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公开(公告)号：CN101667590B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN200910168197.9
申请日：2009-09-03
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/04 , H01L21/329 , H01L27/04
CPC classification number: H01L29/8611 , H01L21/76229 , H01L29/0615 , H01L29/7322
Abstract: 一种既可抑制制造成本，又可谋求与保护环相接的PN接合部的耐压性提升的半导体器件及其制造方法。本发明是在半导体衬底(10)的表面形成N-型半导体层，且在其上层形成P型半导体层。在P型半导体层上形成绝缘膜。之后，形成从绝缘膜至N-型半导体层的厚度方向的途中的多个沟，即第1沟、第2沟及第3沟。多个沟在其中彼此邻接的2个沟中，接近电子元件侧，即接近阳极电极侧的沟形成为比该沟靠外侧的另一沟更浅。之后，在第1沟内、第2沟内及第3沟内充填绝缘材料。之后，将由半导体衬底及叠层于其上层的各层所构成的叠层体，沿着切割线进行切割。
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公开(公告)号：CN101114592A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710138312.9
申请日：2007-07-27
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/31138 , H01L21/76898 , H01L2224/02372 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/05147 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/09701 , H01L2924/00014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0496 , H01L2924/01074 , H01L2924/0494
Abstract: 本发明提供一种生产效率高且可靠性和合格品率高的半导体装置及其制造方法。进行半导体衬底(1)的背面磨削(背研磨)，把半导体装置减薄。然后在该阶段不进行把由背面磨削产生的损伤层(7)除去而有选择地在半导体衬底的背面形成抗蚀剂层(8)。然后，以抗蚀剂层(8)作为掩模蚀刻半导体衬底(1)，形成通路孔(9)。然后保持将半导体衬底(1)配置在该蚀刻工序所利用的蚀刻装置内的状态，把形成通路孔(9)和除去抗蚀剂层(8)连续进行。这样，把蚀刻工序和其后的灰化工序以一个处理装置连续进行。然后，把半导体衬底(1)背面的损伤层(7)除去和把通路孔(9)内壁面平坦化的工序也以与上述灰化工序同一装置连续进行。
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公开(公告)号：CN100440499C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200410061938.0
申请日：2004-06-29
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/49548 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2221/68331 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H05K3/3426 , H05K3/3442 , H05K2201/09154 , H05K2201/10772 , H05K2201/10931 , Y02P70/613 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，可提高对熔接在外部端子上的接合材料的目视确认性。该半导体器件将半导体元件和与所述半导体元件电连接的电极通过具有绝缘性的密封材料进行密封，并使所述电极在介由接合材料与外部的安装基板接合的安装面的周围露出，所述电极在所述安装面通过所述接合材料接合于所述安装基板的状态下，从包围所述安装面的侧面一侧呈现可目视所述接合材料的形状。
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公开(公告)号：CN100428456C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200510118100.5
申请日：2005-10-25
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/013
Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。介由第一绝缘膜(11)形成在半导体衬底(10)上的焊盘电极(12)上形成高熔点金属层(13)。其次，在含焊盘电极(12)及高熔点金属层(13)上的半导体衬底(10)的表面上形成钝化层14，进而介由树脂层(15)形成支承体(16)。其次，蚀刻半导体衬底(10)，形成从半导体衬底(10)的背面到达焊盘电极(12)的通孔(17)。其次，介由第二绝缘膜(18)形成与在通孔17底部露出的焊盘电极(12)电连接的贯通电极(20)及配线层(21)。进而形成抗焊剂层(22)、导电端子(23)。最后，通过进行切割，将半导体衬底(10)切断分离成半导体芯片(10A)。
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公开(公告)号：CN1572917A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410032007.8
申请日：2004-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 龟山工次郎
IPC: C25D21/18
CPC classification number: C25D3/60 , C22B7/006 , C22B25/04 , C23C2/00 , C23C18/1617 , C25D21/18 , Y02P10/234
Abstract: 在现有的电镀处理中，采用新电镀液进行电镀处理时，由于以前使用的电镀液要作为工业废物加以废弃处理，所以，产生环境负荷、废弃成本、新液购入成本等庞大支出的问题。本发明使旧电镀液变成新电镀液加以再利用成为可能，为了实现这个目的，例如，采用下列工序：Sn－Bi合金电镀液的准备工序(S1)；除去配位剂的活性炭处理工序(S2)；Bi的除去工序(S3)；沉降处理工序(S4)；Sn电镀液的分析补充工序(S5)。然后，通过电镀液的再利用，消除电镀液的废物处理，环境负荷、废弃成本、新液的购入成本得到抑制。另外，在液组成的管理中，通过有效地利用原来的数据，可容易地实现管理作业。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1333389A
