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公开(公告)号：CN101106174B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200710104174.2
申请日：2007-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2013/0078
Abstract: 本发明涉及用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件。根据一个实施例，包括第一晶相的至少部分相变材料被转变为晶相和非晶相之一。与第一晶相相比，第二晶相更容易转变为非晶相。例如，第一晶相可以是六边形闭合密集结构，以及第一晶相可以是面心立方结构。
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公开(公告)号：CN1734671B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200510077929.5
申请日：2005-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/419 , G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092
Abstract: 本发明提供了一种相变存储器设备，其包含多个相变存储器单元和被配置为输出多个连续复位脉冲的复位脉冲生成电路。每个连续复位脉冲被输出到多条复位线中的相应一条。多个写驱动器电路连接到相应的相变存储器单元以及复位脉冲生成电路中的一条相应复位线。本发明还提供了一种使用连续复位控制信号编程相变存储器设备的方法。
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公开(公告)号：CN1456959A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN03108181.9
申请日：2003-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/49575 , H01L2224/48091 , H01L2225/06527 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于在安装导线框架的上表面和下表面组装两个相同的半导体芯片以形成一个倒装芯片封装的倒装芯片接口电路，其至少包括彼此以镜面对称方式对称形成在芯片上的第一和第二地址焊盘以及第一和第二绑定选择焊盘。第一和第二地址焊盘输入有用于选择第一和第二半导体芯片的操作的信号。第一和第二输入焊盘选择及芯片选择信号响应由芯片的第一和第二地址焊盘及第一和第二绑定选择焊盘得到的信号而输出，第一和第二半导体芯片选择信号响应第一和第二输入焊盘和芯片选择信号而输出，接口使能信号响应第一和第二半导体芯片选择信号而输出。
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公开(公告)号：CN116564367A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310059220.0
申请日：2023-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/02 , G11C7/18 , G11C8/14 , H01L23/488 , H10B80/00
Abstract: 在一些实施例中，一种非易失性存储器件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。所述第一半导体芯片包括存储单元阵列、第一上接合焊盘、第二上接合焊盘以及位于所述第一上接合焊盘与所述第二上接合焊盘之间的上虚设接合焊盘。所述第二半导体芯片在垂直方向上耦接到所述第一半导体芯片，并且包括第一下接合焊盘、第二下接合焊盘、下虚设接合焊盘以及耦接到所述第一下接合焊盘和所述第二下接合焊盘的外围电路。所述第一接合焊盘被配置为在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间传输第一电压。所述第二接合焊盘被配置为在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间传输第二电压。
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公开(公告)号：CN101004947A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610064301.6
申请日：2006-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092 , G11C2213/72 , G11C2213/79
Abstract: 一种相变存储器件包括：具有相变材料的存储单元；将逐级下降的置位电流提供给存储单元的写驱动器，其中逐级下降的置位电流包括多级连续减小的电流幅值；和控制写驱动器提供逐级下降的置位电流的持续时间的置位编程控制电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1885432A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610094100.0
申请日：2006-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C7/12 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C2213/72
Abstract: 相变存储器器件具有字线驱动器布局，以允许减小所述器件核心区域的尺寸。一方面，相变存储器器件包括多个共享字线的存储器单元块，和驱动所述字线的多个字线驱动器。每个字线驱动器包括用于预充电字线的预充电器件和用于放电所述字线的放电器件，和其中，所述预充电器件和放电器件被交替地设置在所述多个存储器单元块之间。
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公开(公告)号：CN1811988A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610005029.4
申请日：2006-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4197 , G11C11/409 , G11C11/56 , G11C16/02
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/72
Abstract: 提供了一种在数据写入操作期间偏置存储单元阵列的方法和一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元，其中，存储单元的第一端连接到多条第一线中的对应第一线，且存储单元的第二端连接到多条第二线中的对应第二线；以及偏置电路，用于将选择的第二线偏置到第一电压，并且将未被选择的第二线偏置到第二电压。
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公开(公告)号：CN1697082A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510071683.0
申请日：2005-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C2013/0078 , G11C2013/0088 , G11C2013/0092
Abstract: 一种编程相变型存储器阵列的方法和一种相变型存储器件的电路，所述阵列和存储器件都具有多个相变型存储单元，该方法和器件可以使其中所有的相变型存储单元被改变或者设置为置位电阻状态，并且可以减少将该相变型存储器阵列改变为置位电阻状态所需的时间。在这个方法中，可以将具有第一到第n等级的置位电流脉冲施加于该阵列的单元以将这些单元改变为置位电阻状态。按任何等级的施加于相变型存储单元的置位电流脉冲的最小电流电平可以高于该阵列的单元的基准电流电平。置位电流脉冲的指定电流电平可以按顺序逐个等级减小。
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公开(公告)号：CN117529112A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310499117.8
申请日：2023-05-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/27 , H10B43/35 , H10B43/50 , H10B43/40 , H10B43/10 , H10B41/27 , H10B41/35 , H10B41/41 , H10B41/50 , H10B41/10 , G11C16/08 , G11C16/24 , G11C5/06 , G11C5/02
Abstract: 一种非易失性存储器件包括第一半导体层和第二半导体层。第一半导体层包括：存储单元，电连接到位线和字线，每一条位线沿第一方向延伸，每一条字线沿第二方向延伸并沿竖直方向堆叠；字线焊盘，分别对应于字线并以阶梯形布置；以及字线接触部，分别电连接到字线焊盘。第二半导体层包括：传输晶体管，分别电连接到字线接触部以在竖直方向上分别与字线焊盘重叠。每一个字线焊盘具有在第一方向上的第一宽度和在第二方向上的第二宽度。每一个传输晶体管具有在第一方向上的第一间距和在第二方向上的第二间距。
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公开(公告)号：CN116564384A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310087213.1
申请日：2023-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/04 , G11C16/06 , H01L23/488 , H10B80/00
Abstract: 在一些实施例中，一种非易失性存储器件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。所述第一半导体芯片包括栅电极、沟道结构、多个单元接触插塞、线性金属图案和多个上接合焊盘。所述第二半导体芯片包括多个下接合焊盘、与所述沟道结构交叠的第一外围电路元件、与所述多个单元接触插塞交叠的第二外围电路元件以及与所述多个单元接触插塞交叠的第三外围电路元件。所述外围电路元件耦接到对应的单元接触插塞。所述第二上接合焊盘和所述第三上接合焊盘在所述第一方向上的宽度彼此不同，并且所述第二下接合焊盘和所述第三下接合焊盘在所述第一方向上的宽度彼此不同。
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