-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104113287A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410149400.9
申请日：2014-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/3205 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F2200/105 , H03F2200/108 , H03F2200/192 , H03F2200/195 , H03F2200/204 , H03F2200/207 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/405 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/465
Abstract: 本发明目的在于得到一种在不使无效电流等其他特性变化的情况下就能够调整AM-AM特性的功率放大器。分别向偏压端子(T1、T2）供给偏压。晶体管（M1）的栅极与偏压端子（T1）连接，源极接地。晶体管（M2）的栅极与偏压端子（T2）连接，源极与晶体管（M1）的漏极连接。固定电容器（C1）和可变电阻（Rv1）串联连接在晶体管（M2）的栅极和接地点之间。
-
公开(公告)号：CN104113287B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410149400.9
申请日：2014-04-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03F1/3205 , H03F1/223 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F2200/105 , H03F2200/108 , H03F2200/192 , H03F2200/195 , H03F2200/204 , H03F2200/207 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/405 , H03F2200/408 , H03F2200/411 , H03F2200/465
Abstract: 本发明目的在于得到一种在不使无效电流等其他特性变化的情况下就能够调整AM‑AM特性的功率放大器。分别向偏压端子(T1、T2）供给偏压。晶体管（M1）的栅极与偏压端子（T1）连接，源极接地。晶体管（M2）的栅极与偏压端子（T2）连接，源极与晶体管（M1）的漏极连接。固定电容器（C1）和可变电阻（Rv1）串联连接在晶体管（M2）的栅极和接地点之间。
-
公开(公告)号：CN118633147A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202280085638.2
申请日：2022-02-18
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体芯片的标记方法、半导体芯片的制造方法以及半导体芯片。该半导体芯片的标记方法对具备半导体基板(12)的半导体芯片(10)进行标记，在半导体芯片(10)，在半导体基板(12)的表面(14)形成有从表面(14)突出的识别用图案(18)，利用探针(20)放倒识别用图案(18)来进行标记。
-
-
公开(公告)号：CN111133571A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201780095120.6
申请日：2017-09-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/29
Abstract: 发挥锚固效应，并且实现与半导体元件连接的引线的低阻抗化。半导体装置具有：散热器(101)；半导体元件(102)；引线(104)，其配置于散热器的上方；以及模塑材料(109)，其覆盖引线、散热器和半导体元件而形成。在散热器的俯视观察时与引线重叠的位置的下表面的缘部形成比该位置的上表面的缘部更加凸出的第1凸部(101a)，在散热器的俯视观察时不与引线重叠的位置的上表面的缘部形成比该位置的下表面的缘部更加凸出的第2凸部(101c)。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.019 seconds)
