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公开(公告)号：CN112950530A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011253287.0
申请日：2020-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储包括图像生成模型的程序代码的非暂时性计算机可读介质，该程序代码在被执行时使处理器：将包括晶片的多个半导体管芯中的一些的采样数据的输入数据输入到图像生成模型的生成器网络，并且输出指示所述多个半导体管芯的晶片图；以及将从生成器网络输出的晶片图输入到图像生成模型的鉴别器网络并鉴别晶片图。
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公开(公告)号：CN110852983A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910501571.6
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于检测半导体装置中的缺陷的方法包括：使用从第一数据集提取的采样的干净数据集对预训练卷积神经网络(CNN)模型进行预训练；使用第一数据集的第一数据和预训练CNN模型来训练正常CNN模型和标签噪声CNN模型。所述方法还包括：使用第二数据集的第二数据和正常CNN模型输出关于第二数据是好还是坏的第一预测结果；使用第二数据和标签噪声CNN模型输出关于第二数据是好还是坏的第二预测结果。将第一预测结果与第二预测结果进行比较，以在存在标签差异时执行噪声校正。将作为噪声校正的结果创建的第三数据添加到采样的干净数据集。使用添加了第三数据的采样的干净数据集对正常CNN模型和标签噪声CNN模型进行附加地训练。
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公开(公告)号：CN110796258A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910700351.6
申请日：2019-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N20/00
Abstract: 提供了用于基于元学习来选择机器学习的模型的方法和设备。一种选择机器学习的模型的方法，所述机器学习由处理器执行。所述方法包括：接收至少一个数据集；为所述至少一个数据集的机器学习配置配置空间；从所述至少一个数据集中提取包括与所述至少一个数据集的数量信息相关的元特征；基于所述配置空间中包括的多个配置来计算所述至少一个数据集的所述机器学习的性能；基于所述元特征、所述多个配置和所计算出的性能来执行元学习；以及基于执行所述元学习的结果来优化所述配置空间。
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公开(公告)号：CN101106174B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200710104174.2
申请日：2007-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2013/0078
Abstract: 本发明涉及用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件。根据一个实施例，包括第一晶相的至少部分相变材料被转变为晶相和非晶相之一。与第一晶相相比，第二晶相更容易转变为非晶相。例如，第一晶相可以是六边形闭合密集结构，以及第一晶相可以是面心立方结构。
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公开(公告)号：CN100479219C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋胤宗 , 黄荣南 , 南相敦 , 赵性来 , 高宽协 , 李忠满 , 具奉珍 , 河龙湖 , 李秀渊 , 郑椙旭 , 李智惠 , 柳庚昶 , 李世昊 , 安洙珍 , 朴淳五 , 李将银
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1702883A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋胤宗 , 黄荣南 , 南相敦 , 赵性来 , 高宽协 , 李忠满 , 具奉珍 , 河龙湖 , 李秀渊 , 郑椙旭 , 李智惠 , 柳庚昶 , 李世昊 , 安洙珍 , 朴淳五 , 李将银
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
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公开(公告)号：CN115936981A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210921491.8
申请日：2022-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一些示例实施例涉及一种超分辨率扫描电子显微镜(SEM)图像实现装置和/或其方法。提供了一种超分辨率扫描电子显微镜(SEM)图像实现装置，其包括处理器，处理器被配置为裁剪低分辨率SEM图像以生成第一裁剪图像和第二裁剪图像，放大第一裁剪图像和第二裁剪图像以生成第一放大图像和第二放大图像，并且从第一放大图像和第二放大图像中消除噪声以生成第一噪声消除图像和第二噪声消除图像。
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公开(公告)号：CN112418431A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010842150.2
申请日：2020-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于包括机器学习模型和基于规则的模型的混合模型的方法，包括通过向基于规则的模型提供第一输入从基于规则的模型中获得第一输出，以及通过将第一输入、第二输入和获得的第一输出提供给机器学习模型从机器学习模型中获得第二输出。所述方法还包括基于获得的第二输出的误差来训练机器学习模型。
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公开(公告)号：CN106847876A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611087672.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823878 , H01L27/0207 , H01L27/0924 , H01L29/0649 , H01L29/785 , H01L29/7854 , H01L29/7855 , H01L29/42356
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开，并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。
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公开(公告)号：CN100559605C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200610172083.8
申请日：2006-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 一种相变随机存取存储器(PRAM)器件，包括：硫族材料的化合物元件，该硫族材料的化合物元件包括能够基于加热电流的应用而呈现晶体状态或非晶状态的材料。第一接触，连接到硫族材料的化合物元件的第一区域，并具有第一横截面。第二接触，连接到硫族材料的化合物元件的第二区域，并具有第二横截面。硫族材料的化合物材料的第一可编程体积限定在硫族材料的化合物元件的第一区域中，第一可编程体积的状态可以根据与第一接触相关联的阻抗来编程。硫族材料的化合物材料的第二可编程体积限定在硫族材料的化合物元件的第二区域中，第二可编程体积的状态可以根据与第二接触相关联的第二阻抗来编程。
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