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：CN01112161.0
申请日：2001-03-29
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 龟山工次郎
IPC: C25D7/12
CPC classification number: H01L2924/01005 , H01L2924/01078
Abstract: 要求用1条传送轨道连续地形成多种组合的电镀膜。为响应这个要求而提供一种简便的焊料电镀装置。本电镀装置在传送轨道下设有多个电镀浴槽,该电镀浴槽设有电镀液贮存浴槽。而且,通过用电镀浴槽与电镀液贮存浴槽来转移电镀液,可以选择形成于导电构件21上的电镀膜。因此,可以用1条传送轨道连续地在导电构件21上形成多种组合的电镀膜。
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公开(公告)号：CN100429770C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200510118099.6
申请日：2005-10-25
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/28
CPC classification number: H01L24/10 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/351 , Y10S438/978 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/013
Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。蚀刻半导体衬底(10)，形成从半导体衬底(10)到达焊盘电极(12)的通孔(16)。在此，上述蚀刻按使通孔(16)底部的开口直径A比焊盘电极(12)的平面宽度C大这样的蚀刻条件进行。其次，在包括该通孔(16)的半导体衬底(10)的背面上形成在通孔(16)底部使焊盘电极(12)露出的第二绝缘膜(17)。然后，形成与在通孔(16)底部露出的焊盘电极(12)电连接的贯通电极(20)及配线层(21)。进而形成保护层(22)、导电端子(23)。最后，通过切割将半导体衬底(10)切断分离为半导体芯片(10A)。
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公开(公告)号：CN1307327C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN01112376.1
申请日：2001-02-28
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 三洋电机株式会社
Inventor： 龟山工次郎
Abstract: 由于环境保护的要求，需要无铅的软钎料电镀。为了适应这种需求，提供了简便的无铅的软钎料电镀方法。将导电部件21依次浸渍在第1电镀液和第2电镀液中，施加不同金属材料的2层电镀膜22和23，所述的第1电镀液和第2电镀液，除了金属材料及溶解这些金属材料的酸性溶剂以外，形成相同的液构成。由此实现不需要水洗用液槽而且容易进行电镀液的浓度管理的电镀方法。
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公开(公告)号：CN1779960A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510118098.1
申请日：2005-10-25
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/10 , H01L24/12 , H01L2224/0231 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/13022 , H01L2224/16 , H01L2924/01078 , H01L2924/04941
Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。在半导体衬底(10)的表面上介由第一绝缘膜(11)形成第一焊盘电极层(12)。然后，在它们的上层形成具有将第一焊盘电极层(12)局部露出的第一通孔(101)的第二绝缘膜(13)。然后，在第一通孔(101)内形成塞(14)，在第二绝缘膜(13)上形成与该塞(14)连接的第二焊盘电极层(15)。然后，形成与第二通孔(102)底部的焊盘电极(12)连接的贯通电极(20)及第二配线层(21)。再形成保护层(22)、导电端子(23)。最后，通过进行切割，将半导体衬底(10)切断分离成半导体芯片(10)。
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公开(公告)号：CN1591787A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410061698.4
申请日：2004-06-30
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/301 , H01L21/304 , B24D5/00
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/4842 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/3107 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2221/68331 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种切削方法及其切削装置，可有效地除去毛刺。该切削方法用于切削半导体器件组的边界部而分离成各个半导体器件，其中，半导体器件组由将具有延展性的第一层和第二层叠层在周边侧的半导体器件排列多个而构成，该方法包括：切削工序，将第一旋转体从所述半导体器件组的边界部向所述第一和所述第二层的叠层方向移动，并切削所述第一和所述第二层；以及毛刺除去工序，将与所述第一旋转体相比为软质并且宽度在其同等以上的第二旋转体从所述半导体器件组的已被切削的边界部向所述叠层方向移动，以除去所述第一层中的毛刺。
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