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公开(公告)号：CN1722212A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510078895.1
申请日：2005-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3688 , H03F3/005 , H03F3/505
Abstract: 提供一种模拟缓冲器，具有模拟缓冲器的显示设备和驱动模拟缓冲器的方法。模拟缓冲器将模拟电压施加到负载。模拟缓冲器包括一个比较器和一个晶体管。所述比较器配置成将从外部设备接收的输入电压与施加到负载的模拟电压进行比较。当模拟电压低于输入电压时，晶体管导通以对负载进行充电或当模拟电压高于输入电压时，晶体管导通以对负载进行放电，和当模拟电压变成基本上与输入电压相同时，晶体管被关断。
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公开(公告)号：CN100474387C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510078895.1
申请日：2005-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3688 , H03F3/005 , H03F3/505
Abstract: 提供一种模拟缓冲器，具有模拟缓冲器的显示设备和驱动模拟缓冲器的方法。模拟缓冲器将模拟电压施加到负载。模拟缓冲器包括一个比较器和一个晶体管。所述比较器配置成将从外部设备接收的输入电压与施加到负载的模拟电压进行比较。当模拟电压低于输入电压时，晶体管导通以对负载进行充电或当模拟电压高于输入电压时，晶体管导通以对负载进行放电，和当模拟电压变成基本上与输入电压相同时，晶体管被关断。
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公开(公告)号：CN1521806A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN200410031320.X
申请日：2004-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L21/84 , H01L29/786 , G09F9/30
CPC classification number: H01L21/02678 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/1229 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T428/24273
Abstract: 本发明提供一种多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法，其包括：在绝缘衬底上沉积非晶硅层；使用掩模通过多次激光照射将非晶硅层转变为多晶硅层；在多晶硅层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成多个栅极线；在栅极线上形成第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上形成多个数据线；在数据线上形成第二层间绝缘层；以及在第二层间绝缘层上形成多个像素电极，其中掩模包含以混合方向排列的多个透射区和多个阻挡区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100437940C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200480005096.5
申请日：2004-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/268
CPC classification number: B23K26/0676 , B23K26/06 , B23K26/064 , B23K26/0643 , B23K26/066 , B23K26/067 , B23K26/0732 , B23K2101/40 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L27/1285
Abstract: 一种硅晶化系统，包括光束产生器，用于产生激光束；第一和第二光学单元，用于控制来自光束产生器的激光束；和台架，用于安装平板，该平板包括将被来自光学单元的激光束多晶化的非晶硅层。第一光学单元使激光束具有横边和比该横边长的纵边，且第二光学单元使激光束具有横边和比该横边短的纵边。
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公开(公告)号：CN100568447C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200410094884.8
申请日：2004-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0268 , B23K26/066 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L29/66757
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，首先，在绝缘基片上形成非晶硅薄膜，通过利用具有透射区域狭缝的多晶硅掩模局部照射激光束的连续结晶工序将非晶硅薄膜结晶为多晶硅薄膜。接着，通过利用由半透射层组成狭缝以调整激光束能量的掩模的连续结晶工序，再结晶多晶硅薄膜表面。接着，制作多晶硅薄膜布线图案形成半导体层，形成覆盖半导体层的栅极绝缘层后，在半导体层栅极绝缘层上形成栅极。接着，向半导体层注入杂质，以栅极为中心两侧形成源极及漏极区域，分别形成分别与源极及漏极区域电连接的源极及漏极，然后形成与漏极连接的像素电极。
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公开(公告)号：CN100397560C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200410031320.X
申请日：2004-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L21/84 , H01L29/786 , G09F9/30
CPC classification number: H01L21/02678 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/1229 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T428/24273
Abstract: 本发明提供一种多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法，其包括：在绝缘衬底上沉积非晶硅层；使用掩模通过多次激光照射将非晶硅层转变为多晶硅层；在多晶硅层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成多个栅极线；在栅极线上形成第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上形成多个数据线；在数据线上形成第二层间绝缘层；以及在第二层间绝缘层上形成多个像素电极，其中掩模包含以混合方向排列的多个透射区和多个阻挡区。
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公开(公告)号：CN1754253A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200480005096.5
申请日：2004-02-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/324
CPC classification number: B23K26/0676 , B23K26/06 , B23K26/064 , B23K26/0643 , B23K26/066 , B23K26/067 , B23K26/0732 , B23K2101/40 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L27/1285
Abstract: 一种硅晶化系统，包括光束产生器，用于产生激光束；第一和第二光学单元，用于控制来自光束产生器的激光束；和台架，用于安装平板，该平板包括将被来自光学单元的激光束多晶化的非晶硅层。第一光学单元使激光束具有横边和比该横边长的纵边，且第二光学单元使激光束具有横边和比该横边短的纵边。
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公开(公告)号：CN1630027A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410094884.8
申请日：2004-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0268 , B23K26/066 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L29/66757
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，首先，在绝缘基片上形成非晶硅薄膜，通过利用具有透射区域狭缝的多晶硅掩模局部照射激光束的连续结晶工序将非晶硅薄膜结晶为多晶硅薄膜。接着，通过利用由半透射层组成狭缝以调整激光束能量的掩模的连续结晶工序，再结晶多晶硅薄膜表面。接着，制作多晶硅薄膜布线图案形成半导体层，形成覆盖半导体层的栅极绝缘层后，在半导体层栅极绝缘层上形成栅极。接着，向半导体层注入杂质，以栅极为中心两侧形成源极及漏极区域，分别形成分别与源极及漏极区域电连接的源极及漏极，然后形成与漏极连接的像素电极。
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