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公开(公告)号：CN110021333A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811408051.2
申请日：2018-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00
Abstract: 提供了一种存储器装置和一种存储器系统，存储器装置包括存储器单元阵列、写/读电路、控制电路和反熔丝阵列。存储器单元阵列包括多个非易失性存储器单元。写/读电路执行写操作以将写数据写入存储器单元阵列的目标页，通过将从目标页读取的读数据与写数据比较来验证写操作，并且基于比较结果输出指示写操作的通过或失败之一的通过/失败信号。控制电路控制写/读电路并且响应于通过/失败信号选择性地输出目标页的访问地址作为失败地址。对失败地址编程的反熔丝阵列输出替代失败地址的修复地址。
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公开(公告)号：CN109872751B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201811375197.1
申请日：2018-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请提供了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括具有开关元件和连接至开关元件的数据存储元件的存储器单元，其中，数据存储元件具有相变材料；以及存储器控制器，其将第一读电流输入至存储器单元以检测第一读电压，将第二读电流输入至存储器单元以检测第二读电压，以及将补偿电流输入至存储器单元，其中补偿电流降低数据存储元件的电阻值，当存储器单元的第一状态与存储器单元的第二状态不同时输入补偿电流，利用第一读电压确定第一状态，并且利用第二读电压确定第二状态。
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公开(公告)号：CN112562760A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010979075.4
申请日：2020-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了一种存储器装置和一种存储器模块。存储器装置包括：存储器单元阵列，包括设置在多条字线和多条位线彼此交叉的区域中的多个存储器单元；行解码器，包括行开关并且被配置为对所述多条字线执行选择操作；列解码器，包括列开关并且被配置为对所述多条位线执行选择操作；以及控制逻辑，被配置为控制在数据读取操作中的字线预充电时段中将对被选字线执行的预充电操作，并且控制在位线预充电时段中将对被选位线执行的预充电操作，其中，连接到被选字线的行开关在位线预充电时段中被弱导通。
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公开(公告)号：CN112309463A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010376743.4
申请日：2020-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 存储器装置包括：存储单元阵列，其包括连接到多条字线和多条位线的多个存储单元；行控制电路，其包括与字线相对应的多个行开关；列控制电路，其包括与位线相对应的多个列开关；以及控制逻辑电路，其被配置为在数据读操作期间控制对所选择的存储单元的字线和位线的预充电操作并且在预充电时段之后执行控制操作以将该字线和该位线一起浮置。该字线和该位线中的一者在预充电时段之后浮置，并且该字线和该位线中的另一者在预充电时段之后伪浮置。
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公开(公告)号：CN112242165A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010445970.8
申请日：2020-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 林智薰 , 金钟律 , 罗太熙 , 文卡塔拉曼纳·甘加萨尼
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种存储器设备，包括：连接到字线和位线的存储单元、将字线驱动至预充电电平的行驱动器、将位线驱动至第一目标电平的列驱动器、在第一目标电平施加到存储单元之后感测字线的第一感测电平的感测放大器、和读取控制电路，读取控制电路根据感测放大器感测到的第一感测电平控制列驱动器，以便选择性地将不同于第一目标电平的第二目标电平施加到存储单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109872751A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201811375197.1
申请日：2018-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请提供了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括具有开关元件和连接至开关元件的数据存储元件的存储器单元，其中，数据存储元件具有相变材料；以及存储器控制器，其将第一读电流输入至存储器单元以检测第一读电压，将第二读电流输入至存储器单元以检测第二读电压，以及将补偿电流输入至存储器单元，其中补偿电流降低数据存储元件的电阻值，当存储器单元的第一状态与存储器单元的第二状态不同时输入补偿电流，利用第一读电压确定第一状态，并且利用第二读电压确定第二状态。
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公开(公告)号：CN111798900B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010253724.2
申请日：2020-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了存储器设备及用于操作存储器设备的方法。该存储器设备包括：连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元；解码器电路，包括将第一偏置电压输入到被选择的字线的第一偏置电路、将第二偏置电压输入到被选择的位线的第二偏置电路、连接到被选择的字线的第一开关元件、以及连接在第一开关元件和第一偏置电路之间的第二开关元件；以及控制逻辑，被配置为当在第二偏置电压被输入到被选择的位线之后经过预定的延迟时间时，控制第一开关元件和第二开关元件。控制逻辑在第二开关元件导通时关断第一开关元件。
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公开(公告)号：CN112216324B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202010337657.2
申请日：2020-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，其包括设置在字线与位线相交的点处的存储器单元；第一解码器电路，其确定位线之中的被选择的位线和未选择的位线；第二解码器电路，其确定字线之中的被选择的字线和未选择的字线；电流补偿电路，其提供电流路径，所述电流路径从被选择的字线汲取补偿电流以补偿未选择的位线中流动的截止电流；第一感测放大器，其将被选择的字线的电压与参考电压进行比较，并输出使能信号；以及第二感测放大器，其在存储器装置的读出操作模式下在由使能信号确定的操作时间期间输出被选择的字线的电压与参考电压之间的电压差。
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公开(公告)号：CN112289359A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010693865.6
申请日：2020-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置及操作该存储装置的方法。所述存储装置包括：多个存储单元，所述多个存储单元均包括开关器件和具有相变材料的存储器件；译码器电路，所述译码器电路包括：将第一偏置电压输入到连接到选定存储单元的选定字线第一偏置电路，将第二偏置电压输入到选定位线的第二偏置电路，连接在所述第一偏置电路和所述选定字线之间的第一选择开关器件和第一非选择开关器件，以及连接在相邻字线和所述第一偏置电路之间的第二选择开关器件和第二非选择开关器件；控制逻辑，顺序地断开所述第一选择开关器件和所述第二非选择开关器件；以及读出放大器，将所述选定字线的电压与参考电压进行比较，以确定读取操作的数据。
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公开(公告)号：CN111798900A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010253724.2
申请日：2020-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了存储器设备及用于操作存储器设备的方法。该存储器设备包括：连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元；解码器电路，包括将第一偏置电压输入到被选择的字线的第一偏置电路、将第二偏置电压输入到被选择的位线的第二偏置电路、连接到被选择的字线的第一开关元件、以及连接在第一开关元件和第一偏置电路之间的第二开关元件；以及控制逻辑，被配置为当在第二偏置电压被输入到被选择的位线之后经过预定的延迟时间时，控制第一开关元件和第二开关元件。控制逻辑在第二开关元件导通时关断第一开关元件。
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