公开(公告)号：CN100573897C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610092400.5

申请日：2006-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张柱韩 ,  姜东勋 ,  车映官 ,  朴玩濬

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L27/12 ,  H01L21/82 ,  G11C13/02

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C23/00 ,  G11C2213/16 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/842

Abstract: 本发明公开了一种纳米弹性存储装置及其制造方法。所述纳米弹性存储装置包括：基底；布置在所述基底上的多个下电极；支承单元，在具有暴露所述下电极的空腔的基底上以预定厚度由绝缘材料形成；纳米弹性体，在所述空腔中从所述下电极的表面竖直延伸；和多个上电极，形成于所述支承单元上，并且在所述纳米弹性体上面与所述下电极垂直交叉。使用纳米弹性存储装置可以在比使用多个带型纳米管的传统存储装置低的驱动电压下运行，存储单元不相互影响，可靠性更高，集成度更高。

公开(公告)号：CN1925166A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610092400.5

申请日：2006-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张柱韩 ,  姜东勋 ,  车映官 ,  朴玩濬

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/10 ,  H01L27/12 ,  H01L21/82 ,  G11C13/02

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C23/00 ,  G11C2213/16 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/842

Abstract: 本发明公开了一种纳米弹性存储装置及其制造方法。所述纳米弹性存储装置包括：基底；布置在所述基底上的多个下电极；支承单元，在具有暴露所述下电极的空腔的基底上以预定厚度由绝缘材料形成；纳米弹性体，在所述空腔中从所述下电极的表面竖直延伸；和多个上电极，形成于所述支承单元上，并且在所述纳米弹性体上面与所述下电极垂直交叉。使用纳米弹性存储装置可以在比使用多个带型纳米管的传统存储装置低的驱动电压下运行，存储单元不相互影响，可靠性更高，集成度更高。