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公开(公告)号：CN111989962B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201980026034.9
申请日：2019-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W56/00 , H04L5/00 , H04B17/345 , H04W76/11
Abstract: 本公开涉及用于支持在诸如LTE的4G通信系统之后的更高数据速率的5G或预5G的通信系统。根据一实施例，一种无线通信系统中的基站的方法，包括：在要生成的同步块中，识别与所述同步块有关的信号未映射到的资源，确定是否将特定信号映射到所识别出的资源，并向终端发送基于确定的结果生成的同步块。
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公开(公告)号：CN110875340B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201910794462.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器。该图像传感器包括：基板，包括有源区和虚设区；在有源区上的多个单位像素；在基板的第一表面上的透明导电层；光阻挡层，在透明导电层上并且电连接到透明导电层，光阻挡层具有与光透过区相邻的网格结构；以及焊盘，在虚设区上电连接到光阻挡层。
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公开(公告)号：CN110875340A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910794462.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器。该图像传感器包括：基板，包括有源区和虚设区；在有源区上的多个单位像素；在基板的第一表面上的透明导电层；光阻挡层，在透明导电层上并且电连接到透明导电层，光阻挡层具有与光透过区相邻的网格结构；以及焊盘，在虚设区上电连接到光阻挡层。
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公开(公告)号：CN103500748A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310352393.8
申请日：2009-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。制造CMOS图像传感器的方法包括：形成基板结构，该基板结构包括第一基板、第二基板以及在第一基板和第二基板之间的氧化层和含氮的指数匹配层；在第二基板中形成至少一个感光器件；以及在形成基板结构之后，在第二基板的第一表面上形成金属互连结构，第一表面朝向远离第一基板，使得至少一个感光器件在金属互连结构与指数匹配层和氧化层之间，金属互连结构电连接到至少一个感光器件。
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公开(公告)号：CN1489219A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03124188.3
申请日：2003-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴炳俊
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66636 , H01L29/0653
Abstract: 一种集成电路晶体管结构可以包括衬底上的栅电极和衬底中的靠近栅电极的源/漏区。与衬底分离的抗穿通层靠近源/漏区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1230778A
公开(公告)日：1999-10-06
申请号：CN99100795.6
申请日：1999-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴炳俊
IPC: H01L21/82 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10852
Abstract: 这里公开了一种制造DRAM单元电容器的改进方法,通过将接触孔形成步骤与存储节点形成步骤结合,可以提供到电容器的存储节点的自对接触孔,并可以增大电容器表面积。这种结合技术减少了光刻工艺,并因而降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN111801966B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201980015552.0
申请日：2019-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及用于支持比诸如LTE的4G通信系统更高的数据传输速率的5G或预5G通信系统。一种用于发送和接收数据的方法，包括以下步骤：在第一窄带上接收第一同步块；标识指示第一窄带未被分配给终端的指示符是否包括在第一同步块中；以及如果指示第一窄带未被分配给终端的指示符不包括在第一同步块中，则在第一窄带中执行同步。
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公开(公告)号：CN103456683B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201310210045.7
申请日：2013-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L21/7682 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L31/022408 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了形成通孔结构、制造图像传感器和集成电路器件的方法。提供了制造包括通孔结构的集成电路器件的方法。该方法可以包括：形成穿过衬底的隔离槽以形成由隔离槽围绕的内部衬底；以及在隔离槽中以及在衬底的表面上形成绝缘层。该方法还可以包括：形成孔，该孔与隔离槽间隔开并穿过绝缘层的形成于衬底的表面上的部分和内部衬底；以及在孔中和在形成于衬底的表面上的绝缘层上形成导电层。该方法可以用于制造图像传感器。
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公开(公告)号：CN101847645A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010144068.9
申请日：2010-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴炳俊
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L2224/48227 , H04N5/2257
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：基板；布线结构，形成在基板的前侧上且包括多个布线层和多个绝缘膜；第一阱，形成在基板内且具有第一导电型；以及第一金属布线层，直接接触基板的后侧且构造为向第一阱施加第一阱偏压。
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公开(公告)号：CN101667547A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910205713.0
申请日：2009-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L21/82 , H01L27/146 , H01L23/12 , H04N5/335
CPC classification number: H01L2224/48227
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。制造CMOS图像传感器的方法包括：形成基板结构，该基板结构包括第一基板、第二基板以及在第一基板和第二基板之间的氧化层和含氮的指数匹配层；在第二基板中形成至少一个感光器件；以及在形成基板结构之后，在第二基板的第一表面上形成金属互连结构，第一表面朝向远离第一基板，使得至少一个感光器件在金属互连结构与指数匹配层和氧化层之间，金属互连结构电连接到至少一个感光器件。
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