公开(公告)号：CN101958321B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201010226934.9

申请日：2010-07-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国井彻郎 ,  天清宗山 ,  山本佳嗣 ,  野上洋一

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/4238 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明涉及半导体装置，其目的在于提供一种能够防止在绝缘区域中发生破坏的半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于，具备：半导体衬底；掺杂区域，设置在所述半导体衬底的上表面侧；绝缘区域，在所述半导体衬底的上表面侧，通过离子注入而设置在所述掺杂区域的周围；栅极电极，设置在所述掺杂区域上；第一电极和第二电极，以夹着所述栅极电极的方式设置在所述掺杂区域上；第一焊盘，设置在所述绝缘区域上，连接于所述栅极电极；第二焊盘，在所述绝缘区域上以夹着所述掺杂区域与所述第一焊盘相向的方式设置，连接于所述第二电极；以及导体，在所述绝缘区域上，设置在所述第一电极和所述第二焊盘之间。

公开(公告)号：CN1155774A

公开(公告)日：1997-07-30

申请号：CN96122622.6

申请日：1996-10-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山本佳嗣 ,  早藤纪生

IPC: H01S3/025 ,  H01L29/12 ,  H01L21/18

Abstract: 一种半导体器件，包括：InP衬底；沟道层以及：Alx1Ga1-x1Asy1Pz1Sb1-y1-z1(0≤x1≤1，0≤y1＜1，0＜z1≤1)电子供给层。电子亲和力小于沟道层的电子供给层中掺有n型杂质。在350℃左右的热处理中，n型AlGaAsPSb的电气特性不会改变，这样就制作出一种热稳定的、高可靠的HEMT在制作和工作过程中，其选择性几乎不随时间而变化。此外，容易高自由度地制作出一种由电子供给层和沟道层构成的、具有满意的能带结构的异质结构，从而极大地提高了设计器件的自由度。

公开(公告)号：CN107275290A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710224619.4

申请日：2017-04-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 加茂宣卓 ,  山本佳嗣

IPC: H01L23/13 ,  H01L27/02

CPC classification number: H03F3/604 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L29/0657 ,  H01L2223/6644 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/408 ,  H01L23/13 ,  H01L27/0207

Abstract: 得到一种能够将芯片面积缩小而削减芯片成本的半导体装置。半导体基板(1)的外形为五边形。前级放大器(4)形成于半导体基板(1)的五边形的1个顶点(2a)侧。对前级放大器(4)的输出进行放大的后级放大器(5、6)形成于半导体基板(1)的与顶点(2a)相对的边(3a)侧。

公开(公告)号：CN102969289B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201210317464.6

申请日：2012-08-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  小山英寿 ,  山本佳嗣

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/4855 ,  H01L23/481 ,  H01L23/482 ,  H01L23/4821 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 防止高频特性的恶化，提高耐湿性。在半导体衬底(1)的主表面上的元件区域内，设置有漏极电极(2)。一端和漏极电极连接的漏极布线(5)设置于主表面上。在主表面上的元件区域外，设置有和漏极布线分离的漏极电极垫(12)。Au镀层(9)设置于主表面上，在和主表面之间形成空隙(10)。空隙内包漏极布线的一端和漏极电极。已固化的聚酰亚胺膜(14)阻塞空隙的开口部(11)，覆盖漏极布线的另一端，而不覆盖漏极电极垫。在空隙的内表面设置有拒液膜(15)。经由在已固化的聚酰亚胺膜(14)设置的开口(16)，通过Au镀层(18)，漏极布线的另一端和漏极电极垫连接。漏极布线的另一端不从聚酰亚胺膜露出。

公开(公告)号：CN102969289A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210317464.6

申请日：2012-08-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  小山英寿 ,  山本佳嗣

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/4855 ,  H01L23/481 ,  H01L23/482 ,  H01L23/4821 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 防止高频特性的恶化，提高耐湿性。在半导体衬底（1）的主表面上的元件区域内，设置有漏极电极（2）。一端和漏极电极（2）连接的漏极布线（5）设置于主表面上。在主表面上的元件区域外，设置有和漏极布线（5）分离的漏极电极垫（12）。Au镀层（9）设置于主表面上，在和主表面之间形成空隙（10）。空隙（10）内包漏极布线（5）的一端和漏极电极（2）。已固化的聚酰亚胺膜（14）阻塞空隙（10）的开口部（11），覆盖漏极布线（5）的另一端，而不覆盖漏极电极垫（12）。在空隙（10）的内表面设置有拒液膜（15）。经由在已固化的聚酰亚胺膜（14）设置的开口（16），通过Au镀层（18），漏极布线（5）的另一端和漏极电极垫（12）连接。漏极布线（5）的另一端不从聚酰亚胺膜（14）露出。

公开(公告)号：CN1474445A

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN03110311.1

申请日：2003-04-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山本佳嗣 ,  铃木敏 ,  服部亮

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: G01R31/2608

Abstract: 本发明公开了一种半导体晶体基片的评价方法，旨在提供一种可预测半导体晶体基片的电流放大率的初始变化的半导体晶体基片的评价方法。用于异质结双极型晶体管的含有集电极层、基极层与发射极层的半导体晶体基片的评价方法包括：制作含有和基极层相同组成的晶体层的评价用半导体晶体基片的步骤；在所述评价用半导体晶体基片上照射激励光，从所述晶体层测量光致发光的光强度达到饱和之前随时间的变化的步骤；以及从所述时间变化预测用所述半导体晶体基片制造异质结双极型晶体管时的电流放大率随时间的变化的步骤。

公开(公告)号：CN1152794A

公开(公告)日：1997-06-25

申请号：CN96112842.9

申请日：1996-09-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 早藤纪生 ,  山本佳嗣 ,  杵筑弘隆

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3245 ,  H01L23/3185 ,  H01L29/365 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种可获得高可靠性的半导体器件的制造方法以及用此方法形成的高可靠性的半导体器件。在把InAlAs肖特基形成层106，在表面露出的状态下，用硫化铵溶液1将晶片浸渍后，将该肖特基形成层106在真空中进行300℃的退火，在该退火之后，在真空中在肖特基形成层106露出的表面上形成保持膜3。