公开(公告)号：CN119620927A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411050167.9

申请日：2024-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑秉洙 ,  李庚德

IPC: G06F3/06 ,  G06F12/02

Abstract: 提供了支持车辆状态模式的存储器件、其运行方法和存储器系统。所述存储器件从主机接收车辆状态模式命令并且基于所接收到的车辆状态模式命令执行后台作业，所述存储器件包括：命令执行器，所述命令执行器被配置为基于所接收到的车辆状态模式命令生成关于后台作业的命令；调度器，所述调度器被配置为接收所述关于后台作业的命令，确定车辆状态是否是能够执行所述后台作业的状态，并且基于确定结果生成所述后台作业；以及后台作业执行器，所述后台作业执行器被配置为执行由所述调度器生成的所述后台作业。

公开(公告)号：CN118445225A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202311376674.7

申请日：2023-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑秉洙 ,  李庚德 ,  李在翊

IPC: G06F13/16 ,  G06F13/42

Abstract: 一种包括非易失性存储器的存储设备的操作方法、存储设备以及包括该存储设备主机存储系统，其中，所述操作方法可以包括：根据第一协议从主机接收包括用于非易失性存储器的读取命令的第一数据包；通过解析第一数据包，获取与主机的标识符(ID)相对应的第一请求者信息；基于第一请求者信息确定资源优先级；通过根据所述资源优先级使用存储设备的资源,来读取在非易失性存储器中存储的数据；以及向主机发送数据。

公开(公告)号：CN118170622A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202310993069.8

申请日：2023-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗钟声 ,  曹仙我 ,  李庚德 ,  韩骚贤

IPC: G06F11/34

Abstract: 公开了存储装置、其日志记录方法和存储系统。所述存储装置包括：非易失性存储器件，所述非易失性存储器件被配置为存储数据；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：基于从主机接收到遥测请求,响应于特定事件，针对所述非易失性存储器件的选定存储区域执行日志记录；以及响应于所述遥测请求，发送通过所述日志记录收集的日志数据，所述存储控制器包括日志记录模块，所述日志记录模块被配置为：在所述日志记录期间对与事件类型相对应的电压范围的分布数据进行采样，并且提供采样的分布数据作为所述日志数据。

公开(公告)号：CN118069036A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311076410.X

申请日：2023-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑秉洙 ,  宋玹宇 ,  李卿娥 ,  李庚德

IPC: G06F3/06 ,  G06F13/16

Abstract: 公开了存储装置、操作存储装置的方法和存储系统。所述存储装置包括非易失性存储器、缓冲存储器和存储控制器。控制器从主机装置接收指示非易失性存储器的第一逻辑块地址范围的第一主机数据，使用第一逻辑块地址范围从非易失性存储器读取第一存储器数据，并将第一存储器数据存储在缓冲存储器中。存储控制器还从主机装置接收读取命令和读取地址，确定读取地址是否在第一逻辑块地址范围内，响应于读取地址被确定为在第一逻辑块地址范围内和读取命令，在不访问非易失性存储器的情况下从缓冲存储器读取第一存储器数据，并且将第一存储器数据从缓冲存储器输出到主机装置。

公开(公告)号：CN117316246A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310487966.1

申请日：2023-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳炫准 ,  李庚德

IPC: G11C16/34 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14 ,  G06F21/72

Abstract: 提供了一种存储装置及其操作方法。该存储装置包括：非易失性存储器，其包括被划分为第一存储器单元组和第二存储器单元组的存储器单元；存储器控制器；以及物理不可克隆功能(PUF)电路，其被配置为基于第二存储器单元组的输出，通过从第二存储器单元组的输出中排除第一排除区域的输出、第二排除区域的输出和第三排除区域的输出来产生PUF数据，第一排除区域具有等于或大于第一读取电平并且小于第二读取电平的阈值电压，第二排除区域具有小于第三读取电平的阈值电压，第三读取电平小于第一读取电平，并且第三排除区域具有等于或大于第四读取电平的阈值电压，第四读取电平大于第二读取电平。

公开(公告)号：CN117238350A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310703193.6

申请日：2023-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庚德 ,  安浩圣 ,  千允洙

IPC: G11C29/02

Abstract: 一种数据存储装置包括：存储器装置，其包括多个存储器块；以及存储器控制器，其被配置为控制存储器装置，其中，多个存储器块与各行线连接，其中，各行线包括字线，其中，存储器控制器还被配置为：检查在除字线之外的各行线是否发生电阻缺陷；并且将与发生电阻缺陷的行线相对应的存储器块的编程操作时间设置为长于其它存储器块的编程操作时间。

公开(公告)号：CN117219144A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310031798.5

申请日：2023-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庚德 ,  千允洙 ,  曹大铉

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/14

Abstract: 提供了用于操作存储器装置的方法和存储器系统，所述方法包括：对第一操作执行第一设置操作；基于第一设置操作读取映射数据；以及对第二操作执行第二设置操作。

公开(公告)号：CN119785849A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411346391.2

申请日：2024-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李世雄 ,  李光珍 ,  权起禄 ,  李庚德 ,  车相守 ,  千允洙

IPC: G11C16/10 ,  G11C11/406

Abstract: 提供一种储存设备，包括：存储设备，包括多个存储块，每个存储块包括多个存储单元；控制器，被配置为响应于从主机接收的写入请求控制存储设备的编程操作；以及温度传感器，被配置为测量内部温度，其中，控制器还被配置为基于由温度传感器测量的第一温度，将多个存储块中的一个存储块激活为风险块，并且然后使用风险块控制高可靠性编程操作，或者将多个存储块中的一个存储块激活为第一正常块，并且然后使用第一正常块控制正常编程操作。

公开(公告)号：CN119248175A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202410329525.3

申请日：2024-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金有焕 ,  李庚德 ,  张洙溶 ,  高汉奎 ,  安浩圣

IPC: G06F3/06

Abstract: 本公开涉及存储设备。示例存储设备包括：非易失性存储器设备和存储器控制器，该非易失性存储器设备包括多个存储器块，该存储器控制器控制该非易失性存储器设备。存储器控制器对多个存储器块当中的第一存储器块执行软擦除操作，在执行软擦除操作之后，通过将第一参考电压施加到从第一存储器块的多个存储器单元中预先选择的多个第一存储器单元来测量第一单元计数，基于第一单元计数生成与第一存储器块的保留特性相关联的第一健康指数，并且基于第一健康指数对第一存储器块执行可靠性管理操作。

公开(公告)号：CN110033808B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN201811446549.8

申请日：2018-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庚德 ,  沈荣燮

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/26

Abstract: 一种用于控制存储器装置的存储器控制器的读取控制方法，所述存储器装置包括分别连接到多条字线的多个存储器页面，所述读取控制方法包括：对所述多个存储器页面中已经历暂停操作的所选择存储器页面进行识别，所述所选择存储器页面连接到所选择字线；根据对所述所选择存储器页面进行识别的结果，基于与所述所选择存储器页面相关联的暂停操作信息来确定所述所选择存储器页面的读取偏移电平；以及基于与所确定出的所述读取偏移电平相关联的读取电压来控制所述存储器装置的读取操作。也提供一种存储器控制器及其编程控制方法。