公开(公告)号：CN101286522A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200710093282.4

申请日：2007-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔赫洵 ,  许智贤 ,  姜闰浩 ,  李孝锡 ,  申在光 ,  吴在浚

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/1246 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明提供了一种相变存储装置、其制造方法和操作方法。该相变存储装置包括开关装置和与该开关装置连接的存储节点。存储节点包括底部叠层、设置在底部叠层上的相变层和设置在相变层上的顶部叠层。相变层包括用于增加流经相变层的电流通路和减少相变存储区域体积的单元。和底部叠层相对设置的单元的表面面积大于或等于与相变层接触的底部叠层的表面面积。

公开(公告)号：CN116110916A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211375166.2

申请日：2022-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔赫洵 ,  安待健

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括半导体基板，半导体基板包括第一表面和第二表面并具有设置在其中的光电转换区。浮置扩散区设置在半导体基板内。浮置扩散区与第一表面相邻。掩埋栅极结构设置在从半导体基板的第一表面朝半导体基板的内部延伸的掩埋栅极沟槽内，掩埋栅极结构包括在与浮置扩散区的第一侧部相邻的第一掩埋栅极沟槽内部的第一掩埋栅电极、以及在与第一掩埋栅极沟槽间隔开并与浮置扩散区的第二侧部相邻的第二掩埋栅极沟槽内部的第二掩埋栅电极，第二侧部与第一侧部相反。

公开(公告)号：CN105336754B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201510474389.8

申请日：2015-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李景镐 ,  安正查 ,  崔赫洵

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

Abstract: 图像像素包括在半导体衬底中形成的多个光电二极管和多个沟槽。每个光电二极管被配置为累积透过微镜头在每个光电二极管处接收到的光的强度相对应的多个光电荷。多个沟槽被配置为将光电二极管彼此电隔离。

公开(公告)号：CN105049755B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201510208759.3

申请日：2015-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰瓒 ,  闵桐基 ,  李侊铉 ,  鲁尧焕 ,  尹世焕 ,  金大官 ,  金永珍 ,  金旺炫 ,  崔赫洵

IPC: H04N5/3745

CPC classification number: H01L27/1463 ,  G02B3/0056 ,  G02B5/201 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/347 ,  H04N5/3535 ,  H04N5/35554 ,  H04N5/3742 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/378 ,  H04N9/045

Abstract: 提供了一种图像传感器和具有该图像传感器的数据处理系统。根据发明构思的示例实施例的图像传感器包括包含多个像素的像素阵列，所述多个像素中的每个像素包括多个光电转换元件。所述多个光电转换元件被独立地操作以检测相位差。所述图像传感器还包括控制电路，所述控制电路被构造为独立地控制所述多个像素中的每个像素所包括的多个光电转换元件中的每个光电转换元件的曝光时间。

公开(公告)号：CN106783898A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201610891753.5

申请日：2016-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李景镐 ,  金昇炫 ,  安赫 ,  李允基 ,  崔赫洵

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464

Abstract: 本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括半导体衬底、在衬底的第一像素区中的第一对光电转换区以及在第一对光电转换区的光电转换区之间的第一隔离结构。传感器进一步包括在衬底的邻近第一像素区的第二像素区中的第二对光电转换区、以及在第二对光电转换区的光电转换区之间且具有与第一隔离结构不同的光学性质的第二隔离结构。不同的第一颜色滤光器和第二颜色滤光器，例如绿色和红色滤光器，可以被布置在第一像素区和第二像素区中各自的像素区上。

公开(公告)号：CN105390513A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510520083.1

申请日：2015-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永灿 ,  安正查 ,  崔赫洵 ,  李景镐 ,  李全淑 ,  郑荣友

