-
公开(公告)号：CN113474881A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201980089376.5
申请日：2019-03-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/02
Abstract: 在器件基板(1)的上表面形成有器件(2)。由无电解电镀反应的催化剂金属构成的密封框(16)在器件基板(1)的上表面形成为包围器件(2)。经由密封框(16)将器件基板(1)的上表面与盖基板(10)的下表面以中空状态接合。多个电极(8、11、12)与器件(2)连接并引出至器件基板(1)以及盖基板(10)的外侧。金属膜(20)形成于密封框(16)的外侧面，未形成于器件基板(1)以及盖基板(10)。
-
公开(公告)号：CN120015740A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510165751.7
申请日：2017-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/31 , H10D64/27 , H10D64/23 , H10D30/47
Abstract: 在半导体衬底(1)之上形成有多指晶体管，该多指晶体管具有多个控制电极(2)、多个第1电极(3)及多个第2电极(4)。树脂膜(14、15)覆盖晶体管。在树脂膜(14、15)之上形成有将多个第1电极(3)彼此电连接的第1配线(8)。树脂膜(14、15)覆盖第1配线(8)和多个第1电极(3)的接触部分。在多个控制电极(2)及多个第2电极(4)周围形成有由树脂膜(14、15)密闭的中空构造(16)。
-
公开(公告)号：CN103050460B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210383347.X
申请日：2012-10-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L23/564 , H01L24/05 , H01L2224/02331 , H01L2224/05008 , H01L2224/0508 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供能提高针对来自外部的杂质等的耐性的半导体装置及其制造方法。在GaAs衬底(1)上设置有下层布线(2)。在GaAs衬底(1)及下层布线(2)上设置有树脂膜(4)。树脂膜(4)在下层布线(2)上具有开口(5)。在下层布线(2)及树脂膜(4)上设置有SiN膜(6)。SiN膜(6)在开口(5)内具有开口(7)。在下层布线(2)及树脂膜(4)的一部分上设置有上层布线(8)。上层布线(8)具有经由开口(5)、(7)与下层布线(2)连接的Ti膜(8a)和设置在Ti膜(8a)上的Au膜(8b)。在上层布线(8)及树脂膜(4)上设置有SiN膜(9)。SiN膜(9)在树脂膜(4)上附着于SiN膜(6)。SiN膜(6)、(9)保护Ti膜(8a)的周围。
-
公开(公告)号：CN113474881B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN201980089376.5
申请日：2019-03-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/02
Abstract: 在器件基板(1)的上表面形成有器件(2)。由无电解电镀反应的催化剂金属构成的密封框(16)在器件基板(1)的上表面形成为包围器件(2)。经由密封框(16)将器件基板(1)的上表面与盖基板(10)的下表面以中空状态接合。多个电极(8、11、12)与器件(2)连接并引出至器件基板(1)以及盖基板(10)的外侧。金属膜(20)形成于密封框(16)的外侧面，未形成于器件基板(1)以及盖基板(10)。
-
公开(公告)号：CN106169430A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610341995.7
申请日：2016-05-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/823475 , H01L22/10 , H01L22/12 , H01L22/14 , H01L22/32 , H01L22/34 , H01L33/62 , H01L2933/0066
Abstract: 得到如下半导体装置的制造方法，即，能够在半导体装置的配线层全部形成之前实施测试，能够针对晶体管单体进行测试，而不依赖于半导体装置的电路结构。在衬底(1)之上彼此独立地形成晶体管(2、3)、电路元件(4、5)以及多个接触焊盘(6a～6f)各自的底层配线。在形成有底层配线的衬底(1)之上的整个面形成第1供电层(14)。对第1供电层(14)进行图案化，形成使晶体管(2、3)的各端子与电路元件(4、5)独立并且分别与不同的接触焊盘连接的测试图案(25～28)。使用接触焊盘和测试图案，针对晶体管(2、3)单体进行测试。在测试之后，将晶体管(2、3)和电路元件(4、5)连接而形成电路。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103050460A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210383347.X
