公开(公告)号：CN100550194C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610005919.5

申请日：2006-01-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  境直史 ,  山田光一 ,  松下重治

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种和制造工艺的差异无关，在数据读取时，可以抑制读取电压变小的存储器。此存储器包括：电荷蓄积机构；第1场效应型晶体管；数据判断装置。然后，第1场效应型晶体管的控制端子和剩余的一个端子之间的电压被设定为利用第1场效应型晶体管的阈值电压，第1场效应型晶体管为导通状态和截止状态的临界状态附近的截止状态。

公开(公告)号：CN100461298C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200510106359.8

申请日：2005-09-22

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/406 ,  G11C11/407

CPC classification number: G11C11/406 ,  G11C11/40603 ,  G11C2211/4061 ,  G11C2211/4067

Abstract: 本发明提供一种能够进行更新动作，而不会增加消耗电流的存储器。该存储器具备：存储数据的多个存储器单元；将在进行通常存取动作时从外部所输入的对应于上述存储器单元的第1地址信号，延迟给定的期间并输出的延迟电路；输出与进行数据的更新动作的存储器单元相对应的第2地址信号的更新控制电路；以及切换延迟电路所输出的第1地址信号，与更新控制电路所输出的第2地址信号并输出的切换电路。

公开(公告)号：CN101089992A

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200710110081.0

申请日：2007-06-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明

IPC: G11C11/406

Abstract: 一种存储器，包括；访问控制部，其基于外部访问动作进行内部访问动作；刷新控制部，其进行刷新动作；刷新分割控制部，其将刷新动作分割为读出动作和再次写入动作；和地址判定部，其判定作为刷新动作的对象的地址、与作为刷新动作中进行的外部访问动作的对象的地址是否一致。

公开(公告)号：CN101047024A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710088480.1

申请日：2007-03-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明

IPC: G11C11/22 ,  G11C7/12

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 本发明提供一种存储器，该存储器具备在位线及字线的交叉位置上配置的存储器单元。因而，读出存储器单元的数据时所进行的读出动作、第一再写入动作及第二再写入动作，通过将针对位线及字线的施加电压转变为对应于各动作的施加电压来使其开始，在读出存储器单元的数据之际所进行的各动作在转移时，将针对位线及字线的施加电压从转移前的动作所对应的施加电压直接转变为转移后的动作所对应的施加电压。从而可获得能够高速动作(运作)的存储器。

公开(公告)号：CN1936855A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610154335.4

申请日：2006-09-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  松下重治 ,  冈田伸一郎

IPC: G06F11/14 ,  G06F11/16 ,  G06F12/16

Abstract: 一种即使在数据处理中电源断开也能可靠地防止数据丢失的控制装置。该控制装置具备：易失性存储器，其暂时存储装置中使用的数据；和非易失性存储器，其保持易失性存储器的数据，在发生向易失性存储器的写入时，将与写入到该易失性存储器的数据相同的数据也写入到非易失性存储器中。

公开(公告)号：CN1832345A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200510134105.7

申请日：2005-12-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明

IPC: H03K3/356 ,  G11C19/28

CPC classification number: G11C19/00 ,  G11C19/28 ,  H03K3/012 ,  H03K3/0372

Abstract: 双稳态多谐振荡器电路包括具有第一和第二倒相电路的第一门闩电路。而且，在第一门闩电路上连接能把供给电位切换为使第一和第二倒相电路的输出节点电位为固定状态时供给的固定用电位、使第一和第二倒相电路的输出节点为浮动状态时供给的浮动用电位的第一电源线。提供抑制消耗电流的增大，而且能抑制电路规模的增大的双稳态多谐振荡器电路。

公开(公告)号：CN1825475A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005919.5

申请日：2006-01-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  境直史 ,  山田光一 ,  松下重治

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种和制造工艺的差异无关，在数据读取时，可以抑制读取电压变小的存储器。此存储器包括：电荷蓄积机构；第1场效应型晶体管；数据判断装置。然后，第1场效应型晶体管的控制端子和剩余的一个端子之间的电压被设定为利用第1场效应型晶体管的阀值电压，第1场效应型晶体管为导通状态和截止状态的临界状态附近的截止状态时的阀值电压。

公开(公告)号：CN102143808A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200980134502.0

申请日：2009-08-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  宍田佳谦 ,  本间运也

IPC: B06B1/14 ,  H02K33/16 ,  H04M1/00 ,  B06B1/04

CPC classification number: B06B1/045 ,  G06F3/016 ,  H02K33/16

Abstract: 本发明提供一种能够实现薄型化的线性电动机及具备线性电动机的携带式设备。在该线性电动机(100)中，涡卷状的线圈(141)具有第一部分(141a、141b)和第二部分(141c、141d)，由流过第一部分的电流产生的磁场的磁通的大小比由流过第二部分的电流产生的磁场的磁通的大小大。

公开(公告)号：CN100595843C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200610121356.6

申请日：2006-08-22

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  松下重治

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/21

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 本发明提供一种存储器。该存储器备有：非易失性的存储器单元和对存储器单元进行重新写入用的更新部。而且，更新部在电源下降时对存储器单元进行读出及重新写入。由此，可以得到能够抑制由积累的干扰而导致的存储器单元的数据消失的存储器。

公开(公告)号：CN100587837C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200710002032.5

申请日：2007-01-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C2029/5002

Abstract: 一种存储器，能够一边抑制印迹的发生，一边抑制电路规模的增大，同时抑制用于原存取所需期间的变短，且抑制消耗电力的增大。该存储器，具备用于对存储单元的存取次数进行检测的第1次数检测机构，用于对每个存储单元块的存储次数进行检测的第2次数检测机构，对发生印迹的非存取次数进行检测的第3次数检测机构。