公开(公告)号：CN1258230C

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN01133118.6

申请日：2001-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄长元 ,  郑宇席 ,  朴泰炯 ,  金县裁 ,  文奎善 ,  姜淑映

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明公开了一种用于LCD的多晶硅TFT及其制造方法。TFT包括成型在基板上的有效构图，成型在包括有效构图的基板上的栅绝缘层，成型在栅绝缘层上而横穿该有效构图且包括用于确定第一杂质区、第二杂质区和沟道区的栅电极的栅线，成型在包括栅线的栅绝缘层上的绝缘中间层，成型在绝缘中间层上且通过第一接触孔与第二杂质区相连的数据线，以及形成在绝缘中间层上、由与数据线相同的材料成型且通过第二接触孔与第一杂质区相连的象素电极，其中第一接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第二杂质区上，第二接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第一杂质区上。掩膜的数量可以减少到5或6张，因而简化了生产工艺。

公开(公告)号：CN1383214A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN01133118.6

申请日：2001-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄长元 ,  郑宇席 ,  朴泰炯 ,  金县裁 ,  文奎善 ,  姜淑映

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明公开了一种用于LCD的多晶硅TFT及其制造方法。TFT包括成型在基板上的有效构图,成型在包括有效构图的基板上的栅绝缘层,成型在栅绝缘层上而横穿该有效构图且包括用于确定第一杂质区、第二杂质区和沟道区的栅电极的栅线,成型在包括栅线的栅绝缘层上的绝缘中间层,成型在绝缘中间层上且通过第一接触孔与第二杂质区相连的数据线,以及形成在与数据线相同的绝缘中间层上且通过第二接触孔与第一杂质区相连的象素电极,其中第一接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第二杂质区上,第二接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第一杂质区上。掩膜的数量可以减少到5或6张,因而简化了生产工艺。