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公开(公告)号：CN108336224A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810048406.5
申请日：2018-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/528 , H01L27/222 , H01L27/2481 , H01L43/08 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/00 , H01L27/24 , H01L45/12
Abstract: 本发明提供一种可变电阻存储器件，该可变电阻存储器件包括在基板的不同存储区域上的不同的可变电阻图案。不同的可变电阻图案可以在自基板起的不同高度处，并可以具有不同的固有性质。不同的可变电阻图案可以至少部分地包括每个被分别配置为用作非易失性存储单元或随机存取存储单元的单独的存储单元。
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公开(公告)号：CN107039579A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610900064.6
申请日：2016-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1653
Abstract: 一种半导体器件，其包括存储单元阵列，该存储单元阵列进一步包括第一磁性存储单元的阵列和第二磁性存储单元的阵列。第一磁性存储单元中的每一个包括具有可逆阻抗状态的第一磁隧道结结构，而第二磁性存储单元中的每一个包括具有单次可编程(OTP)阻抗状态的第二磁隧道结结构。
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公开(公告)号：CN101377955B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200810214917.6
申请日：2008-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/28 , G11C16/34 , G11C16/30 , G11C16/02 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C16/0433 , G11C16/26 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11529
Abstract: 本发明公开一种电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元及其形成和读取方法。在读取EEPROM单元中的数据的方法中，用于读取的位线电压被施加到包括存储器晶体管和选择晶体管的EEPROM单元。第一电压被施加到存储器晶体管的感测线。大于第一电压的第二电压被施加到选择晶体管的字线。将通过EEPROM单元的电流与预定的参考电流对比，以读取存储在EEPROM单元中的数据。EEPROM单元的单元接通电流在擦除状态中会增加，单元中的数据可以被容易地区分。
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公开(公告)号：CN101174636A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710153194.9
申请日：2007-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/522 , G11C16/02 , G11C16/10 , G11C16/08
CPC classification number: G11C16/0433 , G11C8/10 , G11C16/08 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11534
Abstract: 一种非易失性集成电路存储设备可以包括具有相同传导类型的第一电隔离阱和第二电隔离阱的半导体衬底。可以在第一阱上提供第一多个非易失性存储单元晶体管，并且可以在第二阱上提供第二多个非易失性存储单元晶体管。局部控制栅极线可以与第一多个非易失性存储单元晶体管和第二多个非易失性存储单元晶体管电耦接，并且组选择晶体管可以电耦接在局部控制栅极线和全局控制栅极线之间。更具体地说，组选择晶体管可被配置为响应于施加到该组选择晶体管栅极的组选择栅极信号而将局部控制栅极线和全局控制栅极线耦接和断开。还讨论了相关的方法和系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116206658A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211402963.5
申请日：2022-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器装置及其操作方法。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元，存储第一数据和第二数据中的一个，并且包括第一子存储器单元和第二子存储器单元，第一子存储器单元连接到第一字线和第一位线，第二子存储器单元连接到第二字线和第二位线；源极线，由第一子存储器单元和第二子存储器单元共享；以及感测放大器，连接到第一位线和第二位线，感测放大器读取存储在存储器单元中的数据。感测放大器从第一位线接收第一电流，从第二位线接收第二电流，并且通过将第一电流的幅度和第二电流的幅度进行比较来读取存储在存储器单元中的数据。响应于存储器单元存储第一数据，第一子存储器单元被编程，并且第二子存储器单元被擦除。
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公开(公告)号：CN115701636A
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202210831271.6
申请日：2022-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：第一位线，被配置为：供应第一位线偏置电压；存储器单元晶体管，具有第一操作电压；选择晶体管，具有第二操作电压并且被配置为：控制向存储器单元晶体管的源极供应第一位线偏置电压；和第二位线，连接到存储器单元晶体管的漏极。第一操作电压的电平大约等于第二操作电压的电平。
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公开(公告)号：CN115568221A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210769065.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/35 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/06
Abstract: 提供了一种半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：浮置栅极，设置在基底上；存储器栅极，设置在浮置栅极上；第一间隔件，设置在浮置栅极和存储器栅极的侧壁以及基底的上表面上；第二间隔件，设置在第一间隔件上；选择高k膜，设置在第一间隔件的位于基底与第二间隔件之间的侧壁的第一部分上；以及选择栅极，设置在第一间隔件的位于基底与第二间隔件之间的侧壁的第二部分上。第一间隔件的一部分的宽度随着到基底的距离减小而减小，并且第一间隔件的所述一部分设置在基底与第二间隔件之间。
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公开(公告)号：CN106486153A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610768898.6
申请日：2016-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/161 , G11C7/14 , G11C11/1673 , G11C13/004 , G11C29/028 , G11C29/50008 , G11C2013/0054 , G11C2029/4402 , G11C11/165
Abstract: 一种半导体存储器件包括存储单元中的短路可变电阻器元件。所述半导体存储器件包括：主单元和参考单元，其每个包括单元晶体管和可变电阻器元件。通过施加磁性隧道结(MTJ)元件的击穿电压、并联地连接到导电通孔元件、连接到在单元晶体管与可变电阻器元件之间的节点处的参考位线或者利用导电通孔元件替换可变电阻器元件，使所述参考单元的可变电阻器元件短路。感测放大器通过检测和放大在主单元的位线中流动的电流以及在参考电阻器所连接到的参考位线中流动的电流，来提高主单元的感测容限。
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公开(公告)号：CN101377955A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810214917.6
申请日：2008-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/28 , G11C16/34 , G11C16/30 , G11C16/02 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C16/0433 , G11C16/26 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11529
Abstract: 本发明公开一种电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元及其形成和读取方法。在读取EEPROM单元中的数据的方法中，用于读取的位线电压被施加到包括存储器晶体管和选择晶体管的EEPROM单元。第一电压被施加到存储器晶体管的感测线。大于第一电压的第二电压被施加到选择晶体管的字线。将通过EEPROM单元的电流与预定的参考电流对比，以读取存储在EEPROM单元中的数据。EEPROM单元的单元接通电流在擦除状态中会增加，单元中的数据可以被容易地区分。
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