公开(公告)号：CN104465770A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410489794.2

申请日：2014-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈崎拓行 ,  加茂宣卓 ,  野上洋一 ,  小山英寿 ,  宫国晋一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L23/3677 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明得到一种半导体装置以及其制造方法，该半导体装置容易降低电路部的导体损耗，提高高频特性和可靠性，堆积填充材料。在Si衬底1的第1主表面上形成有由AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的缓冲层(2)。在缓冲层(2)上形成有由AlyGa1-yN(0≤y≤1，x≠y)构成的外延结晶生长层(5)。在外延结晶生长层(5)中形成有晶体管(8)。在从Si衬底(1)的第2主表面到达缓冲层(2)的通孔(15)中填充有填充材料(16)。填充材料(16)由与缓冲层(2)相同的组成比x的AlxGa1-xN构成。

公开(公告)号：CN103887249A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310700837.2

申请日：2013-12-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  山本佳嗣 ,  横山吉典 ,  曾田真之介

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/291 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/564 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0001

Abstract: 本发明的目的在于得到一种能够确保优良的耐湿性和高的机械强度的半导体装置及其制造方法。在基板（1）的主表面上形成场效应晶体管（2）。接着，在基板（1）的主表面和场效应晶体管（2）上涂敷熔点为450℃以下的低熔点玻璃膜（5）。接着，一边利用绝缘性或半绝缘性的加压夹具（6）将低熔点玻璃膜（5）朝向基板（1）的主表面加压，一边对基板（1）进行加热处理而烧结低熔点玻璃膜（5）。在烧结了低熔点玻璃膜（5）之后，原样地保留加压夹具（6）。

公开(公告)号：CN111133571B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201780095120.6

申请日：2017-09-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浅田智之 ,  野上洋一 ,  堀口健一 ,  山部滋生 ,  美保谕志 ,  向井谦治

IPC: H01L23/29

公开(公告)号：CN111937125A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201880092056.0

申请日：2018-04-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 场效应型晶体管具有在电子供给层(103、403)之上形成的栅极电极(108、408)、源极电极(104)、漏极电极(105)，并且具有：绝缘膜(106、407)，其包覆所述电子供给层(103、403)；以及所述绝缘膜的开口部(111、411)，其设置于形成所述栅极电极(108、408)的区域而具有梯形四棱柱状轮廓面，使所述栅极电极(108、408)与通过所述开口部(111、411)将所述电子供给层(103、403)露出的区域进行肖特基接合，并且使由所述开口部(111、411)所形成的梯形四棱柱状轮廓面相对于所述电子供给层(103、403)的表具有25度至75度的范围的倾斜角。

公开(公告)号：CN111133571A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201780095120.6

申请日：2017-09-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 浅田智之 ,  野上洋一 ,  堀口健一 ,  山部滋生 ,  美保谕志 ,  向井谦治

IPC: H01L23/29

Abstract: 发挥锚固效应，并且实现与半导体元件连接的引线的低阻抗化。半导体装置具有：散热器(101)；半导体元件(102)；引线(104)，其配置于散热器的上方；以及模塑材料(109)，其覆盖引线、散热器和半导体元件而形成。在散热器的俯视观察时与引线重叠的位置的下表面的缘部形成比该位置的上表面的缘部更加凸出的第1凸部(101a)，在散热器的俯视观察时不与引线重叠的位置的上表面的缘部形成比该位置的下表面的缘部更加凸出的第2凸部(101c)。

公开(公告)号：CN105489567A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510640745.9

申请日：2015-09-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/3157 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19104 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3171

Abstract: 本发明得到一种具有高耐湿性的半导体装置。在半导体衬底(1)的主面上设置有半导体元件(2)。电极焊盘(3a、3b、3c)设置在半导体衬底(1)的主面上，与半导体元件(2)连接。保护环(6)包围半导体元件(2)以及电极焊盘(3a、3b、3c)而设置在半导体衬底(1)的主面上，被赋予基准电位。绝缘膜(7)对在保护环(6)的内侧处半导体衬底(1)的半导体露出的区域全部进行覆盖。绝缘膜(7)由不使水分通过的材料构成。

公开(公告)号：CN101958321A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010226934.9

申请日：2010-07-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国井彻郎 ,  天清宗山 ,  山本佳嗣 ,  野上洋一

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/4238 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明涉及半导体装置，其目的在于提供一种能够防止在绝缘区域中发生破坏的半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于，具备：半导体衬底；掺杂区域，设置在所述半导体衬底的上表面侧；绝缘区域，在所述半导体衬底的上表面侧，通过离子注入而设置在所述掺杂区域的周围；栅极电极，设置在所述掺杂区域上；第一电极和第二电极，以夹着所述栅极电极的方式设置在所述掺杂区域上；第一焊盘，设置在所述绝缘区域上，连接于所述栅极电极；第二焊盘，在所述绝缘区域上以夹着所述掺杂区域与所述第一焊盘相向的方式设置，连接于所述第二电极；以及导体，在所述绝缘区域上，设置在所述第一电极和所述第二焊盘之间。