公开(公告)号：CN101064345B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200610149433.9

申请日：2006-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰徹 ,  朴永洙 ,  车映官

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括：衬底；沟道，形成于该衬底上；源欧姆层和漏欧姆层，形成于该沟道的两端上；热氧化层，形成于所述源欧姆层和漏欧姆层之间的沟道的表面上；栅绝缘体，覆盖该源欧姆层和漏欧姆层以及该热氧化层；栅，形成于该栅绝缘体上；ILD(层间电介质)层，覆盖该栅；源电极和漏电极，通过形成于该ILD层以及该栅绝缘体内的接触孔而接触该源欧姆层和漏欧姆层；以及钝化层，覆盖该源电极和漏电极。

公开(公告)号：CN101064345A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610149433.9

申请日：2006-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰徹 ,  朴永洙 ,  车映官

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括：衬底；沟道，形成于该衬底上；源欧姆层和漏欧姆层，形成于该沟道的两端上；栅绝缘体，覆盖该源欧姆层和漏欧姆层以及该沟道；栅，形成于该栅绝缘体上；ILD(层间电介质)层，覆盖该栅；源电极和漏电极，通过形成于该ILD层以及该栅绝缘体内的接触孔而接触该源欧姆层和漏欧姆层；以及钝化层，覆盖该源电极和漏电极。