公开(公告)号：CN105552219B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201510916746.1

申请日：2015-12-10

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 马海力 ,  冯洁 ,  陈小荣

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种具有自整流特性的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层、势垒层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层与势垒层设置在所述阻变层上，所述上电极，设置在所述势垒层上，通过本发明，实现了直接利用具有较低功函数的过渡族金属铪作为下电极的自整流RRAM存储单元新结构，同时本发明仅利用磁控溅射和氧等离子体氧化法便能方便、快速地制备出具有高整流比的氧化物RRAM存储单元。

公开(公告)号：CN105552219A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510916746.1

申请日：2015-12-10

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 马海力 ,  冯洁 ,  陈小荣

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1253 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明公开了一种具有自整流特性的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层、势垒层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层与势垒层设置在所述阻变层上，所述上电极，设置在所述势垒层上，通过本发明，实现了直接利用具有较低功函数的过渡族金属铪作为下电极的自整流RRAM存储单元新结构，同时本发明仅利用磁控溅射和氧等离子体氧化法便能方便、快速地制备出具有高整流比的氧化物RRAM存储单元。

公开(公告)号：CN105336852B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201510916099.4

申请日：2015-12-10

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 马海力 ,  冯洁 ,  陈小荣

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种带有自整流效应的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层设置在所述阻变层上，所述上电极，设置在所述整流层上，通过本发明，实现了直接利用具有较低功函数的过渡族金属铪(Hf)作为下电极的自整流RRAM存储单元新结构，同时本发明仅利用磁控溅射和氧等离子体氧化法便能方便、快速地制备出具有一定整流比的氧化物RRAM存储单元。

公开(公告)号：CN105336852A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510916099.4

申请日：2015-12-10

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 马海力 ,  冯洁 ,  陈小荣

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明公开了一种带有自整流效应的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层设置在所述阻变层上，所述上电极，设置在所述整流层上，通过本发明，实现了直接利用具有较低功函数的过渡族金属铪(Hf)作为下电极的自整流RRAM存储单元新结构，同时本发明仅利用磁控溅射和氧等离子体氧化法便能方便、快速地制备出具有一定整流比的氧化物RRAM存储单元。