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公开(公告)号：CN1258230C
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN01133118.6
申请日：2001-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开了一种用于LCD的多晶硅TFT及其制造方法。TFT包括成型在基板上的有效构图，成型在包括有效构图的基板上的栅绝缘层，成型在栅绝缘层上而横穿该有效构图且包括用于确定第一杂质区、第二杂质区和沟道区的栅电极的栅线，成型在包括栅线的栅绝缘层上的绝缘中间层，成型在绝缘中间层上且通过第一接触孔与第二杂质区相连的数据线，以及形成在绝缘中间层上、由与数据线相同的材料成型且通过第二接触孔与第一杂质区相连的象素电极，其中第一接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第二杂质区上，第二接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第一杂质区上。掩膜的数量可以减少到5或6张，因而简化了生产工艺。
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公开(公告)号：CN100397560C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200410031320.X
申请日：2004-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L21/84 , H01L29/786 , G09F9/30
CPC classification number: H01L21/02678 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/1229 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T428/24273
Abstract: 本发明提供一种多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法，其包括：在绝缘衬底上沉积非晶硅层；使用掩模通过多次激光照射将非晶硅层转变为多晶硅层；在多晶硅层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成多个栅极线；在栅极线上形成第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上形成多个数据线；在数据线上形成第二层间绝缘层；以及在第二层间绝缘层上形成多个像素电极，其中掩模包含以混合方向排列的多个透射区和多个阻挡区。
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公开(公告)号：CN1636162A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN03804247.9
申请日：2003-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/42384 , G02F1/13454 , G02F2202/104 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管和一种液晶显示器。为了在不增加驱动电路尺寸的情况下使得TFT的电荷迁移率一致，将栅极电极形成为包括沿垂直于晶粒生长方向延伸的至少一部分。根据本发明的薄膜晶体管包括一半导体图案，半导体图案包括含有在绝缘衬底上生长的晶粒的多晶硅薄膜。该半导体图案包括一沟道区以及关于该沟道区相对设置的源区和漏区。一栅极绝缘层覆盖半导体图案。在栅极绝缘层上，形成一包括沿着与晶粒生长方向交叉的方向延伸并与沟道区相重叠的至少一部分的栅极电极。在根据本发明的液晶显示器中，形成数据驱动电路的多个薄膜晶体管包括通过顺序横向固化形成的多晶硅薄膜，各薄膜晶体管的栅极电极的至少一部分沿横跨晶粒生长方向的方向延伸，而且，所述多个薄膜晶体管中至少一个的栅极电极具有不同于其它薄膜晶体管的图案。
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公开(公告)号：CN1586013A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN02822606.2
申请日：2002-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/2026 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10S260/35
Abstract: 用于形成多晶硅的掩膜包括：第一狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；第二狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；第三狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；以及第四狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度。排列在第一至第四狭缝区域的狭缝图案的宽度沿着水平方向顺次以第一狭缝区域的狭缝图案宽度d的倍数比例增加。沿着水平方向排列在第一至第四狭缝区域的狭缝图案的中心位于同一线上。在各自狭缝区域沿垂直方向排列的狭缝图案以8＊d间距彼此隔开。可选地，第一至第四狭缝区域可以相反的顺序排列，或者沿垂直方向排列。
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公开(公告)号：CN1501437A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN03164983.1
申请日：2003-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明公开了一种用于多晶化的掩模和用其制造薄膜晶体管的方法。在根据本发明的薄膜晶体管的制造方法中，首先在绝缘衬底上形成非晶硅薄膜并在其上形成平整层。其后，通过使用激光照射的固化工艺晶化非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜。接着，构图多晶硅薄膜和平整层以形成半导体层，并且形成覆盖半导体层的栅极绝缘层。接着，在与半导体层相对的栅极绝缘层上形成栅极电极。接着，把杂质注入到半导体层中形成相对于栅极电极彼此相对的源极区和漏极区，并且形成分别电连接到源极区和漏极区的源极电极和漏极电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1586013B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN02822606.2
