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公开(公告)号：CN108735748A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810374094.7
申请日：2018-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/11551
Abstract: 一种三维半导体器件包括：顺序堆叠在基板上的栅电极；穿过栅电极并且连接到基板的沟道结构；绝缘间隙填充图案，提供在沟道结构内并且当在俯视图中看时被沟道结构围绕；以及导电图案，在绝缘间隙填充图案上。绝缘间隙填充图案的至少一部分被接收在导电图案中，并且导电图案的至少一部分插设在绝缘间隙填充图案的所述至少一部分和沟道结构之间。
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公开(公告)号：CN106716638A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201480082144.4
申请日：2014-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578
Abstract: 本发明构思提供了半导体存储器件及其制造方法。所述半导体存储器件可以包括：多个栅极，竖直地堆叠在基底上；竖直沟道，填充竖直地贯穿所述多个栅极的沟道孔；存储层，在沟道的内侧壁上竖直地延伸。竖直沟道可以包括：下沟道，填充沟道孔的下部区域并电连接至基底；上沟道，填充沟道孔的上部区域并接触下沟道。上沟道可以在沟道孔的上部区域中沿存储层和下沟道延伸并且可以具有均匀的厚度。
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公开(公告)号：CN118284043A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311265062.0
申请日：2023-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底；外围电路结构，包括集成在半导体衬底上的外围电路和连接到外围电路的第一接合焊盘；以及单元阵列结构，包括接合到第一接合焊盘的第二接合焊盘。单元阵列结构包括：分离结构，在第一方向上延伸；堆叠，设置在分离结构之间；源极导电图案，设置在堆叠上；竖直结构，穿透堆叠，并且连接到源极导电图案；以及反射结构，与源极导电图案竖直地间隔开，并且与分离结构重叠。堆叠包括竖直且交替地堆叠在彼此的顶部上的层间绝缘层和栅极图案。
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公开(公告)号：CN118234230A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311080489.3
申请日：2023-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。该半导体装置可以包括：栅极堆叠体，包括交替地堆叠在彼此顶部上的绝缘图案和导电图案；存储器沟道结构，穿透栅极堆叠体；选择线结构，在栅极堆叠体上；以及选择沟道结构，穿透选择线结构。存储器沟道结构包括绝缘覆盖层、包围绝缘覆盖层的存储器沟道层以及包围存储器沟道层的存储器层。选择沟道结构可以包括电连接到存储器沟道层的选择沟道层和包围选择沟道层的选择绝缘结构。选择沟道层可以包括在存储器沟道结构上的连接部和在连接部上的柱部，连接部中的晶粒的平均尺寸可以小于柱部中的晶粒的平均尺寸。
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公开(公告)号：CN110010613B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201811493187.8
申请日：2018-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/27
Abstract: 一种三维半导体存储器件，包括：电极结构，其包括垂直堆叠在半导体层上的电极；垂直半导体图案，其穿透电极结构并连接到半导体层；以及垂直绝缘图案，其在电极结构与垂直半导体图案之间。垂直绝缘图案包括在电极结构的侧壁上的侧壁部分以及沿着半导体层的顶表面的一部分从侧壁部分延伸的突起。垂直半导体图案包括：垂直沟道部分，其具有第一厚度并沿着垂直绝缘图案的侧壁部分延伸；以及接触部分，其从垂直沟道部分延伸并沿着垂直绝缘图案的突起和半导体层的顶表面共形地延伸。接触部分具有大于第一厚度的第二厚度。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN113451327A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110012743.0
申请日：2021-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L27/11568
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有单元阵列区域和连接区域；电极结构，包括堆叠在基底上的电极并且在连接区域上具有阶梯结构；垂直沟道结构，位于单元阵列区域上以穿透电极结构并且电连接到基底；虚设结构，位于连接区域上以穿透阶梯结构；以及第一侧壁氧化物图案，置于基底与虚设结构之间。虚设结构包括位于基底上的上部分、与第一侧壁氧化物图案接触的中间部分以及位于中间部分下方的下部分。随着距上部分的垂直距离增大，中间部分的直径减小直到中间部分的直径达到其最小值，然后增大。
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公开(公告)号：CN108807409B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201810386342.X
申请日：2018-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11526 , H01L27/11521 , H01L27/11578 , H01L27/11573 , H01L27/11568
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其可包括衬底、包含堆叠在衬底上的电极的电极结构、穿透至少部分电极结构的上部半导体图案以及位于衬底与上部半导体图案之间的下部半导体图案。上部半导体图案包含间隙填充部分以及从间隙填充部分在远离衬底的方向上延伸的侧壁部分，下部半导体图案包含凹形顶部表面，间隙填充部分填充由凹形顶部表面所包封的区域，间隙填充部分的顶部表面具有朝向衬底变形的圆形形状，且侧壁部分的厚度小于间隙填充部分的厚度。
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公开(公告)号：CN108807409A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810386342.X
申请日：2018-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11526 , H01L27/11521 , H01L27/11578 , H01L27/11573 , H01L27/11568
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其可包括衬底、包含堆叠在衬底上的电极的电极结构、穿透至少部分电极结构的上部半导体图案以及位于衬底与上部半导体图案之间的下部半导体图案。上部半导体图案包含间隙填充部分以及从间隙填充部分在远离衬底的方向上延伸的侧壁部分，下部半导体图案包含凹形顶部表面，间隙填充部分填充由凹形顶部表面所包封的区域，间隙填充部分的顶部表面具有朝向衬底变形的圆形形状，且侧壁部分的厚度小于间隙填充部分的厚度。
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公开(公告)号：CN107768446A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710722606.X
申请日：2017-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/0653 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/402 , H01L29/408 , H01L29/7827 , H01L29/0684 , H01L29/1037 , H01L29/42356 , H01L29/42364
Abstract: 一种半导体器件可以包括：交替堆叠在衬底上的栅电极和层间绝缘层、穿透栅电极和层间绝缘层的沟道层、在栅电极与沟道层之间的栅极电介质层、填充沟道层的内部的至少一部分的填充绝缘体、在沟道层与填充绝缘体之间并且包括高k材料和/或金属的电荷固定层、以及连接到沟道层并在填充绝缘体上的导电焊盘。导电焊盘可以与电荷固定层物理分离。
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