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公开(公告)号：CN106098757A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610281369.3
申请日：2016-04-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/40 , H01L29/47 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/8124 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/423 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/7787 , H01L29/402 , H01L29/475
Abstract: 得到一种场效应晶体管，该场效应晶体管能够有效地抑制由与高温RF动作时的本征载流子密度增大相伴的损耗增大所引起的RF特性变差。多个源极电极(6)及多个漏极电极(7)彼此交替地配置，与半导体衬底(1)的主面欧姆接合。多个栅极电极(8)分别配置在多个源极电极(6)和多个漏极电极(7)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。多个漏极电极(7)分别具有彼此被分割开的第1及第2部分(7a、7b)。漏极电极(7)的第1及第2部分(7a、7b)的合计电极宽度比一根源极电极(6)的宽度窄。肖特基电极(13)配置在漏极电极(7)的第1部分(7a)和第2部分(7b)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。
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公开(公告)号：CN102347243A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110213254.8
申请日：2011-07-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/047 , H01L23/31 , H01L23/552 , H01L25/00 , H01L23/34
CPC classification number: H01L21/50 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/552 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/16146 , H01L2224/16235 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明得到能改善耐湿性、抑制增益下降、降低外部电磁噪声并可有效切割的半导体装置的制造方法。在主体晶片（1）的主面（1a）形成电路图形（2）和金属膜（3）。形成从主体晶片（1）的主面（1b）贯通主体晶片（1）到达金属膜（3）的贯通孔（17）。在主体晶片（1）的主面（1b）一部分、贯通孔（17）内壁及贯通孔（17）内露出的金属膜（3）上形成金属膜（4）。在盖晶片（7）的主面（7a）形成凹部（8）。在盖晶片（7）的包含凹部（8）的主面（7a）形成金属膜（9）。使凹部（8）与电路图形（2）对置、金属膜（9）与金属膜（3）接触地将盖晶片（7）接合在主体晶片（1）。将接合的主体晶片（1）和盖晶片（7）沿贯通孔（17）切割。
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公开(公告)号：CN116420217B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202080105740.5
申请日：2020-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 渡边伸介
IPC: H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/338
Abstract: 本公开所涉及的晶体管具备：半导体基板；源极焊盘，设置于半导体基板的上表面；多个源极电极，设置于半导体基板的上表面，具有与源极焊盘连接的第一端和与源极焊盘相反的一侧的第二端，并沿与半导体基板的上表面平行的排列方向排列；多个漏极电极，设置于半导体基板的上表面，并在排列方向上与多个源极电极交替配置；栅极电极，设置于半导体基板的上表面；以及第一配线，将多个源极电极中的设置于半导体基板的在排列方向上的中央部的多个中央部电极的第二端连接起来，不与多个源极电极中的除多个中央部电极以外的源极电极的第二端连接。
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公开(公告)号：CN109863590B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201680090274.1
申请日：2016-10-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的半导体装置的特征在于，具备：基板；发热部，其形成于基板之上；盖基板，其在基板的上方以在盖基板与基板之间具有中空部的方式形成；以及反射膜，其在发热部的上方对红外线进行反射。反射膜对由于发热部的温度上升而经由中空部向盖基板侧辐射的红外线进行反射，从而具有抑制盖基板侧的温度上升的作用。由于该作用，即使在模塑树脂存在于盖基板之上的情况下，也产生抑制模塑树脂的温度上升的效果。
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公开(公告)号：CN107919856A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710909111.8
申请日：2017-09-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及具有场效应晶体管的半导体装置，其目的在于得到能够抑制基板的面积的增加的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：晶体管，其设置于第1基板；栅极焊盘，其与该晶体管的栅极电极连接；导电性凸块，其设置于该栅极焊盘之上；第2基板，其设置于该第1基板的上方，具有第1面和第2面；第1电极，其从该第1面贯穿至该第2面，在该第2面侧与该导电性凸块连接；电阻，其一端连接于该第1电极的该第1面侧，另一端连接于输入端子；以及第2电极，其与该第1电极相邻设置在该第1面，以不经由该电阻的状态连接于该输入端子，该晶体管的栅极泄漏电流从该第1电极通过该第2基板的该母材及该第2电极而流动至该输入端子。
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公开(公告)号：CN102347243B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201110213254.8