申请日：2002-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/2026 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10S260/35
Abstract: 用于形成多晶硅的掩模包括：第一狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；第二狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；第三狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；以及第四狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度。排列在第一至第四狭缝区域的狭缝图案的宽度沿着水平方向顺次以第一狭缝区域的狭缝图案宽度d的倍数比例增加。沿着水平方向排列在第一至第四狭缝区域的狭缝图案的中心位于同一线上。在各自狭缝区域沿垂直方向排列的狭缝图案以8*d间距彼此隔开。可选地，第一至第四狭缝区域可以相反的顺序排列，或者沿垂直方向排列。
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公开(公告)号：CN100397660C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN02825279.9
申请日：2002-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管制造方法。在绝缘基片上形成非晶硅薄膜，并且通过横向结晶工序进行结晶，同时用激光照射非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜。接着，利用包含按3∶1∶2比例混合的Cl2、SF6、Ar混合气体通过等离子干蚀刻除去从多晶硅薄膜表面突出的突出部，以对多晶硅薄膜表面进行平坦化处理，然后制作布线图案形成半导体层。形成覆盖半导体层的栅极绝缘层后，在半导体层对面的栅极绝缘层上形成栅极。通过向半导体层注入杂质，以栅极为中心两侧形成源极和漏极区域，并形成分别与源极和漏极区域电连接的源极和漏极。
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公开(公告)号：CN1639872A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN02825279.9
申请日：2002-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管制造方法。在绝缘基片上形成非晶硅薄膜，并且通过横向结晶工序进行结晶，同时用激光照射非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜。接着，利用包含按3∶1∶2比例混合的Cl2、SF6、Ar混合气体通过等离子干蚀刻除去从多晶硅薄膜表面突出的突出部，以对多晶硅薄膜表面进行平坦化处理，然后制作布线图案形成半导体层。形成覆盖半导体层的栅极绝缘层后，在半导体层对面的栅极绝缘层上形成栅极。通过向半导体层注入杂质，以栅极为中心两侧形成源极和漏极区域，并形成分别与源极和漏极区域电连接的源极和漏极。
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公开(公告)号：CN1383214A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN01133118.6
申请日：2001-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开了一种用于LCD的多晶硅TFT及其制造方法。TFT包括成型在基板上的有效构图,成型在包括有效构图的基板上的栅绝缘层,成型在栅绝缘层上而横穿该有效构图且包括用于确定第一杂质区、第二杂质区和沟道区的栅电极的栅线,成型在包括栅线的栅绝缘层上的绝缘中间层,成型在绝缘中间层上且通过第一接触孔与第二杂质区相连的数据线,以及形成在与数据线相同的绝缘中间层上且通过第二接触孔与第一杂质区相连的象素电极,其中第一接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第二杂质区上,第二接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第一杂质区上。掩膜的数量可以减少到5或6张,因而简化了生产工艺。
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公开(公告)号：CN1636162B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN03804247.9
申请日：2003-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/40 , H01L29/768
CPC classification number: H01L29/42384 , G02F1/13454 , G02F2202/104 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管和一种液晶显示器。为了在不增加驱动电路尺寸的情况下使得TFT的电荷迁移率一致，将栅极电极形成为包括沿垂直于晶粒生长方向延伸的至少一部分。根据本发明的薄膜晶体管包括一半导体图案，半导体图案包括含有在绝缘衬底上生长的晶粒的多晶硅薄膜。该半导体图案包括一沟道区以及关于该沟道区相对设置的源区和漏区。一栅极绝缘层覆盖半导体图案。在栅极绝缘层上，形成一包括沿着与晶粒生长方向交叉的方向延伸并与沟道区相重叠的至少一部分的栅极电极。在根据本发明的液晶显示器中，形成数据驱动电路的多个薄膜晶体管包括通过顺序横向固化形成的多晶硅薄膜，各薄膜晶体管的栅极电极的至少一部分沿横跨晶粒生长方向的方向延伸，而且，所述多个薄膜晶体管中至少一个的栅极电极具有不同于其它薄膜晶体管的图案。
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