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公开(公告)号:CN106336372B
公开(公告)日:2019-09-24
申请号:CN201610457786.9
申请日:2016-06-22
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C07D209/12 , C07D209/60 , C07D209/86 , C07D311/82 , C07D333/56 , G03F1/46 , G03F1/56
Abstract: 本发明提供一种单体、包含所述单体的有机层组合物、使用所述有机层组合物制造的有机层以及使用所述有机层组合物形成图案的方法。本发明的单体由化学式1表示,化学式1与具体实施方式中所定义的相同。本发明的单体具有良好的溶解度特征以及优良的耐蚀刻性和耐热性,使用所述单体制造的有机层具有优良的机械特征和膜表面平整度。[化学式1]
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公开(公告)号:CN105575775B
公开(公告)日:2019-08-13
申请号:CN201510426921.9
申请日:2015-07-20
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 金旼秀 , 宋炫知 , 姜善惠 , 金成旻 , 金瑆焕 , 金永珉 , 金润俊 , 金惠廷 , 南沇希 , 白载烈 , 尹星莉 , 尹龙云 , 李忠宪 , 郑瑟基 , 赵妍熹 , 洪承希 , 黄善民 , 黄元宗 , 李松世 , 金命九 , 刘奈莉
IPC: H01L21/027 , H01L21/308 , G03F1/46 , G03F1/76 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种层结构及制造其的方法、形成图案的方法以及半导体装置,其中,制造层结构的方法包含通过将包含第一有机化合物的第一组合物涂覆到具有多个图案的衬底上形成第一有机层(S1);将溶剂涂覆到第一有机层上以去除第一有机层的一部分(S2);以及将包含第二有机化合物的第二组合物涂覆到其中的一部分被去除的第一有机层上并且经由固化过程形成第二有机层(S3);从而可制造具有卓越平坦化特征的层结构,且无需单独的回蚀刻制程或化学机械抛光制程。
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公开(公告)号:CN109478015B
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN201680087729.4
申请日:2016-10-18
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G03F7/004 , H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/324 , H01L21/02 , C08L65/00
Abstract: 本发明揭示一种有机层组成物及使用有机层组成物的图案形成方法,有机层组成物包含:聚合物,包含由化学式1表示的结构单元;添加剂,在作为含芳族环化合物的结构中包含经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的乙烯基、经取代或未经取代的乙炔基、叠氮基及腈基中的至少一者;以及溶剂。化学式1与在说明书中所定义的相同。本发明因包含预定聚合物及预定添加剂而在以旋涂方法进行涂布的同时具有提高的耐蚀刻性的有机层组成物。由有机层组成物制造的有机层具有提高的膜密度及膜平坦度。
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公开(公告)号:CN105713512B
公开(公告)日:2019-06-11
申请号:CN201510591897.4
申请日:2015-09-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16
CPC classification number: C09D183/14 , C08G77/54 , C08G77/62 , C08K5/01 , C09D183/16
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置。本发明的用于形成二氧化硅类层的组成物包括含硅化合物和一或多种类别的溶剂。所述含硅化合物包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。并且,所述组成物具有小于或等于0.13的浊度增加率。本发明可以提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化硅类层的组成物。
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公开(公告)号:CN108431691A
公开(公告)日:2018-08-21
申请号:CN201680072484.8
申请日:2016-09-22
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明揭示一种有机膜组合物及使用所述有机膜组合物形成图案的方法,有机膜组合物包含有包含由化学式1表示的结构单元的聚合物、由化学式2表示的添加剂以及溶剂。化学式1及化学式2与实施方式中所定义相同。
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公开(公告)号:CN105575775A
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201510426921.9
申请日:2015-07-20
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor: 金旼秀 , 宋炫知 , 姜善惠 , 金成旻 , 金瑆焕 , 金永珉 , 金润俊 , 金惠廷 , 南沇希 , 白载烈 , 尹星莉 , 尹龙云 , 李忠宪 , 郑瑟基 , 赵妍熹 , 洪承希 , 黄善民 , 黄元宗 , 李松世 , 金命九 , 刘奈莉
IPC: H01L21/027 , H01L21/308 , G03F1/46 , G03F1/76 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种层结构及制造其的方法、形成图案的方法以及半导体装置,其中,制造层结构的方法包含通过将包含第一有机化合物的第一组合物涂覆到具有多个图案的衬底上形成第一有机层(S1);将溶剂涂覆到第一有机层上以去除第一有机层的一部分(S2);以及将包含第二有机化合物的第二组合物涂覆到其中的一部分被去除的第一有机层上并且经由固化过程形成第二有机层(S3);从而可制造具有卓越平坦化特征的层结构,且无需单独的回蚀刻制程或化学机械抛光制程。
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