公开(公告)号：CN107034028A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611111478.7

申请日：2016-12-02

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 姜仁求 ,  金圣培 ,  崔百洵 ,  金秀莲 ,  洪荣泽 ,  金相泰 ,  李京浩 ,  洪亨杓 ,  金成民

IPC: C11D1/62 ,  C11D3/28 ,  C11D3/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: C09D9/005 ,  B32B37/0046 ,  B32B43/006 ,  B32B2383/00 ,  B32B2457/14 ,  C09D9/04 ,  C09J183/04 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  C11D1/62 ,  C11D3/28 ,  C11D3/323 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02057

Abstract: 本文中公开用于除去有机硅树脂的组合物、使用其薄化基材和制造半导体封装体的方法及使用其的系统。更特别地，本文中公开的是用于除去有机硅树脂的组合物，所述组合物包括杂环溶剂和由式(R)4N+F‑表示的氟化烷基铵盐，其中R为C1‑C4直链烷基。通过使用所述组合物可有效地除去有机硅树脂，因为所述组合物对于在半导体基材的背面研磨、背面电极形成等工艺中残留在半导体基材上的有机硅树脂呈现优异的分解速率。

公开(公告)号：CN106992113A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710009776.3

申请日：2017-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟洙 ,  崔三宗 ,  金秀莲 ,  具泰亨 ,  朱炫姬 ,  金清俊 ,  俞智原

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明公开了半导体晶片、半导体结构及制造半导体晶片的方法。该半导体晶片包括：包含彼此相对的第一和第二表面的主体；包含在外周上的凹陷的凹口；沿主体的外周形成的第一倒角区域，第一倒角区域包括第一斜坡，第一斜坡连接第一和第二表面并且相对于从第一表面和第一斜坡交汇的第一点到第二表面和第一斜坡交汇的第二点延伸的直线具有第一高度；以及与凹陷或开口接触的第二倒角区域，第二倒角区域包括第二斜坡，第二斜坡连接第一和第二表面并且相对于从第一表面和第二斜坡交汇的第三点到第二表面和第二斜坡交汇的第四点延伸的直线具有不同于第一高度的第二高度。

公开(公告)号：CN100384753C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN01135848.3

申请日：1998-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承彦 ,  吴允哲 ,  金秀莲 ,  黄正性

IPC: C02F1/50 ,  C02F1/32 ,  C02F1/44

CPC classification number: A61L2/186 ,  A01N37/16 ,  B01D65/022 ,  B01D2321/08 ,  B01D2321/162 ,  B01D2321/343 ,  C02F1/32 ,  C02F1/444 ,  C02F1/50 ,  C02F1/722 ,  C02F2103/04 ,  Y10S210/90 ,  A01N2300/00

Abstract: 这里提供了一种由过氧化氢，过乙酸和去离子水混合组成的杀菌组合物，一种用该杀菌组合物和热水对超纯水传输系统进行灭菌的灭菌方法，以及一种用于半导体元件制造过程中的超纯水传输系统，该传输系统是用本发明的杀菌组合物和热水进行灭菌的。对超纯水传输系统进行灭菌的方法所包括的步骤有：用热水对超纯水传输系统的OR-终端过滤器和MB-终端过滤器进行灭菌的步骤(热水灭菌步骤)，以及循环含有杀菌剂的去离子水以对所述超纯水传输系统进行灭菌。(杀菌剂灭菌步骤)。