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公开(公告)号：CN109671645A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811188675.8
申请日：2018-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L21/67253
Abstract: 提供了工艺控制方法和工艺控制系统。所述方法包括：对由一组多个晶片限定的晶片组执行沉积工艺；对所述晶片组执行测量工艺以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；通过使用所述测量值与参考值之间的差来产生所述沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及基于所述目标值提供关于后续晶片组的所述因素的输入值。提供所述因素的输入值的操作包括：获得先前产生的关于至少一个先前晶片组的所述因素的先前目标值，以及提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。
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公开(公告)号：CN106654000B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610957717.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了形成层的方法、制造磁性存储器件的方法以及形成磁隧道结的方法，其中形成层的方法包括：在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，分别从第一绝缘体和第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；以及使用第一离子源和第二离子源在下部结构上形成绝缘层。第一绝缘体和第二绝缘体与下部结构垂直间隔开，并且彼此横向地间隔开。第一绝缘体和第二绝缘体包括彼此相同的材料。
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公开(公告)号：CN107017337A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611122010.8
申请日：2016-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1657 , G11C11/161 , G11C11/1655 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁存储器件以及一种制造该磁存储器件的方法。该方法包括在基板上形成第一磁性层、在第一磁性层上形成隧道势垒层以及在隧道势垒层上形成第二磁性层。形成隧道势垒层包括在第一磁性层上形成第一金属氧化物层、在第一金属氧化物层上形成第一金属层、在第一金属层上形成第二金属氧化物层以及进行第一热处理工艺以氧化第一金属层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN106803532A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201610915456.X
申请日：2016-10-20
Abstract: 本公开提供了具有垂直磁隧道结的磁存储器件。一种磁存储器件包括在基板上的第一磁结构、在基板和第一磁结构之间的第二磁结构、以及在第一磁结构和第二磁结构之间的隧道阻挡物。第一磁结构和第二磁结构中的至少一个包括垂直磁层以及插设在隧道阻挡物和垂直磁层之间的极化增强层。这里，极化增强层包含钴、铁和至少一种IV族元素，并且极化增强层具有垂直于或基本上垂直于基板的顶表面的磁化方向。
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公开(公告)号：CN106654000A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610957717.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/3464 , H01F41/307 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了形成层的方法、制造磁性存储器件的方法以及形成磁隧道结的方法，其中形成层的方法包括：在下部结构上方提供第一绝缘体和第二绝缘体，分别从第一绝缘体和第二绝缘体产生第一离子源和第二离子源；以及使用第一离子源和第二离子源在下部结构上形成绝缘层。第一绝缘体和第二绝缘体与下部结构垂直间隔开，并且彼此横向地间隔开。第一绝缘体和第二绝缘体包括彼此相同的材料。
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公开(公告)号：CN104700882A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410746475.5
申请日：2014-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了存储器器件及其制造方法。磁存储器器件可以包括基板和在基板上的磁隧道结存储器元件。磁隧道结存储器元件可以包括参考磁层、隧道阻挡层和自由磁层。参考磁层可以包括第一被钉扎层、交换耦合层和第二被钉扎层。交换耦合层可以在第一被钉扎层和第二被钉扎层之间，第二被钉扎层可以包括铁磁层和非磁性层。第二被钉扎层可以在第一被钉扎层和隧道阻挡层之间，隧道阻挡层可以在参考磁层和自由磁层之间。
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公开(公告)号：CN111180577B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910733388.9
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于制造磁存储器件的方法包括：在基板上形成磁隧道结图案；在基板上形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层；执行蚀刻工艺以暴露磁隧道结图案的顶面，所述蚀刻工艺是在第一工艺腔室中执行的；并且执行沉积工艺以在磁隧道结图案的顶面上形成导电层，所述沉积工艺是在第二工艺腔室中执行的。第一工艺腔室和第二工艺腔室通过缓冲模块彼此连接。
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公开(公告)号：CN116249428A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211550191.X
申请日：2022-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器件包括：顺序堆叠在基板上的第一磁性图案和第二磁性图案；在第一磁性图案和第二磁性图案之间的隧道势垒图案；在基板和第一磁性图案之间的下电极；在下电极和第一磁性图案之间的阻挡图案；在阻挡图案和第一磁性图案之间的金属氧化物图案；以及在金属氧化物图案和第一磁性图案之间的缓冲图案。下电极、阻挡图案、金属氧化物图案和缓冲图案分别包括第一非磁性金属、第二非磁性金属、第三非磁性金属和第四非磁性金属。金属氧化物图案具有非晶相。
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公开(公告)号：CN115411063A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210577683.1
申请日：2022-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种磁性存储器件，其包括依次堆叠在衬底上的被钉扎磁性图案和自由磁性图案、在被钉扎磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案、在自由磁性图案上的顶电极、以及在自由磁性图案和顶电极之间的盖图案。盖图案包括下盖图案、在下盖图案和顶电极之间的上盖图案、在下盖图案和上盖图案之间的第一非磁性图案、以及在第一非磁性图案和上盖图案之间的第二非磁性图案。下盖图案和上盖图案中的每个包括非磁性金属。第一非磁性图案和第二非磁性图案包括彼此不同的金属。
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