公开(公告)号：CN1964050B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200610075345.9

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东彻 ,  柳寅儆 ,  李明宰 ,  徐顺爱 ,  白寅圭 ,  安承彦 ,  朴炳昊 ,  车映官 ,  朴祥珍

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。

公开(公告)号：CN101086968B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200610166770.9

申请日：2006-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林赫 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  车映官

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种制造底栅薄膜晶体管的方法，其中相对简单容易地形成具有大的晶粒尺寸的多晶硅沟道区。该方法包括：在衬底上形成底栅电极；在所述衬底上形成栅极绝缘层以覆盖所述底栅电极；在所述栅极绝缘层上依次形成非晶半导体层、N型半导体层和电极层；依次蚀刻形成在所述底栅电极上的电极区和N型半导体层区以暴露非晶半导体层区；使用激光退火法熔化所述非晶半导体层区；和结晶所述熔化的非晶半导体层区以形成侧向生长的多晶硅沟道区。

公开(公告)号：CN101064345A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610149433.9

申请日：2006-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰徹 ,  朴永洙 ,  车映官

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括：衬底；沟道，形成于该衬底上；源欧姆层和漏欧姆层，形成于该沟道的两端上；栅绝缘体，覆盖该源欧姆层和漏欧姆层以及该沟道；栅，形成于该栅绝缘体上；ILD(层间电介质)层，覆盖该栅；源电极和漏电极，通过形成于该ILD层以及该栅绝缘体内的接触孔而接触该源欧姆层和漏欧姆层；以及钝化层，覆盖该源电极和漏电极。

公开(公告)号：CN1828945A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610004241.9

申请日：2006-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车映官 ,  柳寅儆 ,  郑守桓

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/42332 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/7882

Abstract: 本发明公开了一种具有富硅氧化物层的存储器件及其制造方法。所述具有富硅氧化物层的存储器件包括半导体结构、形成在所述半导体衬底上的源极/漏极区、和形成在所述半导体衬底上的栅结构。所述栅结构与所述源极/漏极区接触并包括具有比二氧化硅层(SiO2)大的硅组分的氧化物层。

公开(公告)号：CN101086968A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200610166770.9

申请日：2006-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林赫 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  车映官

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种制造底栅薄膜晶体管的方法，其中相对简单容易地形成具有大的晶粒尺寸的多晶硅沟道区。该方法包括：在衬底上形成底栅电极；在所述衬底上形成栅极绝缘层以覆盖所述底栅电极；在所述栅极绝缘层上依次形成非晶半导体层、N型半导体层和电极层；依次蚀刻形成在所述底栅电极上的电极区和N型半导体层区以暴露非晶半导体层区；使用激光退火法熔化所述非晶半导体层区；和结晶所述熔化的非晶半导体层区以形成侧向生长的多晶硅沟道区。

公开(公告)号：CN101034590A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710087705.1

申请日：2007-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴祥珍 ,  朴永洙 ,  申尚旻 ,  车映官

IPC: G11C16/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/792

CPC classification number: G11C16/0416 ,  B82Y10/00 ,  G11C2216/06 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种存储器件及其操作方法。示范性方法涉及对存储器件进行存储操作的方法，且可以包括在存储器件的编程操作期间对存储器件施加负偏压且在存储器件的擦除操作期间对存储器件施加正偏压。示范性存储器件包括基板和形成于基板上的栅极结构，该栅极结构表现出在负偏压下比在正偏压下更快的平带电压偏移，该栅极结构在存储器件的编程期间接收负偏压，且在存储器件的擦除操作期间接收正偏压。

公开(公告)号：CN101017853A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610126357.X

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴祥珍 ,  车映官 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  崔石镐

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7882 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种具有电荷俘获层的非易失性存储器件，所述电荷俘获层包括其中压倒性发生空穴俘获的第一俘获层和其中压倒性发生电子俘获的第二俘获层。该非易失性存储器件可根据应用的偏压产生大的平带电压间隔，因为平带电压范围一致地分布在正和负电压上。因此，可以实现非常稳定的多电平单元。

公开(公告)号：CN1964050A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610075345.9

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东彻 ,  柳寅儆 ,  李明宰 ,  徐顺爱 ,  白寅圭 ,  安承彦 ,  朴炳昊 ,  车映官 ,  朴祥珍

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。

公开(公告)号：CN1925184A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610125682.4

申请日：2006-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东彻 ,  白寅圭 ,  车映官 ,  李文淑 ,  朴祥珍

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 本发明公开了一种非易失存储器件及其制造方法。包括由电阻转换材料形成的氧化物层的非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上由过渡金属形成的纳米线层；所述氧化物层，包括过渡金属氧化物且形成于所述纳米线层上；以及形成于所述氧化物层上的上电极。根据本发明，通过在氧化物层上使电流路径一致可以稳定复位电流。

公开(公告)号：CN1925166A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610092400.5

申请日：2006-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张柱韩 ,  姜东勋 ,  车映官 ,  朴玩濬

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L27/12 ,  H01L21/82 ,  G11C13/02

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C23/00 ,  G11C2213/16 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/842

Abstract: 本发明公开了一种纳米弹性存储装置及其制造方法。所述纳米弹性存储装置包括：基底；布置在所述基底上的多个下电极；支承单元，在具有暴露所述下电极的空腔的基底上以预定厚度由绝缘材料形成；纳米弹性体，在所述空腔中从所述下电极的表面竖直延伸；和多个上电极，形成于所述支承单元上，并且在所述纳米弹性体上面与所述下电极垂直交叉。使用纳米弹性存储装置可以在比使用多个带型纳米管的传统存储装置低的驱动电压下运行，存储单元不相互影响，可靠性更高，集成度更高。