公开(公告)号：CN102047439B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200880129553.X

申请日：2008-10-30

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 西宫立亨 ,  真岛浩 ,  宫原弘臣 ,  川村启介 ,  中野要治

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光电转换装置，该光电转换装置(100)在1m2以上的大面积基板(1)上形成包含结晶硅i层(42)的光电转换层(3)，其中，所述结晶硅i层(42)包含在所述基板(1)面内的结晶硅相的喇曼峰值强度与非晶硅相的喇曼峰值强度的比即喇曼峰值比是3.5以上8.0以下范围内的区域，且所述基板(1)面内的所述喇曼峰值比是2.5以下范围内的区域的面积比例在3％以下。这样，把结晶硅i层的结晶性调整成能够得到高输出的高亮度反射区域发生前的结晶性，通过规定高亮度反射区域的面积比例来实现显示高输出的光电转换装置。

公开(公告)号：CN1763977B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200510118118.5

申请日：2005-10-20

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 中野要治 ,  山下信树

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/077 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种串联型薄膜太阳能电池，所述串联型薄膜太阳能电池包括：第一导电层，形成于透明衬底上，阳光被输入到所述透明衬底；顶太阳能电池层，形成于所述第一导电层上；和底太阳能电池层，层叠在所述顶太阳能电池层上，与所述顶太阳能电池层串联连接。基于所述底太阳能电池层的光生电流决定所述薄膜太阳能电池层的总光生电流。

公开(公告)号：CN102270676A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110077712.X

申请日：2005-10-20

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 中野要治 ,  山下信树

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/077 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种串联型薄膜太阳能电池，所述串联型薄膜太阳能电池包括：第一导电层，形成于透明衬底上，阳光被输入到所述透明衬底；顶太阳能电池层，形成于所述第一导电层上；和底太阳能电池层，层叠在所述顶太阳能电池层上，与所述顶太阳能电池层串联连接。基于所述底太阳能电池层的光生电流决定所述薄膜太阳能电池层的总光生电流。

公开(公告)号：CN102165281A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980138578.0

申请日：2009-07-02

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 坂井智嗣 ,  中野要治 ,  小林靖之 ,  山口贤刚 ,  高野晓巳

IPC: G01B11/06 ,  H01L21/205

CPC classification number: G01B11/0625

Abstract: 薄膜检查装置包括：存储部(14)，该存储部保存有至少2个特征量特性，所述2个特征量特性由以下方式得到：从因第1透明薄膜和第2透明薄膜的至少一方的膜厚变动而受到影响的分光反射光谱的特征量中选择至少2个特征量，并将所选择的该特征量中的每一个特征量与第1透明薄膜的膜厚和第2透明薄膜的膜厚分别建立关联；对被检查基板(S)从透明玻璃基板侧照射白色光的光照射部(11)；接受来自被检查基板(S)的反射光的受光部(12)；和运算部(15)，从基于受光的反射光的分光反射光谱求出在存储部(14)中保存的各特征量的实测值，使用求出的各特征量的实测值和在存储部(14)中保存的特征量特性，分别求出第1透明薄膜和第2透明薄膜的膜厚。

公开(公告)号：CN101467264B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200780022196.2

申请日：2007-08-30

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 吴屋真之 ,  中野要治 ,  佐竹宏次

IPC: H01L31/042 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L31/1824 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种制膜条件设定方法、光电转换装置及其制造方法、制造装置和检查方法，能够稳定地制造具有较高转换效率的光电转换装置。基于微结晶硅层(4)中的基板(1)侧的拉曼光谱的拉曼峰值比和基板(1)相反侧的拉曼光谱的拉曼峰值比，设定光电转换装置的微结晶硅光电转换层(4)的制膜条件。

公开(公告)号：CN101765922A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200880101142.X

申请日：2008-12-19

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 中野要治

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/075

CPC classification number: H01L31/202 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种提高生产性制造具有较高的转换效率的光电转换装置的方法。光电转换装置的制造方法包含n层形成工序，该工序中，使设置于减压环境的成膜室内的基板为利用加热单元加热的状态，向所述成膜室内供给原料气体，对与所述基板相对配置的放电电极供电，从而在所述基板上制成由结晶质硅构成的n层，其中，所述n层形成工序是将所述成膜室内的压力设为500Pa以上且1000Pa以下、并且将所述基板和所述放电电极间的距离设为6mm以上且12mm以下来制成所述n层的工序。

公开(公告)号：CN1638153A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510003971.2

申请日：2005-01-05

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 渡辺俊哉 ,  山下信树 ,  中野要治 ,  吴屋真之 ,  坂井智嗣 ,  米仓义道

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/075

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

Abstract: 一种光电转换装置，使用具有最合适的电阻率和透过率之间关系的透明电极或者透明导电膜来实现高光电转换率。在透明绝缘性基板上至少依次层积有：第一透明电极，由p型硅层、i型硅层以及n型硅层构成的pin结构或者nip结构的微结晶硅层，第二透明电极以及背侧电极，其中，所述第一透明电极以及所述第二透明电极的至少某一项是添加Ga的ZnO层，所述Ga的含量相对于Zn为小于或等于15原子％。