公开(公告)号：CN115548023A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210340041.X

申请日：2022-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 廉泾植 ,  郑永天 ,  李龙圭

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11531

Abstract: 一种集成电路包括：源极区域，布置在衬底的上部中；一对分栅结构，分别在源极区域的相对侧上，其中，所述一对分栅结构中的每一个包括浮栅电极层以及设置在浮栅电极层上的控制栅电极层；擦除栅结构，在源极区域上位于所一对分栅结构之间，并包括擦除栅电极层；一对选择栅结构，分别在一对分栅结构的外侧壁上；以及一对栅极间隔物，其中，每个栅极间隔物设置在一对分栅结构中的一个分栅结构与一对选择栅结构中的一个选择栅结构之间，包括第一栅极间隔物和设置在第一栅极间隔物上的第二栅极间隔物，还设置在一对分栅结构中的所述一个分栅结构的外侧壁上，以及所述第二栅极间隔物的最下端位于比浮栅电极层的上表面低的高度处。

公开(公告)号：CN115701636A

公开(公告)日：2023-02-10

申请号：CN202210831271.6

申请日：2022-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 廉泾植 ,  全昌愍 ,  李龙圭

IPC: G11C11/40 ,  G11C7/12 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50

Abstract: 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：第一位线，被配置为：供应第一位线偏置电压；存储器单元晶体管，具有第一操作电压；选择晶体管，具有第二操作电压并且被配置为：控制向存储器单元晶体管的源极供应第一位线偏置电压；和第二位线，连接到存储器单元晶体管的漏极。第一操作电压的电平大约等于第二操作电压的电平。