公开(公告)号：CN101135840A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200610142919.X

申请日：2006-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  赵汉九 ,  李昔柱 ,  吕起成 ,  高次元 ,  丁成坤

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/0337

Abstract: 在形成掩模结构的方法中，在衬底上形成第一掩模，第一掩模包括具有多个掩模图形部分的第一掩模图形和具有边角部分的第二掩模图形，该多个掩模图形部分在其间具有开口，该边角部分的内侧壁是弯曲的。在第一掩模上形成牺牲层。在该牺牲层上形成硬掩模层。在部分地除去硬掩模层，直到邻近于边角部分的牺牲层被露出之后，由除去牺牲层之后的空间中剩下的硬掩模层形成第二掩模。在衬底上可以容易地形成具有精细结构的微小图形。

公开(公告)号：CN1507034A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310120429.6

申请日：2003-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴昌敏 ,  李重泫 ,  赵汉九 ,  朴俊洙

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91 ,  Y10S438/942

Abstract: 提供制造具有接触体的半导体器件的方法，接触体在位线方向延伸，以增加接触体和存储电极之间的接触面积。在一个方面，方法包括在半导体衬底上形成栅极线，形成覆盖栅极线的第一绝缘层，形成第一接触焊盘和第二接触焊盘，通过贯穿第一绝缘层电连接到栅极线之间的半导体衬底。而且，形成覆盖第一接触焊盘和第二接触焊盘的第二绝缘层，形成跨越栅极线的位线并通过贯穿第二绝缘层电连接到第二接触焊盘。此外，形成覆盖位线的第三绝缘层，并有选择地刻蚀，以形成与位线交叉并露出第一接触焊盘的带型开口。