公开(公告)号：CN1790750A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510124866.4

申请日：2005-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金湘甲 ,  金时烈 ,  朴弘植 ,  崔熙焕 ,  秦洪基 ,  吴旼锡

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 公开了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括在基板上的栅电极，在所述基板上的栅极绝缘层，沟道图案，源电极和漏电极。所述沟道图案包括：形成在所述栅电极上并覆盖所述栅电极的半导体图案；以及形成在所述半导体图案上并彼此隔开的第一和第二导电粘合图案。所述源电极包括顺序形成在所述第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案。所述漏电极包括顺序形成在所述第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。所述第一和第二导电粘合图案的蚀刻部分具有基本竖直的轮廓从而防止了源电极和漏电极的暴露，由此改善了薄膜晶体管的特性。

公开(公告)号：CN102609137A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210019583.3

申请日：2012-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕伦钟 ,  赵炳勋 ,  郑基勋 ,  秦洪基 ,  方廷硕 ,  金雄权 ,  金成烈 ,  金希骏 ,  金大哲 ,  韩根旭

IPC: G06F3/041

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  G06F2203/04103

Abstract: 本发明提供了触摸感应基板。该触摸感应基板包括基板、第一光感应元件、第二光感应元件和第一偏置线。第一光感应元件包括第一栅极电极、与第一栅极电极交叠的第一有源图案、与第一有源图案部分地交叠的第一源极电极以及与第一有源图案部分地交叠的第一漏极电极。第二光感应元件包括第二栅极电极、与第二栅极电极交叠的第二有源图案、与第二有源图案部分地交叠的第二源极电极以及与第二有源图案部分地交叠的第二漏极电极。第一偏置线连接到第一栅极电极和第二栅极电极。

公开(公告)号：CN101174555A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710194464.0

申请日：2007-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴旼锡 ,  金湘甲 ,  秦洪基 ,  丁有光 ,  崔升夏 ,  金基铉 ,  宋仁虎

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L27/1288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造薄膜晶体管基板的方法和使用该方法的制造系统，其中在制造薄膜晶体管基板的工艺期间减少了腐蚀性物质的产生。该方法包括提供蚀刻单元和其上已沉积有薄金属膜的绝缘基板，且干法蚀刻该绝缘基板以形成预定电路图案；为等待被清洁的该绝缘基板提供等待单元；在该绝缘基板等待时通过具有多个喷嘴的清洁单元执行初步清洁操作，且检查该初步清洁操作；以及基于检查结果对该绝缘基板执行主清洁操作。

公开(公告)号：CN101165882A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710167104.1

申请日：2007-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔升夏 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  崔新逸 ,  金大玉 ,  秦洪基 ,  丁荣镐 ,  丁有光

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管基板的制造方法，包括：在绝缘基板上顺序形成栅互连、栅绝缘层、有源层、用于数据互连的导电层、及包括第一区域和第二区域的光致抗蚀剂图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该导电层从而形成用于源/漏电极和数据线的导电层图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该有源层从而形成有源层图案；去除该光致抗蚀剂图案的第二区域；使用该光致抗蚀剂图案和蚀刻气体干法蚀刻该第二区域下的该用于源/漏电极的导电层图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该有源层图案的一部分；及使用反应副产物去除剂使得外力施加到该导电层图案的蚀刻气体和反应副产物而物理去除所述反应副产物。

公开(公告)号：CN101097928A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710126331.X

申请日：2007-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秦洪基 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  金周汉

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板以及该TFT阵列基板的制造方法，在所述TFT阵列基板中，在接触部分中提供了导电材料之间足够大的接触面积。所述TFT阵列基板包括设置在绝缘基板上的栅极互连线、覆盖所述栅极互连线的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上的半导体层、包括设置在所述半导体层上的数据线、源电极和漏电极的数据互连线、设置在所述数据互连线上并暴露所述漏电极的第一钝化膜、设置在所述第一钝化膜上的第二钝化膜、以及与所述漏电极电连接的像素电极。所述第二钝化膜的外侧壁位于所述第一钝化膜的外侧壁之内。

公开(公告)号：CN1897285A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610098474.X

申请日：2006-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金湘甲 ,  李禹根 ,  金时烈 ,  周振豪 ,  金彰洙 ,  皇甫尙佑 ,  吴旼锡 ,  柳慧英 ,  秦洪基

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成栅极线；在该栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触；在该欧姆接触上形成含Mo的第一导电膜、含Al的第二导电膜和含Mo的第三导电膜；在该第三导电膜上形成第一光刻胶图样；使用该第一光刻胶图样作为掩模，蚀刻第一、第二和第三导电膜、欧姆接触、以及半导体层；将该第一光刻胶图样除去预定厚度，以便形成第二光刻胶图样；使用该第二光刻胶图样作为掩模，蚀刻该第一、第二和第三导电膜，以便暴露欧姆接触的一部分；以及使用含Cl气体和含F气体蚀刻暴露的欧姆接触。

公开(公告)号：CN1897248A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610099328.9

申请日：2006-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秦洪基 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  丁有光

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76802

Abstract: 本发明涉及一种用于形成接触孔的方法，包括：在基板上形成导电层；将导电层图样化以形成布线；通过低温处理在布线和基板上形成绝缘层，以及利用缺氧气体对绝缘层进行干法蚀刻以暴露布线。

公开(公告)号：CN101431065B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200810174806.7

申请日：2008-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨东周 ,  崔新逸 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  秦洪基 ,  李基晔 ,  丁有光 ,  崔升夏

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L21/743 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供金属布线层及其制造方法。金属布线层的制造方法包括在衬底上形成电介质层，通过蚀刻部分电介质层而在所述衬底上形成多个电介质层图案和在电介质层图案中的孔，所述电介质层图案中的孔的横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小并且所述的孔暴露所述衬底，通过蚀刻经过电介质层图案中的孔所暴露的衬底的一部分而形成沟槽，并且形成填充所述沟槽和电介质层图案中的孔的金属层。由此，通过在电介质层图案中的多个横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小的孔中形成金属层，可以防止边缘堆积现象的发生。因此，可以防止液晶层的透光度由于不能适当填充所述液晶层中的液晶分子而降低，并且由此增加显示器的品质。

公开(公告)号：CN1790750B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200510124866.4

申请日：2005-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金湘甲 ,  金时烈 ,  朴弘植 ,  崔熙焕 ,  秦洪基 ,  吴旼锡

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、以及一种显示设备及其制造方法，该薄膜晶体管包括在基板上的栅电极、栅极绝缘层、沟道图案、源电极和漏电极。沟道图案包括：形成在栅电极上并覆盖栅电极的半导体图案；形成在半导体图案上并彼此隔开的第一和第二导电粘合图案。源电极包括顺序形成在第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案。漏电极包括顺序形成在第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案、第二覆盖图案、源极图案和漏极图案的端部包括倾斜的截面轮廓。第一和第二阻挡图案包括从钛、钽、钨和铬所构成的组中选取的金属，第一和第二覆盖图案包括从钼和钼合金所构成的组中选取的金属。

公开(公告)号：CN101881914A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010210445.4

申请日：2006-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  金湘甲 ,  秦洪基 ,  吴旼锡 ,  崔熙焕 ,  金时烈

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2202/02

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。