12758。该细菌对秸秆中纤维素、半纤维素、果胶和木质素具有较强的降解能力；并可在60℃的高温下生长繁殖，最高可耐受100℃的高温，具有良好的高温堆肥应用前景。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN109490387A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811316494.9
申请日：2018-11-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/327
Abstract: 一种基于核酸适配体的重金属离子电化学传感器的制备方法及应用，将四氯合金酸的水溶液滴加入聚吡咯的二甲基甲酰胺溶液中加热反应并加入柠檬酸三钠溶液制备得到聚吡咯-纳米金复合材料，最后将聚吡咯-纳米金复合材料涂于丝网印刷碳电极的表面，与涂有铅离子核酸适配体层的工作电极组成电化学传感器。本发明能够很灵敏，准确的检测铅离子的含量，并绘制了相应的工作曲线。用该传感器检测土壤溶液中的铅离子其检测限0.038nmol/L，线性范围为0.5-10nmol/L。该方法还具有很好的重现性和稳定性。通过对土壤溶液的检测，进一步验证了该方法的在铅离子检测方面的可行性。
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公开(公告)号：CN108735774A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810565647.7
申请日：2018-06-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铝碲合金的存储器双向选通管及其制备方法，该选通管包括：衬底(1)；在衬底(1)上方形成布线沟槽，并沉积扩散阻挡层(3)，扩散阻挡层(3)覆盖全部布线沟槽表面，钨布线下电极(2)设置在布线沟道中，与扩散阻挡层(3)接触；绝缘层(4)，设置在钨布线下电极(2)暴露的表面上，且与钨布线下电极(2)相接触，绝缘层(4)内设置有两个钨栓塞(5)，并且两个钨栓塞的侧壁被扩散阻挡层(3)覆盖，其中一个钨栓塞(5)利用阈值转变层(6)覆盖且与布线下电极(2)相接触，另一个钨栓塞(5)用惰性金属材料覆盖且与布线下电极(2)接触，形成下电极引线(7)；上电极(8)，设置在阈值转变层(6)上。
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公开(公告)号：CN105336852A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510916099.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种带有自整流效应的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层设置在所述阻变层上，所述上电极，设置在所述整流层上，通过本发明，实现了直接利用具有较低功函数的过渡族金属铪(Hf)作为下电极的自整流RRAM存储单元新结构，同时本发明仅利用磁控溅射和氧等离子体氧化法便能方便、快速地制备出具有一定整流比的氧化物RRAM存储单元。
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公开(公告)号：CN101916823B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201010237243.9
申请日：2010-07-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种计算机技术领域的基于碲化锑复合相变材料的相变存储装置及其制备方法，装置包括：基板、下电极、热发生电极层、绝缘层、相变材料层和上电极，其中：所述的相变材料层是包括碲化锑和氮化硅的复合相变材料层；所述的氮化硅的原子百分比含量范围为：0.5-30；所述的相变材料层中Sb原子和Te原子的比例范围为80/20-30/70。本发明中相变存储装置使用了高结晶速度并且发热效率更高的复合相变材料层，可以提高相变存储装置的操作速度，降低相变存储装置的RESET操作电流。
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