公开(公告)号：CN104124220B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410164661.8

申请日：2014-04-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 前田和弘 ,  志贺俊彦

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/283 ,  H01L21/445 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明目的是提供能够在衬底面上形成没有外观异常的导电膜的半导体元件以及该半导体元件的制造方法。其特征在于，包括：六方晶系且衬底面为（0001）面的衬底（10）；和在该衬底面上形成的多个导电膜（12）。该多个导电膜包括：第一导电膜（14），晶体结构为不拥有与该衬底的该衬底面中的原子排列具有同等的对称性的平面；以及第二导电膜（16），形成于该第一导电膜的上方，晶体结构为具有至少一个与该衬底的该衬底面中的原子排列具有同等的对称性的平面，该第二导电膜为粒径是15μm以下的多晶。

公开(公告)号：CN103050460B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210383347.X

申请日：2012-10-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日坂隆行 ,  中本隆博 ,  志贺俊彦 ,  西泽弘一郎

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L23/564 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供能提高针对来自外部的杂质等的耐性的半导体装置及其制造方法。在GaAs衬底(1)上设置有下层布线(2)。在GaAs衬底(1)及下层布线(2)上设置有树脂膜(4)。树脂膜(4)在下层布线(2)上具有开口(5)。在下层布线(2)及树脂膜(4)上设置有SiN膜(6)。SiN膜(6)在开口(5)内具有开口(7)。在下层布线(2)及树脂膜(4)的一部分上设置有上层布线(8)。上层布线(8)具有经由开口(5)、(7)与下层布线(2)连接的Ti膜(8a)和设置在Ti膜(8a)上的Au膜(8b)。在上层布线(8)及树脂膜(4)上设置有SiN膜(9)。SiN膜(9)在树脂膜(4)上附着于SiN膜(6)。SiN膜(6)、(9)保护Ti膜(8a)的周围。

公开(公告)号：CN1855530A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610073541.2

申请日：2006-04-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 天清宗山 ,  志贺俊彦 ,  国井彻郎 ,  奥友希

IPC: H01L29/43

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/42316

Abstract: 提高肖特基电极的耐湿性而得到半导体装置。肖特基电极即栅电极(8)包括TaNx层(6)和Au层(7)。TaNx层(6)为了防止Au层(7)和基板(100)之间的原子扩散，起势垒金属的作用。TaNx不含Si，所以比含有Si的WSiN的耐湿性高。因此栅电极(8)与具有WSiN层的以往的栅电极相比耐湿性高。另外，设定氮含有率x小于0.8，与以往的栅电极相比可以避免肖特基特性的大幅度降低。或者氮含有率x在小于0.5的范围之内，与以往的栅电极相比能够提高肖特基特性。