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/37457

Abstract: 提供了以全局快门模式操作的图像传感器的单位像素。所述单位像素包括：光电二极管区域，包括被配置为累积在第一时间段期间从入射光生成的光电荷的光电二极管；以及存储二极管区域，包括被配置为从光电二极管接收和存储光电荷的存储二极管。光电二极管对应于聚焦入射光的微镜。

公开(公告)号：CN103311289A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210427387.X

申请日：2012-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔赫洵 ,  金钟燮 ,  申在光 ,  吴在浚 ,  河种奉 ,  黄仁俊

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供了高电子迁移率晶体管（HEMT）和制造HEMT的方法，该HEMT的封装是容易的，该HEMT包括：缓冲层；沟道层，形成在缓冲层上并包括二维电子气（2DEG）沟道；沟道提供层，形成在沟道层上；源电极、漏电极和栅电极，形成在沟道提供层上；源极接触垫，连接到源电极；漏极接触垫，连接到漏电极；以及栅极接触垫，连接到栅电极，其中源极接触垫、漏极接触垫和栅极接触垫中的一个或两个设置在缓冲层的外表面上，其余接触垫设置在不同方向上。

公开(公告)号：CN102916044A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210256482.8

申请日：2012-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  崔赫洵 ,  吴在浚 ,  河种奉 ,  金钟燮 ,  洪起夏 ,  申在光

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/373 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制造方法。HEMT包括：基板；以及形成在基板上的HEMT层叠，其中所述HEMT层叠包括：包括2维电子气（2DEG）的化合物半导体层；上化合物半导体层，具有比所述化合物半导体层的极化指数高的极化指数；以及设置在所述上化合物半导体层上的源电极、漏电极和栅极，其中所述基板是具有比硅基板的介电常数和导热系数高的介电常数和导热系数的氮化物基板。所述基板可以包括具有比硅基板的介电常数和导热系数高的介电常数和导热系数的绝缘层、设置在所述绝缘层上的金属层、以及附接到所述金属层的板。

公开(公告)号：CN102194867A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110051882.0

申请日：2011-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  金钟燮 ,  崔赫洵 ,  洪起夏 ,  申在光 ,  吴在浚

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明公开了表现双耗尽的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。HEMT包括在具有不同极性的多个半导体层上的源极、栅极和漏极。双耗尽区域存在于源极和漏极之间。多个半导体层包括上材料层、中间材料层和下材料层，中间材料层的极性不同于上材料层的极性和下材料层的极性。

公开(公告)号：CN114207553B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202080055679.8

申请日：2020-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 禹昇完 ,  郑哲宪 ,  崔赫洵 ,  梁玹硕 ,  高承勋 ,  金相掀

IPC: G06F1/16 ,  G06F3/0362 ,  G06F3/038 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0482 ,  G06F3/0483 ,  G06F3/04845 ,  G06F3/04847 ,  G06F3/0488 ,  G06F3/04883 ,  G06F3/04886

Abstract: 提供了用于处理输入的电子装置和用于该电子装置的方法。所述电子装置包括：盖窗；显示器，设置在盖窗下方；触摸面板，包括设置在与显示器对应的区域中的一个或更多个触摸感测元件，所述触摸面板被配置为通过使用所述一个或更多个触摸感测元件生成触摸信号或接近信号中的至少一者；至少一个处理器，可操作地连接到显示器和触摸面板；以及存储器，可操作地连接到所述至少一个处理器。存储器可以存储指令，指令在由所述至少一个处理器执行时使所述至少一个处理器：通过使用由触摸感测元件生成的触摸信号，识别盖窗上的与显示器对应的第一区域中的第一触摸输入；通过使用由触摸感测元件生成的接近信号，识别盖窗上的在显示器周围的第二区域中的第一接近输入；基于第一触摸输入和第一接近输入来确定是否满足指定的输入确定条件；基于是否已经满足指定的输入确定条件，选择与显示器对应的第一区域中的触摸输入或在显示器周围的第二区域中的第一接近输入之一；以及执行与所选择的输入对应的功能。