公开(公告)号：CN116600562A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310109454.1

申请日：2023-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安浚爀 ,  金成禹 ,  李明东 ,  崔珉豪

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：基板，包括单元区和沿着单元区的周边的外围区；单元区隔离层，在基板中沿着单元区的周边并限定单元区；单元导电线，在单元区上并包括在单元区隔离层上的侧壁；外围栅极导电层，在外围区上并包括在单元区隔离层上的侧壁；以及隔离绝缘层，在单元区隔离层上与单元导电线的侧壁和外围栅极导电层的侧壁接触。

公开(公告)号：CN112310080A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010434497.3

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昊柱 ,  金硕炫 ,  金永埈 ,  朴晋亨 ,  李蕙兰 ,  金奉秀 ,  金成禹

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种制造半导体存储器件的方法包括：在衬底上形成在第一水平方向上延伸的位线结构以及覆盖每个位线结构的相反侧壁的绝缘间隔物结构；形成初始掩埋接触材料层和模制层以分别填充在一对绝缘间隔物结构之间的空间的下部和上部；将模制层和初始掩埋接触材料层图案化为在第一水平方向上彼此间隔开的模制图案和在第一水平方向上彼此间隔开的掩埋接触；在彼此分隔的模制图案之间以及在彼此分隔的掩埋接触之间形成绝缘围栏；去除模制图案以暴露掩埋接触；以及在暴露的掩埋接触上形成落着焊盘，每个落着焊盘连接到暴露的掩埋接触中的对应一个。

公开(公告)号：CN109285857A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201810691309.8

申请日：2018-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成禹 ,  金奉秀 ,  金英培 ,  许基宰 ,  高宽协 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L27/22 ,  H01L27/24

Abstract: 一种半导体装置包括：彼此紧挨着地设置在衬底上的第一存储器部、第一外围电路部和第二外围电路部；以及与所述第一存储器部横向地隔开的第二存储器部，所述第二外围电路部和所述第二存储器部彼此紧挨着地设置在所述衬底上，其中，所述第一存储器部包括多个第一存储单元，每个所述第一存储单元包括单元晶体管和连接到所述单元晶体管的电容器，所述第二存储器部包括多个第二存储单元，每个所述第二存储单元包括彼此串联连接的可变电阻元件和选择元件，其中，所述第二存储单元距离所述衬底比每个所述电容器高。

公开(公告)号：CN109256377A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810769672.7

申请日：2018-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成禹 ,  金奉秀 ,  金英培 ,  许基宰 ,  高宽协 ,  洪亨善 ,  黄有商

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/108 ,  H01L45/00

Abstract: 一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一存储部分、第一周边电路部分和第二周边电路部分；以及堆叠在第二周边电路部分上的第二存储部分和布线部分，其中第一存储部分包括多个第一存储单元，第一存储单元的每个包括单元晶体管和连接到单元晶体管的电容器，第二存储部分包括多个第二存储单元，第二存储单元的每个包括彼此串联联接的可变电阻元件和选择元件，布线部分包括多个线图案，其中线图案和第二存储单元相对于衬底高于电容器。

公开(公告)号：CN108133936A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201711234913.X

申请日：2017-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成禹 ,  李宰圭 ,  徐基皙 ,  洪亨善 ,  黄有商 ,  高宽协

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/22 ,  G11C11/406 ,  G11C11/408

CPC classification number: G11C14/0036 ,  G11C7/10 ,  G11C11/005 ,  G11C14/0045 ,  G11C14/0081 ,  G11C14/009 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4236 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1608 ,  H01L27/10805 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/4087

Abstract: 本发明提供一种集成电路(IC)器件和制造该IC器件的方法，其中该IC器件可以包括包含单个芯片的单个基板以及在基板上互相间隔开并且具有不同结构的多个存储单元。制造IC器件可以包括在基板的第一区域中形成多条第一字线以及在基板的第二区域中或者第二区域上形成多条第二字线。多个电容器可以形成在第一字线上。多条源极线可以形成在第二字线上。覆盖所述多个电容器和所述多条源极线的绝缘层可以形成在第一区域和第二区域中。可变电阻结构可以形成在第二区域中的与基板的上表面间隔开第一垂直距离的位置处。