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公开(公告)号：CN101017853A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610126357.X
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/792 , H01L29/51 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/513 , H01L29/42332 , H01L29/7882 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供一种具有电荷俘获层的非易失性存储器件，所述电荷俘获层包括其中压倒性发生空穴俘获的第一俘获层和其中压倒性发生电子俘获的第二俘获层。该非易失性存储器件可根据应用的偏压产生大的平带电压间隔，因为平带电压范围一致地分布在正和负电压上。因此，可以实现非常稳定的多电平单元。
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公开(公告)号：CN1741250A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510096517.6
申请日：2005-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种电容器和一种制造该电容器的方法。可以通过形成两个或更多的介电层和下电极来形成该电容器，其中，在形成下电极之前形成该两个或更多的介电层的至少一个。
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公开(公告)号：CN1728399A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200410103884.X
申请日：2004-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/65 , Y10T29/417
Abstract: 一种铁电电容器，其中包括：包含Ir和Ru合金的第一电极；设置在第一电极上的铁电层；以及设置在铁电层上的第二电极。一种铁电存储器，包括基底和基底上设置的多个存储器单元。每一存储器单元包括：含有Ir和Ru合金的第一电极；设置在第一电极上的铁电层；以及设置在铁电层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN1531032A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028392.9
申请日：2004-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/822 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02205 , H01L21/02304 , H01L21/3142 , H01L21/31616 , H01L21/31645
Abstract: 本发明提供一种高介电常数氧化物膜的制造法、含该膜的电容器及制造法。制造高k介电氧化物膜的步骤是：(a)将半导体衬底装载到ALD装置中；(b)在半导体衬底上沉积具有第一元素和第二元素的预定成分比的反应材料；和(c)通过氧化反应材料使得第一元素和第二元素同时氧化，在半导体衬底上形成具有所述两种元素的第一高k介电氧化物膜。在该方法中，减小了装置的尺寸，提高了产量，且降低了制造成本。而且该高k介电氧化物膜表现出高介电常数和低泄漏电流和陷阱密度。于是，包括作为介电膜的该高k介电氧化物膜的电容器也表现出低泄漏电流和陷阱密度。
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公开(公告)号：CN1482653A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03153085.0
申请日：2003-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/283 , H01L27/10 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02181 , C01G27/02 , C01G27/04 , C01P2006/80 , C07F7/003 , H01L21/02205 , H01L21/28194 , H01L21/3141 , H01L21/31645 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供了二氧化铪前体和利用该前体生成二氧化铪层的方法。二氧化铪层前体含有与HfCl4键合的氮化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1467311A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03107258.5
申请日：2003-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C01G55/00 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/13 , C01P2004/64 , C30B25/00 , C30B29/605 , Y10S977/893
Abstract: 本发明提供一种利用碳纳米管(CNT)作为模板制备无机纳米管的方法。该方法包括制备其上形成CNT或CNT阵列的模板；利用原子层沉积法(ALD)通过在模板上沉积无机材料，于CNT上形成无机薄膜；及除去CNT，得到无机纳米管或无机纳米管阵列。
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公开(公告)号：CN111947375B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010418164.1
申请日：2020-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种具有增强门的冰箱，其包括：具有储藏室的主体、枢转地联接至主体以打开或关闭储藏室的第一门和第二门、以及枢转地安装在第一门处的枢转杆。枢转杆能够在处于第一门和第二门之间的第一位置和朝向第一门枢转所得的第二位置之间活动，以减少冷空气从储藏室泄漏。当枢转杆处于第二位置时，锁定装置将枢转杆可分离地锁定到第一门。
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公开(公告)号：CN109863358B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201880004000.5
申请日：2018-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种冰箱包括：主体，具有储藏室；内门，可旋转地设置在主体上；以及外门，被构造为与内门一起打开和关闭储藏室并且可旋转地设置在内门上，其中，内门包括：连接器安放部，设置在内门的上部并且被构造为将从主体延伸到内门的第一电线连接到从外门延伸到内门的第二电线。电线之间的连接得到改善以不受内门和外门的影响，如此可提高电线的耐久性。
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公开(公告)号：CN111947375A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010418164.1
申请日：2020-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种具有增强门的冰箱，其包括：具有储藏室的主体、枢转地联接至主体以打开或关闭储藏室的第一门和第二门、以及枢转地安装在第一门处的枢转杆。枢转杆能够在处于第一门和第二门之间的第一位置和朝向第一门枢转所得的第二位置之间活动，以减少冷空气从储藏室泄漏。当枢转杆处于第二位置时，锁定装置将枢转杆可分离地锁定到第一门。
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