三维半导体器件
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112599531A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202011474031.2

    申请日:2016-04-01

    Abstract: 本发明公开了一种三维半导体器件,该三维半导体器件包括:在基板上的电极结构,该基板包括第一区和第二区,该电极结构包括顺序地层叠在基板上的接地选择电极、单元电极和串选择电极,其中接地选择电极、单元电极和串选择电极分别包括接地选择焊盘、单元焊盘和串选择焊盘,该接地选择焊盘、该单元焊盘和该串选择焊盘在基板的第二区中限定阶梯结构;穿透每个单元焊盘和在每个单元焊盘下面的电极结构的一部分的多个虚设柱;和电连接到每个单元焊盘的单元接触插塞,其中每个虚设柱穿透在相邻的单元焊盘之间的边界,以及其中相邻的单元焊盘共用虚设柱。

    多待便携式终端
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101715247A

    公开(公告)日:2010-05-26

    申请号:CN200910204901.1

    申请日:2009-10-09

    CPC classification number: H04B1/005 H04B1/525

    Abstract: 提供一种多待便携式终端。多待便携式终端通过使其它天线的电磁波偏斜来减少发送天线的干扰。所述终端包括:多个通信模块,用于向多个RF通信网络发送不同频带的RF信号和从多个RF通信网络接收不同频带的RF信号。控制器控制所述多个通信模块经由与选择的RF通信网络相应的通信模块连接到用户选择的RF通信网络。控制器控制与选择的RF通信网络相应的通信模块的操作,以辐射与选择的RF通信网络的频带相应的电磁波,并且控制剩余通信模块的操作,以辐射与各个相应RF通信网络的频带不同的频带的电磁波。

    半导体存储器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN109037210B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN201810600087.4

    申请日:2018-06-12

    Abstract: 本申请提供了一种半导体存储器件和制造半导体存储器件的方法。所述半导体存储器件包括:体导电层,其包括单元阵列部分和外围电路部分;电极结构,其位于所述体导电层的所述单元阵列部分上;垂直结构,其贯穿所述电极结构;残余衬底,其位于所述体导电层的所述外围电路部分上;以及连接导电图案,其贯穿所述残余衬底。所述电极结构包括在彼此上方层叠的多个电极。所述垂直结构连接到所述体导电层的所述单元阵列部分。所述连接导电图案连接到所述体导电层的外围电路部分。

    竖直存储器装置
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108022929A

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201711064262.4

    申请日:2017-11-02

    Abstract: 本发明公开了一种竖直存储器装置。该竖直存储器装置包括衬底,衬底具有单元阵列区和位于单元阵列区的外部的连接区。栅电极层堆叠在衬底的单元阵列区和连接区上,在连接区中形成台阶结构。沟道结构布置在单元阵列区中,在垂直于衬底的上表面的方向上延伸,同时穿过栅电极层。伪沟道结构布置在连接区中,与沟道结构在相同的方向上延伸,同时穿过形成台阶结构的栅电极层。第一半导体图案布置在沟道结构下方,并且第二半导体图案布置在伪沟道结构下方。第一半导体图案和第二半导体图案包括多晶半导体材料。

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