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公开(公告)号：CN101205312A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710154317.0
申请日：2007-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0085 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/51 , G11C2213/77 , H01L51/0591
Abstract: 本发明披露了组合物、包含该组合物的有机有源层、包括该有机有源层的有机存储装置以及制造该有机存储装置的方法，所述组合物包括至少一种有机金属铱化合物和导电聚合物的混合物。所述有机存储装置可包括第一电极、第二电极以及位于第一和第二电极之间的有机有源层。所述有机存储装置具有以下优点：快速的转换时间、降低的工作电压、降低的制造成本、提高的可靠性和改进的非易失性。
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公开(公告)号：CN1933172A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610105951.0
申请日：2006-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0021 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , H01L27/285 , H01L51/0023 , H01L51/0036 , H01L51/0579 , H01L2251/105
Abstract: 本发明提供了一种具有由压纹结构形成的存储有源区的有机存储器，包括：衬底；第一电极，形成在所述衬底上；有机存储层，形成在所述第一电极上；第二电极，形成在所述有机存储层上；和压纹结构，设置于所述有机存储层，以形成存储有源区。
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公开(公告)号：CN1819298A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510121569.4
申请日：2005-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0009 , G11C13/0016 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/77 , G11C2213/80
Abstract: 一种存储装置，包括在上电极和下电极之间的有机材料层。该有机材料层包括树枝状化合物，该树枝状化合物包括至少一个供电子基和至少一个受电子基。所公开的存储装置优点在于：它显示出非易失性能、具有高集成密度和低功耗特性并能用简单方法廉价地制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1819204A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510127061.5
申请日：2005-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0595 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/685 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1625 , H01L51/0048 , H01L51/0052
Abstract: 一种使用介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件。特别地，一种由能够形成纳米沟道的介孔材料组成的存储器件，其中具有填充入纳米沟道的金属纳米颗粒或金属离子的存储层配置在上电极和下电极之间。因而，该存储器件具有高的加工性，并显示了优异的重现性和均一的性能。
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公开(公告)号：CN1576299A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410069858.X
申请日：2004-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08G77/48 , H01L21/312
CPC classification number: H01L23/5329 , C08G77/50 , C08G77/58 , C08L83/14 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3121 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L2924/0002 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本文披露含有锗的硅氧烷基树脂和使用该树脂形成的半导体器件用间层绝缘膜。除优异的机械性能以外，硅氧烷基树脂具有低介电常数使得它们是半导体器件的互连层之间绝缘膜的有用材料。
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公开(公告)号：CN1506765A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310120247.9
申请日：2003-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09D165/02 , C08G61/10 , C08G61/12 , C08G2261/312 , G03F7/093
Abstract: 本发明涉及一种用于形成一种共轭聚合物图案的组合物，和一种图案形成方法。更具体地，本发明涉及一种用于形成一种共轭聚合物图案的组合物，其包含一种具有一定结构的前体聚合物和一种光学碱产生剂，和一种使用它形成一种图案的方法。按照本发明，不仅能够容易地形成共轭聚合物的图案，而且由此制得的图案能够被理想地用于有机－电器元件例如存储元件、传感器、太阳能电池、蓄电池和有机EL等。而且当其被用于有机EL元件中时，其不仅表现出较高的EL效率而且表现出较低的临界电压。
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公开(公告)号：CN100439420C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200410069858.X
申请日：2004-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08G77/48 , H01L21/312
CPC classification number: H01L23/5329 , C08G77/50 , C08G77/58 , C08L83/14 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3121 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L2924/0002 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本文披露含有锗的硅氧烷基树脂和使用该树脂形成的半导体器件用间层绝缘膜。除优异的机械性能以外，硅氧烷基树脂具有低介电常数使得它们是半导体器件的互连层之间绝缘膜的有用材料。
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公开(公告)号：CN101182374A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710154320.2
申请日：2007-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01B1/127 , C08G61/12 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/312 , C08G2261/3142 , C08G2261/3223 , C08G2261/344 , C08G2261/376 , C08G2261/411 , H01L27/285 , H01L51/0043 , H01L51/0077
Abstract: 本发明披露了含二茂铁的导电聚合物、使用该导电聚合物的有机存储装置和制造该有机存储装置的方法。所述导电聚合物可包括芴基重复单元、噻吩基重复单元和二芳基二茂铁基重复单元。所述有机存储装置可具有以下优点：快速的转换时间、降低的工作电压、降低的制造成本和提高的可靠性。基于这些优点，所述有机存储装置可用作高度集成、大容量的存储装置。
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