公开(公告)号：CN102683243A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210059156.8

申请日：2012-03-05

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  大日本网屏制造株式会社

Inventor： 东友之 ,  山田健二 ,  荒木浩之 ,  安藤幸嗣

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/67075 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，具有：第一处理室以及第二处理室；在所述第一处理室保持基板的第一基板保持单元；向所述第一基板保持单元所保持的基板供给含有蚀刻成分和增稠剂的药液的药液供给单元；在所述基板保持有所述药液的状态下，将该基板从所述第一处理室搬运到所述第二处理室的基板搬运单元；以及在所述第二处理室，对保持有所述药液的多张基板进行保持的第二基板保持单元。

公开(公告)号：CN102150242A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980135121.4

申请日：2009-09-02

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 山田健二 ,  岛田宪司 ,  松永裕嗣

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/321 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明提供一种铜布线材料表面保护液，其在制造包含铜布线的半导体电路元件时使用，含有水系溶剂和至少包含3-苯基-2-丙炔-1-醇的炔醇类。此外，提供一种半导体电路元件的制造方法，在形成有包含铜布线的半导体基板的半导体电路元件的制造中，用上述铜布线材料表面保护液对露出铜布线材料表面的半导体基板进行液体接触处理，所述包含铜布线的半导体基板是如下形成的：在硅基板上形成绝缘膜和/或防扩散膜后，通过溅射法形成铜膜，再通过镀覆法在其上形成铜膜或含有80质量％以上铜的铜合金膜，然后通过化学机械研磨(CMP)进行平坦化。

公开(公告)号：CN103119693A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180040397.1

申请日：2011-07-26

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  松永裕嗣 ,  安部幸次郎 ,  山田健二

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/28 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/401 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/66545

Abstract: 提供一种通过对硅自然氧化膜、进而对由硅构成的虚拟栅极进行选择性蚀刻，以高成品率制造高精度、高品质的晶体管的方法。一种晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法使用如下的结构体，具有使用规定的蚀刻液的蚀刻工序，且将虚拟栅极置换为铝金属栅极，所述结构体在基板上具有至少将高介电材料膜和由其表面具有硅自然氧化膜的硅构成的虚拟栅极层叠而成的虚拟栅极层叠体、按照覆盖该层叠体的侧面的方式设置的侧壁、及按照覆盖该侧壁的方式设置的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101755324B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200880100170.X

申请日：2008-07-03

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  松永裕嗣 ,  安部幸次郎 ,  山田健二

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C23G1/04 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23G1/103 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/28 ,  C11D3/33 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/06 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068

Abstract: 本发明提供了一种清洗和防腐用组合物，其用于具有包含铜的金属布线的半导体元件等的制造工序，其中防腐剂成分包含诸如吡唑、3，5-二甲基吡唑之类的吡唑衍生物、诸如1，2，4-三唑之类的三唑衍生物、诸如亚氨基二乙酸、乙二胺二丙酸盐酸盐之类的氨基羧酸类、诸如二异丙基二硫醚、二乙基二硫醚之类的二硫醚化合物中的至少一种，清洗剂成分为氟化铵、氟化四甲基铵、乙酸铵、乙酸、乙醛酸、草酸、抗坏血酸、1，2-二氨基丙烷和二甲基乙酰胺中的至少一种。另外，本发明提供了一种使用清洗和防腐用组合物的半导体元件等的制造方法。

公开(公告)号：CN112041970B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN201980027525.5

申请日：2019-04-25

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 堀田明伸 ,  尾家俊行 ,  菊永孝裕 ,  山田健二

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/36 ,  C23F1/16 ,  C23G1/02 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 根据本发明，可以提供一种水性组合物，其包含：(A)组合物中的氟化物离子浓度达到0.05～30mmol/L的量的氟化物离子供给源；(B)组合物中的阳离子相对于氟化物离子的摩尔比达到0.3～20的量的阳离子供给源；和，以组合物总量基准计为0.0001～10质量％的(C)选自C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯、C4‑13烷基磷酸和它们的盐中的1种以上的化合物，所述水性组合物的pH处于2～6的范围。

公开(公告)号：CN111742392B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN201980014145.8

申请日：2019-02-27

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 尾家俊行 ,  堀田明伸 ,  山田健二 ,  菊永孝裕

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/18 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32

Abstract: 本发明涉及在半导体集成电路的制造工序中抑制氧化铝的损伤的同时、能够将存在于半导体集成电路的表面的干蚀刻残渣去除的组合物、以及具有氧化铝的半导体基板的清洗方法、进而具有氧化铝层的半导体基板的制造方法。本发明的组合物的特征在于，其含有钡化合物(A)0.00005～1质量％和氟化合物(B)0.01～20质量％，所述组合物的pH处于2.5～8.0的范围内。

公开(公告)号：CN112005345A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201980027285.9

申请日：2019-04-25

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 尾家俊行 ,  菊永孝裕 ,  堀田明伸 ,  山田健二

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/06 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/26 ,  C11D7/36 ,  C23F1/16 ,  C23G1/02 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 根据本发明，可以提供一种水性组合物，其包含：以组合物总量基准计为0.0001～10质量％的(A)选自C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯、C4‑13烷基磷酸、和它们的盐中的1种以上的化合物；和，以组合物总量基准计为0.0001～50质量％的(B)除C4‑13烷基膦酸、C4‑13烷基膦酸酯和C4‑13烷基磷酸以外的酸或其盐。

公开(公告)号：CN102598220B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201080047541.X

申请日：2010-10-19

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 大户秀 ,  松永裕嗣 ,  山田健二

IPC: H01L21/304 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/31111 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00849 ,  H01L21/02057

Abstract: 含有选自由具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物、以及具有氟烷基的氧化胺化合物组成的组中的至少一种的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液、以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法。

公开(公告)号：CN102150242B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN200980135121.4

申请日：2009-09-02

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 山田健二 ,  岛田宪司 ,  松永裕嗣

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/321 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明提供一种铜布线材料表面保护液，其在制造包含铜布线的半导体电路元件时使用，含有水系溶剂和至少包含3-苯基-2-丙炔-1-醇的炔醇类。此外，提供一种半导体电路元件的制造方法，在形成有包含铜布线的半导体基板的半导体电路元件的制造中，用上述铜布线材料表面保护液对露出铜布线材料表面的半导体基板进行液体接触处理，所述包含铜布线的半导体基板是如下形成的：在硅基板上形成绝缘膜和/或防扩散膜后，通过溅射法形成铜膜，再通过镀覆法在其上形成铜膜或含有80质量％以上铜的铜合金膜，然后通过化学机械研磨(CMP)进行平坦化。

公开(公告)号：CN102598220A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080047541.X

申请日：2010-10-19

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 大户秀 ,  松永裕嗣 ,  山田健二

IPC: H01L21/304 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/31111 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00849 ,  H01L21/02057

Abstract: 含有选自由具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物、以及具有氟烷基的氧化胺化合物组成的组中的至少一种的用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液、以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法。