申请日：2011-07-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/047 , H01L23/31 , H01L23/552 , H01L25/00 , H01L23/34
CPC classification number: H01L21/50 , H01L23/04 , H01L23/10 , H01L23/552 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/16146 , H01L2224/16235 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明得到能改善耐湿性、抑制增益下降、降低外部电磁噪声并可有效切割的半导体装置的制造方法。在主体晶片（1）的主面（1a）形成电路图形（2）和金属膜（3）。形成从主体晶片（1）的主面（1b）贯通主体晶片（1）到达金属膜（3）的贯通孔（17）。在主体晶片（1）的主面（1b）一部分、贯通孔（17）内壁及贯通孔（17）内露出的金属膜（3）上形成金属膜（4）。在盖晶片（7）的主面（7a）形成凹部（8）。在盖晶片（7）的包含凹部（8）的主面（7a）形成金属膜（9）。使凹部（8）与电路图形（2）对置、金属膜（9）与金属膜（3）接触地将盖晶片（7）接合在主体晶片（1）。将接合的主体晶片（1）和盖晶片（7）沿贯通孔（17）切割。
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公开(公告)号：CN103051294A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210385397.1
申请日：2012-10-12
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 渡边伸介
IPC: H03F3/189
CPC classification number: H03F3/602 , H03F3/24 , H03F2200/405 , H03F2200/411 , H03F2200/423
Abstract: 本发明涉及高频信号放大器。主放大器（4）放大高频信号。主放大器（4）的输出端子和天线（2）之间连接有信号线路（5）。长度或末端不同的耦合线路（6、7）分别和信号线路（5）平行地配置。移相器（8、10）使经由耦合的信号线路（5）及耦合线路（6、7）分别施加的高频信号发生相位变化并向主放大器（4）的输入端子供给，移相器（8、10）分别具有不同的相位变化量。从而得到能够通过简单的电路结构将向天线供给的高频信号的电力保持固定的高频信号放大器。
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公开(公告)号：CN101540589B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200810173373.3
申请日：2008-11-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F3/60
CPC classification number: H03F3/604 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6655 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/19041 , H01L2924/19051 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03F2200/237 , H03F2200/255 , H03F2200/423 , H03F2200/429 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及一种能够改善失真特性的高频功率放大器。通过将多个晶体管单元(11)并联电连接从而形成多指型晶体管。多个晶体管单元(11)的栅电极连接到输入侧匹配电路(13)上。在各晶体管单元(11)的栅电极和输入侧匹配电路(13)之间分别连接有谐振电路(17)。谐振电路(17)以晶体管的工作频率的二次谐波频率或者在以二次谐波频率为中心的规定范围内进行谐振，相对于二次谐波成为高阻抗负载或者成为开路负载。
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公开(公告)号：CN101674053A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910147026.8
申请日：2009-06-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/226 , H03F1/0261 , H03F3/1935 , H03F2200/18 , H03F2200/27 , H03F2200/451 , H03F2200/534 , H03F2200/541
Abstract: 本发明提供栅地-阴地放大器电路，其能够实现在毫米波段能够稳定地工作且高增益或高输出的毫米波器件。该栅地-阴地放大器电路栅地阴地连接有两个晶体管，并且具备：源极被接地的HEMT(1)；源极与HEMT(1)的漏极连接的HEMT(2)；与HEMT(2)的栅极连接，并抑制反射增益的反射增益抑制电阻(3)；和连接于反射增益抑制电阻(3)的与HEMT(2)相反的一侧，并将规定频率附近的高频信号短路的开路短截线(4)。
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公开(公告)号：CN114902398B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202080091170.9
申请日：2020-01-07
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 渡边伸介
IPC: H10D84/03 , H03F3/68 , H03F3/189 , H03F1/02 , H10D84/40 , H10D84/00 , H10D10/01 , H10D12/01 , H10D30/01
Abstract: 本发明涉及高频半导体装置。以往的具备输入二倍波匹配电路的高频半导体装置存在产生增益降低的课题。本发明的高频半导体装置(100)在设置于半导体基板(1)上表面的一个输入二倍波匹配电路(19)连接有邻接的2个单位晶体管单元(7)、(8)。输入二倍波匹配电路(19)具有第一电容(13)、第一电感器(14)、第二电容(15)以及第二电感器(16)。第一电容(13)以及第一电感器(14)在基波的频率下谐振，从2个单位晶体管单元(7)、(8)的输入电极看入的阻抗在二倍波的频率下为短路。
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