公开(公告)号：CN106188504A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510409508.1

申请日：2015-07-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 南沇希 ,  金昇炫 ,  权孝英 ,  金瑆焕 ,  南宫烂 ,  文秀贤 ,  豆米尼阿·拉特维 ,  宋炫知 ,  郑铉日 ,  许柳美

IPC: C08G61/12 ,  C08G65/00 ,  G03F7/09 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明提供一种聚合物、包含所述聚合物的有机层组合物、由所述有机层组合物制成的有机层以及使用所述有机层组合物形成图案的方法。所述聚合物包含用化学式1表示的部分，所述化学式1的定义与具体实施方式中所定义的相同。所述聚合物同时确保抗蚀刻性和平面化特征。

公开(公告)号：CN105885018A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510795893.8

申请日：2015-11-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 南宫烂 ,  权孝英 ,  金昇炫 ,  豆米尼阿·拉特维 ,  文秀贤 ,  郑铉日 ,  许柳美

IPC: C08G61/12 ,  C08L65/00 ,  H01L21/027 ,  G03F1/56

CPC classification number: C08G12/00 ,  C08G12/26 ,  C08G61/124 ,  C08G73/0672 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3424 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0271 ,  C08L65/00 ,  G03F1/56 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明提供一种包含由化学式1表示的部分的聚合物、一种包含所述聚合物的有机层组成物、一种由所述有机层组成物制成的有机层以及一种使用所述有机层组成物形成图案的方法。本发明的聚合物具有良好的膜密度、抗蚀刻性以及可溶性。

公开(公告)号：CN112666794B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202011093850.2

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  南宫烂 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组合物和使用其来形成图案的方法，半导体光致抗蚀剂组合物包含有机金属化合物和溶剂，有机金属化合物包含由化学式1到化学式3表示的化合物中的至少一种。化学式1到化学式3的细节如详细描述中所定义。[化学式1]#imgabs0#[化学式2]#imgabs1#[化学式3]#imgabs2#

公开(公告)号：CN111856879B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202010357520.3

申请日：2020-04-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金宰贤 ,  文京守 ,  蔡承龙 ,  南宫烂 ,  韩承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开一种半导体光致抗蚀剂组合物以及使用其形成图案的方法，所述半导体光致抗蚀剂组合物包含由化学式1表示的有机金属化合物、由化学式2表示的有机金属化合物及溶剂。化学式1及化学式2的细节如在详细说明中所定义。#imgabs0#

公开(公告)号：CN113655689B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202110510318.4

申请日：2021-05-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 韩承 ,  金宰贤 ,  文京守 ,  禹昌秀 ,  蔡承龙 ,  南宫烂 ,  田桓承

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开一种半导体光刻胶组合物和一种使用其形成图案的方法，半导体光刻胶组合物包含(A)有机金属化合物、(B)具有在25℃下小于或等于约1.0mmHg的蒸气压和约3到约5的pKa的有机酸以及(C)溶剂。

公开(公告)号：CN115685674A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210845633.7

申请日：2022-07-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔有廷 ,  权纯亨 ,  金旼秀 ,  金圣振 ,  白载烈 ,  阵和英 ,  南宫烂 ,  朴贤 ,  宋大锡

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开一种抗蚀剂底层组合物，所述抗蚀剂底层组合物包含：聚合物，包含主链、侧链或包含在环中包含两个或大于两个氮原子的杂环的主链和侧链；化合物，包含由化学式1表示的部分；以及溶剂；以及一种使用抗蚀剂底层组合物形成图案的方法：化学式1的定义与实施方式中所描述的相同。[化学式1]

公开(公告)号：CN112666794A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011093850.2

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文京守 ,  姜恩美 ,  金宰贤 ,  金智敏 ,  南宫烂 ,  禹昌秀 ,  田桓承 ,  蔡承龙 ,  韩承

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种半导体光致抗蚀剂组合物和使用其来形成图案的方法，半导体光致抗蚀剂组合物包含有机金属化合物和溶剂，有机金属化合物包含由化学式1到化学式3表示的化合物中的至少一种。化学式1到化学式3的细节如详细描述中所定义。[化学式1]，[化学式2]，[化学式3]。

公开(公告)号：CN107337776B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201610899626.X

申请日：2016-10-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 权孝英 ,  南宫烂 ,  豆米尼阿·拉特维 ,  郑铉日

IPC: C08G14/02 ,  C08G14/09 ,  C08G14/04 ,  C09D161/34 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明提供一种聚合物、有机层组成物以及形成图案的方法，包含由化学式1表示的结构单元的聚合物，和包含所述聚合物的有机层组成物，以及形成图案的方法。本发明提供的聚合物具有极好的抗蚀刻性同时具有良好溶解度特征。化学式1与具体实施方式中所定义的相同。

公开(公告)号：CN106046696B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201510919487.8

申请日：2015-12-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴裕信 ,  金润俊 ,  金兑镐 ,  朴惟廷 ,  崔有廷 ,  权孝英 ,  金昇炫 ,  南宫烂 ,  豆米尼阿·拉特维 ,  文秀贤 ,  宋炫知 ,  郑铉日 ,  许柳美

IPC: C08L65/00 ,  C08G61/12 ,  G03F7/00

Abstract: 一种有机层组合物包含：包含由化学式1表示的部分的聚合物、由化学式2表示的单体以及溶剂，还提供一种由所述有机层组合物制造的有机层，和一种使用所述有机层组合物形成图案的方法。所述有机层组合物可以提供同时确保耐蚀刻性、耐热性以及平坦化特征的有机层。化学式1和化学式2的定义与具体实施方式中相同。[化学式1][化学式2]

公开(公告)号：CN106084159A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610183382.5

申请日：2016-03-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 文秀贤 ,  权孝英 ,  南宫烂 ,  南沇希 ,  宋炫知

IPC: C08G8/04 ,  G03F1/46 ,  G03F1/48

Abstract: 本发明是关于一种聚合物、有机层组合物以及形成图案的方法。所述聚合物包含由化学式1表示的第一部分和包含经取代或未经取代的C6至C60环基、经取代或未经取代的C6至C60杂环基或其组合的第二部分。本发明的聚合物具有良好的溶解度特征以及极好的耐蚀刻性。[化学式1]