公开(公告)号：CN1917155B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200610109256.1

申请日：2006-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金一坤 ,  朴泰炯 ,  文国哲 ,  金喆镐 ,  金京勋 ,  金修京

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供了一种具有半导体层的薄膜晶体管基板，该半导体层包括低浓度区和与在由多晶硅构成的沟道区两侧的低浓度区相邻的源区/漏区；栅极绝缘层和导体层，其位于基板上，图样化导体层以形成栅电极。

公开(公告)号：CN1917155A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610109256.1

申请日：2006-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金一坤 ,  朴泰炯 ,  文国哲 ,  金喆镐 ,  金京勋 ,  金修京

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供了一种具有半导体层的薄膜晶体管基板，该半导体层包括低浓度区和与在由多晶硅构成的沟道区两侧的低浓度区相邻的源区/漏区；栅极绝缘层和导体层，其位于基板上，图样化导体层以形成栅电极。