-
公开(公告)号：CN110072069A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910052224.X
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器，包括：第一光电二极管；第一电路，所述第一电路包括连接到所述第一光电二极管的溢出晶体管和第一转移晶体管、连接到所述第一转移晶体管的开关元件以及设置在所述第一转移晶体管与所述开关元件之间的电容器，其中所述电容器是物理电容器；第二光电二极管；以及第二电路，所述第二电路包括连接到所述第二光电二极管的第二转移晶体管、连接到所述第一电路的输出的复位晶体管以及连接到所述第二转移晶体管和所述第一电路的输出的驱动晶体管。
-
公开(公告)号：CN103533636B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201310272327.X
申请日：2013-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开测量到对象的距离的方法和装置。为了通过将周期性的幅度调制的光信号照射到对象并检测照射的光信号和从对象发射的光信号之间的相位差来测量到对象上的多个点的距离，产生第一光电检测控制信号以控制光信号的照射。产生遮蔽信号以使遮蔽信号至少在用于复位感测节点（与前一帧的操作相关）的电压电平的快门持续时间期间激活。基于第一光电检测控制信号和遮蔽信号产生第二光电检测控制信号，以使第二光电检测控制信号至少在快门持续时间期间被禁用或遮蔽。
-
公开(公告)号：CN119630090A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411553199.0
申请日：2022-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10F39/18
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，包括第一表面和面向所述第一表面的第二表面；第一光电二极管，位于所述基板的第一区域中并且从入射在所述第一区域上的光生成光电荷；第二光电二极管，位于所述基板的第二区域中并且从入射在所述第二区域上的光生成光电荷；以及隔离结构，限定所述第一光电二极管所在的所述第一区域和所述第二光电二极管所在的所述第二区域，并且在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间延伸。所述第二区域的面积小于所述第一区域的面积，所述隔离结构的第一端与所述第二表面共面，并且所述隔离结构在垂直方向上从所述基板的所述第二表面朝向所述基板的所述第一表面延伸。
-
公开(公告)号：CN112118404A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010277632.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369
Abstract: 一种深度传感器包括：第一像素，包括多个第一光电晶体管，每第一光电晶体管接收第一光电栅极信号；第二像素，包括多个第二光电晶体管，每个第二光电晶体管接收第二光电栅极信号；第三像素，包括多个第三光电晶体管，每个第三光电晶体管接收第三光电栅极信号；第四像素，包括多个第四光电晶体管，每个第四光电晶体管接收第四光电栅极信号；以及光电转换元件，由多个第一至第四光电晶体管中的第一至第四光电晶体管共享。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112083439A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010221083.2
申请日：2020-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01S17/894
Abstract: 公开了一种包括像素的深度传感器。所述像素包括：光电晶体管；第一转移晶体管，连接到所述光电晶体管；第一浮动扩散区域，连接到所述第一转移晶体管；第二转移晶体管，连接到所述光电晶体管；存储元件，连接到所述第二转移晶体管；第三转移晶体管，连接到所述存储元件；以及第二浮动扩散区域，连接到所述第三转移晶体管。
-
公开(公告)号：CN106341628B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201610529683.9
申请日：2016-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 像素电路包括第一光电荷累积器，包括被配置为长时间段暴露于光的至少两个光电二极管，以及第二光电荷累积器，包括被配置为短时间段暴露于光的至少一个光电二极管。像素电路包括第一传输控制器，将在第一光电荷累积器中累积的光电荷传输到浮置扩散区域，以及第二传输控制器，将在第二光电荷累积器中累积的光电荷传输到浮置扩散区域。像素电路包括驱动晶体管，根据传输到浮置扩散区域的光电荷产生像素信号。第一光电荷累积器的光电二极管的数量大于第二光电荷累积器的光电二极管的数量。
-
公开(公告)号：CN106341628A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610529683.9
申请日：2016-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N5/37457 , H04N5/23245 , H04N5/35563 , H04N5/367 , H04N5/35536 , H04N5/378
Abstract: 像素电路包括第一光电荷累积器，包括被配置为长时间段暴露于光的至少两个光电二极管，以及第二光电荷累积器，包括被配置为短时间段暴露于光的至少一个光电二极管。像素电路包括第一传输控制器，将在第一光电荷累积器中累积的光电荷传输到浮置扩散区域，以及第二传输控制器，将在第二光电荷累积器中累积的光电荷传输到浮置扩散区域。像素电路包括驱动晶体管，根据传输到浮置扩散区域的光电荷产生像素信号。第一光电荷累积器的光电二极管的数量大于第二光电荷累积器的光电二极管的数量。
-
公开(公告)号：CN104051483A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410053535.5
申请日：2014-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14641
Abstract: 提供了一种深度像素和包括该深度像素的三维图像传感器。所述深度像素包括光检测区、第一光栅极、第二光栅极、第一浮动扩散区和第二浮动扩散区。光检测区基于由对象反射的光来收集光电荷。收集到的光电荷基于在光检测区中的内电场在第一方向和与第一方向不同的第二方向上漂移。第一光栅极响应于第一光控制信号而被激活。如果第一光栅极被激活，则第一浮动扩散区积累在第一方向上漂移的第一光电荷。第二光栅极响应于第一光控制信号而被激活。如果第二光栅极被激活，则第二浮动扩散区积累在第二方向上漂移的第二光电荷。
-
公开(公告)号：CN103533636A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310272327.X
申请日：2013-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开测量到对象的距离的方法和装置。为了通过将周期性的幅度调制的光信号照射到对象并检测照射的光信号和从对象发射的光信号之间的相位差来测量到对象上的多个点的距离，产生第一光电检测控制信号以控制光信号的照射。产生遮蔽信号以使遮蔽信号至少在用于复位感测节点（与前一帧的操作相关）的电压电平的快门持续时间期间激活。基于第一光电检测控制信号和遮蔽信号产生第二光电检测控制信号，以使第二光电检测控制信号至少在快门持续时间期间被禁用或遮蔽。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.03 seconds)
