公开(公告)号：CN1964050B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200610075345.9

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东彻 ,  柳寅儆 ,  李明宰 ,  徐顺爱 ,  白寅圭 ,  安承彦 ,  朴炳昊 ,  车映官 ,  朴祥珍

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。

公开(公告)号：CN1964050A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610075345.9

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东彻 ,  柳寅儆 ,  李明宰 ,  徐顺爱 ,  白寅圭 ,  安承彦 ,  朴炳昊 ,  车映官 ,  朴祥珍

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。

公开(公告)号：CN1913191A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610110772.6

申请日：2006-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  金惠英 ,  朴炳昊 ,  尹浈斌 ,  金裕善

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641

Abstract: 本发明提供了一种减小并稳定复位电流的存储器件的制造方法。所述存储器件包括由电阻变化材料组成的氧化层，用于稳定复位电流，所述方法包括：在下结构上形成下电极和氧化层；和将电子束或离子束照射到所述氧化层的一区域上。减小并稳定了本发明的存储器件的复位电流。