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公开(公告)号：CN114068812B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202110837411.6
申请日：2021-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，所述装置包括：半导体衬底上的多个下电极；支承图案，其在下电极的侧部连接下电极；以及电介质层，其覆盖下电极和支承图案，其中：每一个下电极包括：支柱部分，其在垂直于半导体衬底的顶表面的竖直方向上延伸；以及突起，其从支柱部分的侧壁突出，以接触支承图案，支柱部分包括导电材料，突起与支柱部分包括相同的导电材料，并且进一步掺有杂质。
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公开(公告)号：CN111599811B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201911010135.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了集成电路器件及其制造方法。所述集成电路器件包括：导电区域，所述导电区域位于衬底上；和下电极结构，所述下电极结构包括与所述导电区域间隔开的主电极部分以及位于所述主电极部分与所述导电区域之间的桥电极部分。介电层与所述主电极部分的外侧壁接触。为了制造所述集成电路器件，在所述衬底上的模制图案的孔中形成初步桥电极层，以及在所述孔中的所述初步桥电极层上形成所述主电极部分。去除所述模制图案以暴露所述初步桥电极层的侧壁，以及去除所述初步桥电极层的一部分以形成所述桥电极部分。形成与所述主电极部分的所述外侧壁接触的所述介电层。
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公开(公告)号：CN107578995B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201710533807.5
申请日：2017-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/67 , H10B12/00
Abstract: 一种制造半导体装置的方法及半导体装置制造设备。制造半导体装置的方法包含将抑制气体、源气体、反应气体及包含惰性气体的吹扫气体馈送至安置有衬底的处理腔室中。所述抑制气体抑制所述源气体物理吸附至所述衬底上。由此在所述衬底上形成薄膜。根据本发明的制造半导体装置的方法的实例可以在衬底上形成具有基本上均一的厚度的保形薄膜。
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公开(公告)号：CN103855110A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310627548.4
申请日：2013-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/38 , H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H04N5/378 , H01L2924/0002 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种包括像素和读出电路的图像传感器。所述像素包括具有热电结的热电元件，所述读出电路被配置为控制所述像素，使得所述热电元件执行热电冷却操作和光电转换操作。
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公开(公告)号：CN114068812A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110837411.6
申请日：2021-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，所述装置包括：半导体衬底上的多个下电极；支承图案，其在下电极的侧部连接下电极；以及电介质层，其覆盖下电极和支承图案，其中：每一个下电极包括：支柱部分，其在垂直于半导体衬底的顶表面的竖直方向上延伸；以及突起，其从支柱部分的侧壁突出，以接触支承图案，支柱部分包括导电材料，突起与支柱部分包括相同的导电材料，并且进一步掺有杂质。
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公开(公告)号：CN112786595A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202010801948.2
申请日：2020-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L49/02
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括电容器，电容器具有底电极和顶电极、在底电极与顶电极之间的介电层以及在顶电极与介电层之间的界面层，界面层包括金属氧化物和在界面层的晶界处的附加成分。
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公开(公告)号：CN112447719A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010488922.7
申请日：2020-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了半导体器件。半导体器件包括下电极结构的第一部分，下电极结构的第一部分位于基底上。半导体器件包括第一支撑图案，第一支撑图案与下电极结构的第一部分的侧壁的第一部分接触。半导体器件包括下电极结构的第二部分，下电极结构的第二部分位于下电极结构的第一部分的侧壁的第二部分上。半导体器件包括上电极，上电极位于下电极结构的第二部分上和第一支撑图案上。此外，半导体器件包括介电层，介电层位于上电极与下电极结构的第二部分之间。
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公开(公告)号：CN112071840A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010406133.4
申请日：2020-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 本公开提供了一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括电容器结构，其中电容器结构包括：在基板之上的底电极；在底电极的侧壁上的支撑物；在底电极和支撑物上的电介质层；以及在电介质层上并覆盖底电极的顶电极。底电极包括：基底电极层，在基板之上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸；以及导电覆盖层，包括铌氮化物，在基底电极层的侧壁与电介质层之间以及在基底电极层的顶表面与电介质层之间。
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