申请日：2012-10-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L23/564 , H01L24/05 , H01L2224/02331 , H01L2224/05008 , H01L2224/0508 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05583 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供能提高针对来自外部的杂质等的耐性的半导体装置及其制造方法。在GaAs衬底(1)上设置有下层布线(2)。在GaAs衬底(1)及下层布线(2)上设置有树脂膜(4)。树脂膜(4)在下层布线(2)上具有开口(5)。在下层布线(2)及树脂膜(4)上设置有SiN膜(6)。SiN膜(6)在开口(5)内具有开口(7)。在下层布线(2)及树脂膜(4)的一部分上设置有上层布线(8)。上层布线(8)具有经由开口(5)、(7)与下层布线(2)连接的Ti膜(8a)和设置在Ti膜(8a)上的Au膜(8b)。在上层布线(8)及树脂膜(4)上设置有SiN膜(9)。SiN膜(9)在树脂膜(4)上附着于SiN膜(6)。SiN膜(6)、(9)保护Ti膜(8a)的周围。
-
公开(公告)号：CN112955725A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201880098971.0
申请日：2018-11-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 日坂隆行
Abstract: 在基板(12)之上设置有半导体器件(33)、泄漏检测用器件(43)、外壁(20)以及分离壁(22)。盖(28)与基板(12)对置地设置。通过基板(12)、外壁(20)、分离壁(22)以及盖(28)，与半导体器件(33)接触的第一中空构造(44a)和与泄漏检测用器件(43)接触的第二中空构造(44b)被分离壁(22)分离而以气密状态形成。具备与泄漏检测用器件(43)电连接，至少一部分向外部露出的端子(14)。泄漏检测用器件(43)的与第二中空构造(44b)接触的部分的至少一部分由腐蚀性金属、或含有腐蚀性金属的合金构成。外壁(20)的至少一部分与第二中空构造(44b)接触。
-
公开(公告)号：CN107924881B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201680048269.4
申请日：2016-03-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/04 , H01L21/338 , H01L23/02 , H01L23/10 , H01L23/12 , H01L23/14 , H01L27/095 , H01L29/812
Abstract: 保持中空部的气密性，使成品率及耐久性提高。半导体装置(1)具备器件基板(2)、半导体电路(3)、封装框(7)、罩基板(8)、通路部(10)、电极(11)、(12)、(13)以及凸块部(14)等。在器件基板(2)和罩基板(8)之间，设置以气密状态收容半导体电路(3)的中空部(9)。凸块部(14)将全部通路部(10)和罩基板(8)连结。由此，能够使用凸块部(14A)将通路部(10)加固。
-
公开(公告)号：CN110476231A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201780089183.0
申请日：2017-04-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 在半导体衬底(1)之上形成有多指晶体管，该多指晶体管具有多个控制电极(2)、多个第1电极(3)及多个第2电极(4)。树脂膜(14、15)覆盖晶体管。在树脂膜(14、15)之上形成有将多个第1电极(3)彼此电连接的第1配线(8)。树脂膜(14、15)覆盖第1配线(8)和多个第1电极(3)的接触部分。在多个控制电极(2)及多个第2电极(4)周围形成有由树脂膜(14、15)密闭的中空构造(16)。
-
公开(公告)号：CN112955725B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201880098971.0
申请日：2018-11-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 日坂隆行
Abstract: 在基板(12)之上设置有半导体器件(33)、泄漏检测用器件(43)、外壁(20)以及分离壁(22)。盖(28)与基板(12)对置地设置。通过基板(12)、外壁(20)、分离壁(22)以及盖(28)，与半导体器件(33)接触的第一中空构造(44a)和与泄漏检测用器件(43)接触的第二中空构造(44b)被分离壁(22)分离而以气密状态形成。具备与泄漏检测用器件(43)电连接，至少一部分向外部露出的端子(14)。泄漏检测用器件(43)的与第二中空构造(44b)接触的部分的至少一部分由腐蚀性金属、或含有腐蚀性金属的合金构成。外壁(20)的至少一部分与第二中空构造(44b)接触。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.019 seconds)
