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公开(公告)号：CN104344184B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201410374268.1
申请日：2014-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F16M11/38
CPC classification number: F16M11/38 , F16M13/00 , G06F1/16 , G06F1/1632
Abstract: 在此公开了一种便携式可折叠支架。后板可旋转地结合到前板，以使后板能够从前板展开。支撑机构位于前板和后板之间，其中，支撑机构的第一端铰接到支承单元，支承单元被构造为使电子装置支撑在支承单元上。当前板和后板旋转到倾斜角度时，支承单元从前板的一侧突出。
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公开(公告)号：CN118338674A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410038026.9
申请日：2024-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件可以包括基板，该基板包括绝缘基板。半导体层在基板上。有源图案在半导体层上。位线设置在绝缘基板中。位线沿着平行于基板的底表面的第一方向延伸。掩埋节点接触在垂直于基板的底表面的方向上穿透半导体层。字线在平行于基板的底表面并与第一方向交叉的第二方向上穿透有源图案。有源图案可以通过掩埋节点接触连接到位线。掩埋节点接触的顶表面可以高于有源图案的底表面。
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公开(公告)号：CN115936981A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210921491.8
申请日：2022-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一些示例实施例涉及一种超分辨率扫描电子显微镜(SEM)图像实现装置和/或其方法。提供了一种超分辨率扫描电子显微镜(SEM)图像实现装置，其包括处理器，处理器被配置为裁剪低分辨率SEM图像以生成第一裁剪图像和第二裁剪图像，放大第一裁剪图像和第二裁剪图像以生成第一放大图像和第二放大图像，并且从第一放大图像和第二放大图像中消除噪声以生成第一噪声消除图像和第二噪声消除图像。
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公开(公告)号：CN114725065A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111203504.X
申请日：2021-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L27/108
Abstract: 公开了一种半导体存储装置。所述半导体存储装置可以包括具有数据存储器件的数据存储层、设置在所述数据存储层上的互连层以及设置在所述数据存储层和所述互连层之间的选择元件层。所述互连层可以包括在第一方向上延伸的位线。所述选择元件层可以包括单元晶体管，所述单元晶体管连接在所述数据存储器件之一和所述位线之一之间，并且所述单元晶体管可以包括有源图案和字线，所述字线与所述有源图案交叉并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN114664830A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111445439.1
申请日：2021-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了性能和可靠性改善的半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：导电线，所述导电线在衬底上在第一方向上延伸；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包括在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的单元沟槽，并且位于所述衬底上；第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极和所述第二栅电极在所述第一方向上彼此间隔开并且均在所述第二方向上延伸，并且位于所述单元沟槽内部；沟道层，所述沟道层位于所述单元沟槽内部并电连接到所述导电线，并且位于所述第一栅电极和所述第二栅电极上；以及栅极绝缘层，所述栅极绝缘层介于所述第一栅电极和所述沟道层之间以及所述第二栅电极和所述沟道层之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114446990A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111276609.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11578 , H01L27/11568
Abstract: 提供一种具有改善的电特性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：第一半导体图案，其在第一方向上与衬底分离；第一栅极结构，其在第一方向上延伸并穿透第一半导体图案；第一导电连接线，其连接至第一半导体图案并在不同于第一方向的第二方向上延伸；以及第二导电连接线，其连接至第一半导体图案。第一栅极结构位于第一导电连接线和第二导电连接线之间，第一栅极结构包括第一栅电极和第一栅极绝缘膜，且第一栅极绝缘膜包括与第一半导体图案接触的第一电荷保持膜。
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公开(公告)号：CN114300453A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110819494.6
申请日：2021-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 根据本发明构思的半导体存储器装置包括：半导体基底；共源极半导体层，掺杂有第一导电类型的杂质，位于半导体基底上；多个绝缘层和多个字线结构，交替堆叠在共源极半导体层上；存储器单元介电层，穿透所述多个绝缘层和所述多个字线结构，并且覆盖在竖直方向上延伸的沟道孔的内壁；以及存储器单元结构，填充沟道孔。存储器单元结构包括沟道层和漏极层，在沟道层上设置有存储器单元介电层，沟道层填充沟道孔的至少一部分，并且漏极层覆盖沟道层的上表面，掺杂有第二导电类型的杂质，并填充沟道孔的上部的一部分。
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公开(公告)号：CN1889819A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200510128983.8
申请日：2005-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金一权
CPC classification number: E05D7/1077 , E05D11/1014 , E05D11/105 , E05F1/1083 , E05Y2201/638 , E05Y2900/606 , Y10T16/53615
Abstract: 一种门铰链装置，包括被固定至设备的主体且在外表面的一侧上具有阻尼凸起的铰轴和具有与铰轴外表面相接合的轴杆接合孔的连接件。轴杆接合孔包括具有相对应于铰轴外直径的内直径的保持部分和具有比铰轴外直径大的内直径且环绕阻尼凸起的阻尼部分。阻尼部分包括门关闭时与阻尼凸起分离的分离部分和门打开时接触阻尼凸起的接触部分。门铰链装置可阻止门被打开或关闭时撞击或振动，并且具有简化的结构。
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