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公开(公告)号:CN101217026B
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN200810002424.6
申请日:2008-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于消除余像的液晶显示器(LCD)包括:电源、栅极驱动器和放电器。该电源检测外部电源电压的切断并提供放电信号。该栅极驱动器响应于该放电信号将栅极驱动信号同时提供给多条栅极线,而该放电器响应于该放电信号将公共电压提供给多条数据线。
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公开(公告)号:CN1917155B
公开(公告)日:2010-12-22
申请号:CN200610109256.1
申请日:2006-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/66757
Abstract: 本发明提供了一种具有半导体层的薄膜晶体管基板,该半导体层包括低浓度区和与在由多晶硅构成的沟道区两侧的低浓度区相邻的源区/漏区;栅极绝缘层和导体层,其位于基板上,图样化导体层以形成栅电极。
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公开(公告)号:CN1913356B
公开(公告)日:2010-05-12
申请号:CN200610090045.8
申请日:2006-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/0185 , G09G3/36 , G09G3/20 , G02F1/133
CPC classification number: H03K3/356165
Abstract: 本发明提供了一种电平位移器和具有该电平位移器的显示装置。在电平位移器中,第一晶体管包括:栅电极,用于接收第一驱动电压;以及源电极,通过输入端接收输入信号。第二晶体管包括:漏电极,用于接收第一驱动电压;以及源电极,通过第一节点电连接到第一晶体管的漏电极。第三晶体管包括:源电极,用于接收第二驱动电压;漏电极,通过第二节点电连接到第二晶体管的栅电极;以及栅电极,用于接收输入信号。第四晶体管包括:漏电极,用于接收第一驱动电压;栅电极,通过第一节点电连接到第一晶体管的漏电极;以及源电极,通过第二节点电连接到第三晶体管的漏电极。反相器将从第二节点输出的信号反相,以将反相后的信号施加到输出端。
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公开(公告)号:CN100403144C
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200410099791.4
申请日:2004-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1345 , G02F1/136259 , H01L27/12
Abstract: 提供一种TFT阵列面板,包括一绝缘衬底,水平设置在绝缘衬底上的栅极线,从栅极线隔开的并与栅极线交叉的数据线,位于通过交叉栅极线和数据线而限定的像素区中的像素电极,响应于多条栅极线传输的扫描信号,用于传输或截取通过多条数据线传送到像素电极的图像信号的TFT,用于将来自于输入线的图像信号输入分配到多条数据线的传输栅极,以及与传输栅极的输入线交叉的修理线。因此,由于输入修理线和传输栅极的输入线交叉,产生在修理线和传输栅极的输入线之间的寄生电容可以被减小。
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公开(公告)号:CN1917155A
公开(公告)日:2007-02-21
申请号:CN200610109256.1
申请日:2006-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/66757
Abstract: 本发明提供了一种具有半导体层的薄膜晶体管基板,该半导体层包括低浓度区和与在由多晶硅构成的沟道区两侧的低浓度区相邻的源区/漏区;栅极绝缘层和导体层,其位于基板上,图样化导体层以形成栅电极。
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公开(公告)号:CN1897099A
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN200610106422.2
申请日:2006-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/13306 , G06F3/147 , G09G3/20 , G09G3/3648 , G09G5/39 , G09G2310/0289 , G09G2340/02 , G09G2360/125
Abstract: 一种显示装置,使用能够将多个电路元件集成在单个基板上的SOG或SOP技术来实现。显示装置不包括单独的帧存储器。代替单独的帧存储器,显示装置通过将设置在主机中的存储器的预定区域分配为帧存储区域,来使用该预定区域。由于在显示装置与主机之间发送/接收的图像信号具有编码格式,所以减小了显示装置及具有该显示装置的信息处理系统的芯片大小,并且也减少了传送数据量。
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公开(公告)号:CN1258230C
公开(公告)日:2006-05-31
申请号:CN01133118.6
申请日:2001-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开了一种用于LCD的多晶硅TFT及其制造方法。TFT包括成型在基板上的有效构图,成型在包括有效构图的基板上的栅绝缘层,成型在栅绝缘层上而横穿该有效构图且包括用于确定第一杂质区、第二杂质区和沟道区的栅电极的栅线,成型在包括栅线的栅绝缘层上的绝缘中间层,成型在绝缘中间层上且通过第一接触孔与第二杂质区相连的数据线,以及形成在绝缘中间层上、由与数据线相同的材料成型且通过第二接触孔与第一杂质区相连的象素电极,其中第一接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第二杂质区上,第二接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第一杂质区上。掩膜的数量可以减少到5或6张,因而简化了生产工艺。
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公开(公告)号:CN1722212A
公开(公告)日:2006-01-18
申请号:CN200510078895.1
申请日:2005-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3688 , H03F3/005 , H03F3/505
Abstract: 提供一种模拟缓冲器,具有模拟缓冲器的显示设备和驱动模拟缓冲器的方法。模拟缓冲器将模拟电压施加到负载。模拟缓冲器包括一个比较器和一个晶体管。所述比较器配置成将从外部设备接收的输入电压与施加到负载的模拟电压进行比较。当模拟电压低于输入电压时,晶体管导通以对负载进行充电或当模拟电压高于输入电压时,晶体管导通以对负载进行放电,和当模拟电压变成基本上与输入电压相同时,晶体管被关断。
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公开(公告)号:CN1897099B
公开(公告)日:2010-08-18
申请号:CN200610106422.2
申请日:2006-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/13306 , G06F3/147 , G09G3/20 , G09G3/3648 , G09G5/39 , G09G2310/0289 , G09G2340/02 , G09G2360/125
Abstract: 一种显示装置,使用能够将多个电路元件集成在单个基板上的SOG或SOP技术来实现。显示装置不包括单独的帧存储器。代替单独的帧存储器,显示装置通过将设置在主机中的存储器的预定区域分配为帧存储区域,来使用该预定区域。由于在显示装置与主机之间发送/接收的图像信号具有编码格式,所以减小了显示装置及具有该显示装置的信息处理系统的芯片大小,并且也减少了传送数据量。
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公开(公告)号:CN1790914B
公开(公告)日:2010-08-11
申请号:CN200510120482.5
申请日:2005-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/0185 , G09G3/20
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G2310/0289 , H03K19/018571
Abstract: 一种电平移动器包括:分压单元,其接收第一电压和输入电压,并且生成在第一电压和输入电压之间的中间电压;第一和第二电压补偿单元,其连接到该分压单元并且连接在第一电压和第二电压之间,用于补偿该分压单元的电压变化;以及输出单元,其接收来自分压单元的输出并且生成输出电压。
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