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公开(公告)号：CN1771595A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200580000195.9
申请日：2005-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/532 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供了一种制备接触部分的方法，其包括：在衬底(110)上形成第一信号线；形成绝缘层(140)，该绝缘层覆盖第一信号线并具有显露第一信号线的接触孔(182，185)；在第一信号线通过该接触孔显露的表面上形成接触层(700)；以及，形成经该接触层连接到第一信号线的第二信号线(82，190)。其中，第一信号线是由Al或Al合金制备，第二信号线是由氧化铟锌或氧化铟锌制备。
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公开(公告)号：CN101165882A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710167104.1
申请日：2007-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管基板的制造方法，包括：在绝缘基板上顺序形成栅互连、栅绝缘层、有源层、用于数据互连的导电层、及包括第一区域和第二区域的光致抗蚀剂图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该导电层从而形成用于源/漏电极和数据线的导电层图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该有源层从而形成有源层图案；去除该光致抗蚀剂图案的第二区域；使用该光致抗蚀剂图案和蚀刻气体干法蚀刻该第二区域下的该用于源/漏电极的导电层图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该有源层图案的一部分；及使用反应副产物去除剂使得外力施加到该导电层图案的蚀刻气体和反应副产物而物理去除所述反应副产物。
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公开(公告)号：CN101552225B
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200910007980.7
申请日：2005-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/84 , H01L23/532 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明公开了制备接触部分及薄膜晶体管阵列面板的方法。本发明提供一种制备接触部分的方法，其包括：在衬底(110)上形成第一信号线；形成绝缘层(140)，该绝缘层覆盖第一信号线并具有显露第一信号线的接触孔(182，185)；在第一信号线通过该接触孔显露的表面上形成接触层(700)；以及，形成经该接触层连接到第一信号线的第二信号线(82，190)。其中，第一信号线是由Al或Al合金制备，第二信号线是由氧化铟锌或氧化铟锌制备。
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公开(公告)号：CN101552225A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910007980.7
申请日：2005-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/84 , H01L23/532 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明公开了制备接触部分及薄膜晶体管阵列面板的方法。本发明提供一种制备接触部分的方法，其包括：在衬底(110)上形成第一信号线；形成绝缘层(140)，该绝缘层覆盖第一信号线并具有显露第一信号线的接触孔(182，185)；在第一信号线通过该接触孔显露的表面上形成接触层(700)；以及，形成经该接触层连接到第一信号线的第二信号线(82，190)。其中，第一信号线是由Al或Al合金制备，第二信号线是由氧化铟锌或氧化铟锌制备。
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