公开(公告)号：CN107464816A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710176184.0

申请日：2017-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申有哲 ,  金泰勋

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11556

Abstract: 在一个实施例中，半导体器件包括具有杂质区的衬底，并且衬底和杂质区具有不同的杂质特性。半导体器件还包括：在衬底上交替的第一层间绝缘层和栅电极层的堆叠；在所述堆叠上形成的至少一个第二层间绝缘层；在第二层间绝缘层上形成的多个位线；和在衬底上穿过所述堆叠形成的多个第一沟道结构。所述多个第一沟道结构电连接到所述多个位线中的相应位线。在杂质区上穿过所述堆叠形成多个第二沟道结构，并且所述多个第二沟道结构与所述多个位线电绝缘。

公开(公告)号：CN103490008B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201310226492.1

申请日：2013-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申有哲 ,  梁民圭

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明涉及一种三维电阻性随机存取存储器器件、其操作方法及其制造方法。半导体器件包括在水平方向上延伸的衬底。在衬底上存在着在相对于衬底的水平延伸方向的垂直方向上延伸的有源柱。在衬底上存在沿着有源柱在垂直方向上延伸的可变电阻性图案，可变电阻性图案的电阻响应于其氧化或还原而改变。栅极存在于有源柱的侧壁处。

公开(公告)号：CN103633043A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310370209.2

申请日：2013-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷东锡 ,  李宁浩 ,  李俊熙 ,  李锡元 ,  申有哲

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/498 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/441 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/2481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种三维半导体装置。所述装置可以包括顺序地堆叠在基板上以构成电极结构的电极。每个电极可以包括：连接部，从位于其上的一个电极的侧壁向外水平地突出；对齐部，具有与位于其上或其下的一个电极的侧壁共面的侧壁。这里，电极中的设置成彼此竖直邻近的至少两个电极可以以这样的方式设置，即，所述至少两个电极的对齐部具有基本对齐成彼此共面的侧壁。

公开(公告)号：CN101465353B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200810185638.1

申请日：2008-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛钟善 ,  申有哲 ,  沈载星

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/3468 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明提供一种利用虚拟存储单元改善电荷陷阱存储器阵列中的数据可靠性的非易失性存储器件。一种电荷陷阱闪速存储器件，包括闪速存储器阵列，该闪速存储器阵列中至少具有电荷陷阱存储单元的第一页面，该第一页面被电耦合至第一字线。所述电荷陷阱存储单元的第一页面包括多个可寻址存储单元和多个紧邻的不可寻址“虚拟”存储单元，其中，所述可寻址存储单元被配置为用来存储在读取操作期间待检索的数据，所述不可寻址虚拟存储单元被配置为用来存储在读取操作期间不可检索的虚拟数据。所述多个虚拟存储单元包括至少一个辅助虚拟存储单元，该辅助虚拟存储单元被用作抵抗所述阵列的电荷陷阱层中的侧孔传递的缓冲器。

公开(公告)号：CN110190056A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201811541111.8

申请日：2018-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田昌勋 ,  申有哲 ,  林浚熙 ,  白圣权 ,  李赞镐 ,  张源哲 ,  黄善劲

IPC: H01L27/105

Abstract: 一种半导体器件包括具有易失性存储区和非易失性存储区的基板。易失性存储区包括设置在基板中的单元电容器和连接到单元电容器的单元晶体管。非易失性存储区包括设置在基板上的多个非易失性存储单元。易失性存储区和非易失性存储区被并排设置。

公开(公告)号：CN104681561A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410696386.4

申请日：2014-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申有哲 ,  金泓秀 ,  沈载星

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11556 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供了一种三维半导体存储器器件。三维半导体存储器器件包括堆叠结构、垂直半导体图案、公共源极区以及阱拾取区。堆叠结构设置在第一导电类型的半导体层上。每个堆叠结构包括垂直地堆叠在彼此上的电极并在第一方向上延伸。垂直半导体图案穿过堆叠结构。第二导电类型的公共源极区设置在半导体层中。至少一个公共源极区设置在两个相邻的堆叠结构之间。至少一个公共源极区在第一方向上延伸。第一导电类型的阱拾取区设置在半导体层中。至少一个阱拾取区邻近至少一个堆叠结构的两端。

公开(公告)号：CN101465353A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810185638.1

申请日：2008-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛钟善 ,  申有哲 ,  沈载星

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/3468 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明提供一种利用虚拟存储单元改善电荷陷阱存储器阵列中的数据可靠性的非易失性存储器件。一种电荷陷阱闪速存储器件，包括闪速存储器阵列，该闪速存储器阵列中至少具有电荷陷阱存储单元的第一页面，该第一页面被电耦合至第一字线。所述电荷陷阱存储单元的第一页面包括多个可寻址存储单元和多个紧邻的不可寻址“虚拟”存储单元，其中，所述可寻址存储单元被配置为用来存储在读取操作期间待检索的数据，所述不可寻址虚拟存储单元被配置为用来存储在读取操作期间不可检索的虚拟数据。所述多个虚拟存储单元包括至少一个辅助虚拟存储单元，该辅助虚拟存储单元被用作抵抗所述阵列的电荷陷阱层中的侧孔传递的缓冲器。

公开(公告)号：CN1855512A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610073514.5

申请日：2006-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申有哲 ,  崔正达

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11568

Abstract: 提供了非易失性存储器件及其制造方法。提供了具有单元场区和高压场区的半导体衬底。在衬底上提供器件隔离膜。器件隔离膜限定衬底的有源区。在包括器件隔离膜的衬底的单元场区上提供单元栅绝缘膜和单元栅导电膜。在具有器件隔离膜的衬底的高压场区上提供高压栅绝缘膜和高压栅导电膜。衬底的高压场区上的器件隔离膜至少部分地凹陷以在其中提供沟槽。