公开(公告)号：CN119247699A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202410622273.3

申请日：2024-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金岛辉 ,  郭旻哲 ,  尹俊盛 ,  李汀镇 ,  李承润 ,  黄灿

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种优化重叠测量条件的方法，包括：对于多个重叠测量条件中的每个重叠测量条件，测量衬底的多个位置的重叠；对于多个重叠测量条件中的每一个，基于测量的重叠计算关键参数指数(KPI)；对于多个重叠测量条件中的每一个，将KPI转换为基于KPF的关键参数函数(KPF)值，其中，KPF中的每一个具有相同的维度表示；对于多个重叠测量条件中的每一个，整合KPF值以生成整合KPF值；以及基于与多个重叠测量条件中的每一个相关联的整合KPF值，从多个重叠测量条件当中选择优化的重叠测量条件。

公开(公告)号：CN118248543A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311686775.4

申请日：2023-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗珪 ,  李汀镇 ,  郭旻哲 ,  李承润 ,  黄灿

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种用于使用重叠测量来制造半导体器件的方法、以及通过该方法制造的半导体器件。该方法包括：在衬底上形成下图案，该下图案包括具有第一间距的下重叠键图案；在下图案上形成上图案，该上图案包括具有与第一间距不同的第二间距的上重叠键图案；测量下重叠键图案和上重叠键图案之间的重叠；去除上重叠键图案；以及在去除上重叠键图案之后，使用上图案作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN118033984A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311459747.9

申请日：2023-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑羽容 ,  金岛辉 ,  金俊贤 ,  李汀镇 ,  李承润 ,  黄灿

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了一种用于有效校正由于晶片台退化引起的叠加的叠加校正方法，以及包括该叠加校正方法的曝光方法和半导体器件制造方法，其中该叠加校正方法包括：获取关于晶片的水准数据；将水准数据转换成叠加数据；通过照射尺寸分割将照射分割成子照射；从叠加数据提取针对每个子照射的模型；以及基于针对每个子照射的模型来校正曝光设备的叠加参数，其中以前馈方法将叠加参数的校正实时应用于晶片的曝光工艺。

公开(公告)号：CN118016521A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311243315.4

申请日：2023-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李汀镇 ,  李斗珪 ,  李承润 ,  黄灿

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/66 ,  G03F7/20

Abstract: 一种控制半导体工艺的方法，包括：通过向形成在至少一个样本晶片上的第一光刻胶层照射第一剂量的极紫外(EUV)光来形成多个样本套刻键标；确定用于校正从多个样本套刻键标测量的样本套刻误差的样本校正参数；基于第一剂量和第二剂量之间的差来更新样本校正参数；基于经更新的样本校正参数，通过向形成在样本晶片上的第二光刻胶层照射第二剂量的极紫外光来形成多个主套刻键标；基于从多个主套刻键标测量的主套刻误差来确定主校正参数；以及基于主校正参数，对与样本晶片不同的晶片执行光刻工艺。

公开(公告)号：CN111007702B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN201910541162.9

申请日：2019-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李茂松 ,  李承润

IPC: G03F9/00

Abstract: 提供了曝光半导体结构的方法、设备及非暂时性计算机可读介质。可通过检测半导体晶圆结构上的对准标记来计算多个模型函数。可通过使用向模型函数的每个基函数分配不同权重的权重函数对模型函数进行组合来确定组合模型函数。因此，即使当对准标记或套准标记的不对称性对晶圆上的水平位置具有高度依赖性时，也确保了曝光工艺的可靠性。

公开(公告)号：CN117153820A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310194515.9

申请日：2023-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李茂松 ,  金真善 ,  郭仁浩 ,  朴道炫 ,  韩睿恩 ,  尹详皓 ,  李承润 ,  金暖莹

IPC: H01L23/544

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有键区域；在键区域上的虚设有源图案，该虚设有源图案包括第一杂质区域和第二杂质区域；线结构，设置在第一杂质区域上并在第一方向上延伸；虚设栅电极，设置在第一杂质区域和第二杂质区域之间并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及虚设接触部，被设置为与线结构的一侧相邻并连接到第二杂质区域。虚设接触部包括在第二方向上布置的多个长接触部。

公开(公告)号：CN1979354A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610137135.8

申请日：2006-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承润 ,  方正勋

IPC: G03G15/08

CPC classification number: G03G15/0817

Abstract: 本发明公开了一种具有改进的密封结构的显影设备，密封单元密封存储显影剂的壳体内壁和刮刀之间的间隙，该刮刀控制在显影辊上附着的显影剂的厚度。该显影设备的密封单元包括第一密封元件，其被插入到壳体内壁和刮刀端部之间的间隙内；第二密封元件，其被设置在刮刀上以接触第一密封元件；和挤压元件，其挤压第一和第二密封元件以避免第一和第二密封元件之间形成间隙。因此，可有效地封闭刮刀和壳体内壁之间的间隙，而不损坏显影辊，且稳定和有效地实施显影过程。

公开(公告)号：CN1289975C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03125552.3

申请日：2003-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安秉华 ,  尹永珉 ,  李承润 ,  柳世铉

IPC: G03G15/01 ,  G03G15/06 ,  G03G21/00 ,  H01H50/14

CPC classification number: G03G15/065 ,  G03G2215/0634

Abstract: 一种用于一个彩色成像装置的显影设备的电压提供设备，具有一个印刷电路板，其与一个高压电源相连，多个安装在每个彩色显影设备的一端的固定触点，以及多个电压转换单元，用于选择性的连接印刷电路板和固定触点端子，从而有选择的从高电压提供源向每个彩色显影设备提供电压。利用该电压提供设备，能够在显影设备的变化过程中，通过使用一个具有相对简单结构的继电器部分来进行触点转换，而不需要移动显影设备。因此，由于与显影设备的连接所造成的震动而引起的印刷质量的恶化就能够被避免，并且高电压触点转换的可靠性也能够提高。而且，用于从高电压提供源向显影设备提供电压所需的高电压线束的数目也能够被降低。

公开(公告)号：CN1497372A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03125552.3

申请日：2003-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安秉华 ,  尹永珉 ,  李承润 ,  柳世铉

IPC: G03G15/01 ,  G03G15/06 ,  G03G21/00

CPC classification number: G03G15/065 ,  G03G2215/0634

Abstract: 一种用于一个彩色成像装置的显影设备的电压提供设备，具有一个印刷电路板，其与一个高压电源相连，多个安装在每个彩色显影设备的一端的固定触点，以及多个电压转换单元，用于选择性的连接印刷电路板和固定触点端子，从而有选择的从高电压提供源向每个彩色显影设备提供电压。利用该电压提供设备，能够在显影设备的变化过程中，通过使用一个具有相对简单结构的继电器部分来进行触点转换，而不需要移动显影设备。因此，由于与显影设备的连接所造成的震动而引起的印刷质量的恶化就能够被避免，并且高电压触点转换的可靠性也能够提高。而且，用于从高电压提供源向显影设备提供电压所需的高电压线束的数目也能够被降低。

公开(公告)号：CN117912975A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311145969.3

申请日：2023-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任仁范 ,  尹俊盛 ,  李承润 ,  李汀镇 ,  黄燦

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种选择用于重叠测量的多波长、以准确地测量重叠的方法，以及使用多波长的重叠测量方法和半导体器件制造方法。选择用于重叠测量的多波长的方法包括：在设置的第一波长范围内的多个波长中的每一个波长，在晶片上的多个位置处测量重叠；从多个波长中选择模拟多个波长的重叠的代表性波长；以及分别向代表性波长分配权重。