公开(公告)号：CN104342701B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201410375020.7

申请日：2014-07-31

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 高桥健一 ,  池田和彦

IPC: C23F1/18

CPC classification number: H05K3/067 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1689 ,  C23C18/38 ,  C23F1/18 ,  C25D5/022 ,  H05K3/108 ,  H05K3/185

Abstract: 本发明是一种印刷电路板的制造方法，其特征在于，在半加成法中包括如下工序：在绝缘层(3)上实施化学镀铜(4)或在绝缘层(3)上利用溅射法来形成铜薄膜的工序；使用含有过氧化氢0.1～3质量％、硫酸0.3～5质量％、卤素离子0.1～3ppm、以及四唑类0.003～0.3质量％的蚀刻液对所得铜表面(4)进行粗化处理的工序；使干膜抗蚀剂(5)附着于进行了粗化处理的铜表面(4)，进行曝光显影，对曝光后的开口部(6)实施电解镀铜(7)的工序；以及，使用含有单乙醇胺0.5～20质量％、氢氧化季铵盐0.2～10质量％、乙二醇类0.01～10质量％、以及唑类0.01～0.5质量％的抗蚀剂剥离液对剩余的干膜抗蚀剂进行剥离处理的工序。

公开(公告)号：CN103510089B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310217858.9

申请日：2013-06-03

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 高桥健一 ,  池田和彦

IPC: C23F1/18 ,  H05K3/06

Abstract: 本发明提供蚀刻用液体组合物和使用其的多层印刷电路板的制造方法，所述蚀刻用液体组合物效率良好地去除作为制造多层印刷电路板的半加成法中的晶种层的化学铜镀层，同时一并进行布线表面的致密粗化处理。本发明的多层印刷电路板的制造中使用的蚀刻用液体组合物包含0.2～5质量%的过氧化氢、0.5～8质量%的硫酸、0.3～3ppm的卤素离子和0.003～0.3质量%的四唑类。

公开(公告)号：CN1274880C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN03140715.3

申请日：2003-05-30

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 高桥健一 ,  木暮直毅 ,  细田笃史

IPC: C23F1/28 ,  C23F1/44 ,  H05K3/06

Abstract: 本发明提供在不溶解镍或镍合金以外的金属，特别是不溶解铜或铜合金薄膜以及锡或锡合金薄膜的条件下，选择性高速溶解镍或镍合金薄膜的剥离液。本发明的剥离液为含有(a)过氧化氢、(b)无机酸、(c)季胺盐及(d)碳数为3～7的脂肪族醇的水溶液。

公开(公告)号：CN1592548A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410085173.4

申请日：2004-06-10

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 细见彰良 ,  高桥健一

IPC: H05K3/06 ,  C23F1/00

Abstract: 本发明提供一种在利用半添加剂法形成印制电路板的铜布线的过程中，能够抑制布线宽度的减少以及底割，而且能够在面内形成均匀的布线宽度的技术。在使用半添加剂法制造具有线路/间隔为50μm/50μm以下的微细布线的印制电路板的方法中，使得晶种层的非电解镀铜的蚀刻速度为电解镀铜的蚀刻速度的2倍以上，并且线路/间隔为50μm/50μm以下的微细布线的间隔处的非电解镀铜的除去时间为大于50μm的间隔处的非电解镀铜的除去时间的3倍以下，利用这样的蚀刻液进行处理，从而制造印制电路板。

公开(公告)号：CN1520469A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN02812732.3

申请日：2002-06-18

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 细见彰良 ,  木暮直毅 ,  森山贤一 ,  高桥健一 ,  细田笃史 ,  池田和彦

IPC: C23F1/18 ,  H05K3/38 ,  H05K3/26

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23C22/52 ,  H05K3/383 ,  H05K2203/124

Abstract: 铜和铜合金用表面处理剂含有过氧化氢、无机酸、唑类化合物、银离子和卤化物离子。铜和铜合金用表面处理剂适用于在电子工业中生产印刷线路板。表面处理剂使铜和铜合金的表面粗糙。特别是，表面处理剂可在有镜面的包铜衬底上形成均匀且无波形的粗糙表面，这一点在传统技术中是难以做到的，因此除对固定电子部件的半固化片和树脂外还对刻蚀保护层、阻焊剂的结合有显著的改进。

公开(公告)号：CN108513679B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201780005986.3

申请日：2017-09-22

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 堀田明伸 ,  岛田宪司 ,  高桥健一 ,  尾家俊行 ,  伊藤彩

IPC: H01L21/308

Abstract: 本发明涉及用于具有SiN层和Si层的基板的湿蚀刻组合物，所述湿蚀刻组合物含有氟化合物(A)0.1～50质量％、氧化剂(B)0.04～10质量％和水(D)，并且pH处于2.0～5.0的范围。而且，本发明涉及使用该湿蚀刻组合物的、具有SiN层和Si层的半导体基板的湿蚀刻方法。通过使用本发明的组合物，减轻使用时产生的挥发成分造成的装置、排气管线的腐蚀和大气污染、进而减轻组合物中的氮成分造成的环境负荷，并且对于具有SiN层和Si层的基板，可以提高Si相对于SiN的去除选择性。

公开(公告)号：CN104651840B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201410653399.3

申请日：2014-11-17

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 高桥健一 ,  田代宪史

IPC: C23F1/18 ,  H05K3/06

CPC classification number: C23F1/18 ,  H05K3/067

Abstract: 本发明提供蚀刻用组合物以及使用了其的印刷电路板的制造方法。根据本发明，可提供一种蚀刻用组合物，其特征在于，其为基于半加成法的印刷电路板制造用化学镀铜的蚀刻用组合物，其含有过氧化氢0.2～5质量％、硫酸0.5～10质量％、苯基脲0.001～0.3质量％、卤素离子0.1～3质量ppm、以及四唑类0.003～0.3质量％，且液体温度30℃下的化学镀铜的溶解速度(Y)相对于电解镀铜的溶解速度(X)之比(Y/X)为4～7。

公开(公告)号：CN101052747B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580037545.9

申请日：2005-11-15

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  菱江化学株式会社

Inventor： 高桥健一

IPC: C23F11/00 ,  C23F11/14

CPC classification number: C09D5/086 ,  C11D3/0073 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D11/0023 ,  C23F11/02

Abstract: 本发明提供在长期保存金属部件时能够保持金属部件表面的清洁且防止生锈的防锈剂以及防锈方法。本发明的防锈剂以及用透气性材料包装的防锈剂，其特征在于，该防锈剂含有由下述式(1)表示的羟胺化合物或由下述式(2)表示的肼化合物、以及吸水性树脂。本发明的防锈方法，其特征在于，将金属部件与上述已包装的防锈剂一起保存在阻气性容器内。[化1]式(1)中，R1，R2，R3分别表示氢原子、碳原子数为1-6的烷基、或碳原子数为2-4的链烯基，这些基团也可以具有取代基。[化2]式(2)中，R1，R2，R3，R4分别表示氢原子、碳原子数为1-6的烷基、或碳原子数为2-4的链烯基，这些基团也可以具有取代基。

公开(公告)号：CN100526507C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200510068825.8

申请日：2005-05-11

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 高桥健一 ,  细见彰良

IPC: C23F1/38

Abstract: 本发明提供一种可以不蚀刻不能蚀刻的金属，例如铜、锡、锡合金和铝，而选择性地蚀刻钛或钛合金的蚀刻液和蚀刻方法。前述蚀刻液是一种含有10～40重量%的过氧化氢、0.05～5重量%的磷酸、0.001～0.1重量%的膦酸系化合物和氨的水溶液。