公开(公告)号：CN116093123A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211378569.2

申请日：2022-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔赫洵 ,  朴商秀 ,  沈喜成 ,  安待健 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供一种图像传感器。该图像传感器包括：衬底，其包括多个单位像素，每个单位像素包括光电转换元件；第一沟槽，其以格子形状形成在所述衬底中以隔离多个单位像素；多个第一电容器结构，其在第一沟槽中沿着第一沟槽的侧壁延伸，并且各自包括第一电极、第二电极以及第一电极与所述第二电极之间的第一电介质层；以及第一电容器隔离图案，其位于第一沟槽的格子点处，以隔离多个第一电容器结构。

公开(公告)号：CN116110916A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211375166.2

申请日：2022-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔赫洵 ,  安待健

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括半导体基板，半导体基板包括第一表面和第二表面并具有设置在其中的光电转换区。浮置扩散区设置在半导体基板内。浮置扩散区与第一表面相邻。掩埋栅极结构设置在从半导体基板的第一表面朝半导体基板的内部延伸的掩埋栅极沟槽内，掩埋栅极结构包括在与浮置扩散区的第一侧部相邻的第一掩埋栅极沟槽内部的第一掩埋栅电极、以及在与第一掩埋栅极沟槽间隔开并与浮置扩散区的第二侧部相邻的第二掩埋栅极沟槽内部的第二掩埋栅电极，第二侧部与第一侧部相反。