公开(公告)号：CN1444103A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03120076.1

申请日：2003-03-12

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 池本一人 ,  山本良亮 ,  吉田宽史 ,  丸山岳人

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308

CPC classification number: C07C217/08 ,  C11D7/3227 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426

Abstract: 本发明的光刻胶剥离组合物含有至少一种由如下通式1表示的氧甲基胺化合物：其中R1至R3如说明书中所定义。对于通式1的氧甲基胺化合物，由如下通式7表示的化合物是一种新的化合物：其中R2至R5以及n如说明书中所定义。

公开(公告)号：CN102834547B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201180007492.1

申请日：2011-01-28

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 ,  夏普株式会社

Inventor： 安谷屋智幸 ,  冈部哲 ,  后藤敏之 ,  丸山岳人 ,  小林和树 ,  田中惠一 ,  中村涉 ,  纪藤贤一 ,  田中哲宪

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/067 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的蚀刻方法，该蚀刻液含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物和(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。

公开(公告)号：CN100580561C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN03147049.1

申请日：2003-07-16

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 松原将英 ,  丸山岳人 ,  樱井直人

IPC: G03F7/32 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的防蚀显影组合物含有：含1-10%重量的有机碱的水溶液，1-10%重量的糖化合物和1-10%重量的多元醇。该防蚀显影组合物在防止金属腐蚀和显影性能方面具有优异的特性，并适用于半导体元件和液晶显示器件的生产。

公开(公告)号：CN1312535C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN03120076.1

申请日：2003-03-12

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 池本一人 ,  山本良亮 ,  吉田宽史 ,  丸山岳人

IPC: G03F7/42 ,  C07C217/08 ,  H01L21/308

CPC classification number: C07C217/08 ,  C11D7/3227 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426

Abstract: 本发明的光刻胶剥离组合物含有至少一种由如下通式1表示的氧甲基胺化合物：其中R1至R3如说明书中所定义。对于通式1的氧甲基胺化合物，由如下通式7表示的化合物是一种新的化合物：其中R2至R5以及n如说明书中所定义。

公开(公告)号：CN1570772A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN03147049.1

申请日：2003-07-16

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 松原将英 ,  丸山岳人 ,  樱井直人

IPC: G03F7/32 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的防蚀显影组合物含有：含1－10％重量的有机碱的水溶液，1－10％重量的糖化合物和1－10％重量的多元醇。该防蚀显影组合物在防止金属腐蚀和显影性能方面具有优异的特性，并适用于半导体元件和液晶显示器件的生产。

公开(公告)号：CN1288589A

公开(公告)日：2001-03-21

申请号：CN99802117.2

申请日：1999-11-11

Applicant: 夏普株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 野原正宽 ,  桥本僚 ,  桶谷大亥 ,  阿部久起 ,  丸山岳人 ,  青山哲男

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C03C23/0075 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/24 ,  G02F1/13439 ,  G03F7/423 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明公开了一种包含0.1—60%重量氧化剂和0.0001—5%重量螯合剂的清洗剂。在生产半导体集成电路的过程中,用作蚀刻光掩模的光刻胶图案层、以及通过干蚀刻形成的光刻胶残余物容易用该清洗剂去除。在生产用于液晶显示板的基材的过程中,通过干蚀刻形成的来自导电薄膜的残余物也容易去除。在使用该清洗剂的清洗方法中,薄膜电路装置中的布线材料或绝缘材料、或用于生产半导体集成电路和液晶显示板的基材的其它材料不受腐蚀。